公开(公告)号：US08153033B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US11908037

申请日：2006-03-07

申请人： Yukio Shimane ,  Kazuyoshi Inoue ,  Masato Matsubara ,  Nobuo Tanaka ,  Tokie Tanaka, legal representative ,  Shigekazu Tomai ,  Koki Yano ,  Shigeo Matsuzaki

发明人： Yukio Shimane ,  Kazuyoshi Inoue ,  Masato Matsubara ,  Nobuo Tanaka ,  Shigekazu Tomai ,  Koki Yano ,  Shigeo Matsuzaki

IPC分类号： H01B1/08 ,  C09D1/00

CPC分类号： C23C16/407 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/40

摘要： An amorphous transparent conductive film containing as a main component a six oxygen-coordinated metal oxide, and satisfying, in a radial distribution function (RDF) obtained by an X-ray scattering measurement, a relationship of A/B>1, providing that the maximum value of RDF at an interatomic distance of from 0.30 nm to 0.36 nm is A and the maximum value of RDF at an interatomic distance of from 0.36 nm to 0.42 nm is B.

摘要翻译： 一种非晶透明导电膜，其以六氧化配位金属氧化物为主要成分，并且通过X射线散射测定获得的径向分布函数（RDF）满足A / B> 1的关系，条件是 在原子间距离为0.30nm至0.36nm处的RDF的最大值为A，原子间距离为0.36nm至0.42nm处的RDF的最大值为B.

公开(公告)号：US20090250668A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US11908037

申请日：2006-03-07

申请人： Yukio Shimane ,  Kazuyoshi Inoue ,  Masato Matsubara ,  Nobuo Tanaka ,  Tokie Tanaka ,  Shigekazu Tomai ,  Koki Yano ,  Shigeo Matsuzaki

发明人： Yukio Shimane ,  Kazuyoshi Inoue ,  Masato Matsubara ,  Nobuo Tanaka ,  Tokie Tanaka ,  Shigekazu Tomai ,  Koki Yano ,  Shigeo Matsuzaki

IPC分类号： H01B1/08 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C16/407 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/40

摘要： An amorphous transparent conductive film containing as a main component a six oxygen-coordinated metal oxide, and satisfying, in a radial distribution function (RDF) obtained by an X-ray scattering measurement, a relationship of A/B>1, providing that the maximum value of RDF at an interatomic distance of from 0.30 nm to 0.36 nm is A and the maximum value of RDF at an interatomic distance of from 0.36 nm to 0.42 nm is B.

摘要翻译： 一种非晶透明导电膜，其以六氧化配位金属氧化物为主要成分，并且通过X射线散射测定获得的径向分布函数（RDF）满足A / B> 1的关系，条件是 在原子间距离为0.30nm至0.36nm处的RDF的最大值为A，原子间距离为0.36nm至0.42nm处的RDF的最大值为B.

公开(公告)号：US20140014500A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US14006851

申请日：2012-03-26

申请人： Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano ,  Makoto Ando ,  Kazuaki Ebata ,  Masayuki Itose

发明人： Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano ,  Makoto Ando ,  Kazuaki Ebata ,  Masayuki Itose

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： A sintered body which includes at least indium oxide and gallium oxide and comprises voids each having a volume of 14000 μm3 or more in an amount of 0.03 vol % or less.

摘要翻译： 至少包含氧化铟和氧化镓的烧结体，其含有0.03体积％以下的体积为14000m 3以上的空隙。

公开(公告)号：US20140145185A1

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：US14130857

申请日：2012-06-28

申请人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Kota Terai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

发明人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Kota Terai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C01G15/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： A sputtering target including a sintered body including In, Ga and Mg, the sintered body including one or more compounds selected from a compound represented by In2O3, a compound represented by In(GaMg)O4, a compound represented by Ga2MgO4 and a compound represented by In2MgO4, and having an atomic ratio In/(In+Ga+Mg) of 0.5 or more and 0.9999 or less and an atomic ratio (Ga+Mg)/(In+Ga+Mg) of 0.0001 or more and 0.5 or less.

摘要翻译： 包括In，Ga和Mg的烧结体的溅射靶，所述烧结体包含一种或多种选自In2O3，In（GaMg）O4表示的化合物，由Ga2MgO4表示的化合物和由 InMgO 4，原子比In /（In + Ga + Mg）为0.5以上且0.9999以下，原子比（Ga + Mg）/（In + Ga + Mg）为0.0001以上且0.5以下。

公开(公告)号：US20130140502A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13700789

申请日：2011-06-01

申请人： Shigekazu Tomai ,  Kazuaki Ebata ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

发明人： Shigekazu Tomai ,  Kazuaki Ebata ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

IPC分类号： H01L49/02 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01L49/02 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/70 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： An oxide sintered body including an oxide of indium (In), gallium (Ga), and positive trivalent and/or positive tetravalent metal X, wherein the amount of the metal X relative to the total amount of In and Ga is 100 to 10000 ppm (weight).

摘要翻译： 包含铟（In），镓（Ga）和正三价和/或正四价金属X的氧化物的氧化物烧结体，其中金属X相对于In和Ga的总量的量为100至10000ppm （重量）。

公开(公告)号：US09039944B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US14130857

申请日：2012-06-28

申请人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Kota Terai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

发明人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Kota Terai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L29/788 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02 ,  C01G15/00 ,  H01B1/08 ,  H01L29/786 ,  C04B35/01 ,  C04B35/626 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C01G15/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： A sputtering target including a sintered body including In, Ga and Mg, the sintered body including one or more compounds selected from a compound represented by In2O3, a compound represented by In(GaMg)O4, a compound represented by Ga2MgO4 and a compound represented by In2MgO4, and having an atomic ratio In/(In+Ga+Mg) of 0.5 or more and 0.9999 or less and an atomic ratio (Ga+Mg)/(In+Ga+Mg) of 0.0001 or more and 0.5 or less.

摘要翻译： 包括In，Ga和Mg的烧结体的溅射靶，所述烧结体包含一种或多种选自In2O3，In（GaMg）O4表示的化合物，由Ga2MgO4表示的化合物和由 InMgO 4，原子比In /（In + Ga + Mg）为0.5以上且0.9999以下，原子比（Ga + Mg）/（In + Ga + Mg）为0.0001以上且0.5以下。

公开(公告)号：US20130221351A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13881032

申请日：2011-12-27

申请人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Yuki Tsuruma ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

发明人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Yuki Tsuruma ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

摘要： A stacked layer structure including an oxide layer and an insulating layer, the oxide layer having a carrier concentration of 1018/cm3 or less and an average crystal diameter of 1 μm or more; and the crystals of the oxide layer being arranged in a columnar shape on the surface of the insulating layer.

摘要翻译： 包括氧化物层和绝缘层的堆叠层结构，所述氧化物层的载流子浓度为1018 / cm3以下，平均结晶直径为1μm以上; 并且氧化物层的晶体在绝缘层的表面上以柱状排列。

公开(公告)号：US09243318B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US14006851

申请日：2012-03-26

申请人： Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano ,  Makoto Ando ,  Kazuaki Ebata ,  Masayuki Itose

发明人： Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano ,  Makoto Ando ,  Kazuaki Ebata ,  Masayuki Itose

IPC分类号： C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： A sintered body which includes at least indium oxide and gallium oxide and comprises voids each having a volume of 14000 μm3 or more in an amount of 0.03 vol % or less.

摘要翻译： 至少包含氧化铟和氧化镓的烧结体，其含有0.03体积％以下的体积为14000μm3以上的空隙。

公开(公告)号：US08785927B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13881032

申请日：2011-12-27

申请人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Yuki Tsuruma ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

发明人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Yuki Tsuruma ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

摘要： A stacked layer structure including an oxide layer and an insulating layer, the oxide layer having a carrier concentration of 1018/cm3 or less and an average crystal diameter of 1 μm or more; and the crystals of the oxide layer being arranged in a columnar shape on the surface of the insulating layer.

摘要翻译： 包括氧化物层和绝缘层的堆叠层结构，所述氧化物层的载流子浓度为1018 / cm3以下，平均晶体直径为1μm以上; 并且氧化物层的晶体在绝缘层的表面上以柱状排列。

公开(公告)号：US20090039775A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12066453

申请日：2006-08-15

申请人： Shigekazu Tomai ,  Kazuyoshi Inoue ,  Shigeo Matsuzaki

发明人： Shigekazu Tomai ,  Kazuyoshi Inoue ,  Shigeo Matsuzaki

IPC分类号： H01J1/63 ,  B32B7/02

CPC分类号： H01L51/5218 ,  H01L51/5215 ,  Y10T428/24942

摘要： A conductive multilayer stack (10) which includes: a first layer (12) formed of a metal or transparent conductive material, and a second layer (14) provided on the first layer (12), which is formed of an oxide, carbide or nitride of at least one metal selected from the group consisting of indium, tin, zinc, aluminum, magnesium, silicon, titanium, vanadium, manganese, cobalt, nickel, copper, gallium, germanium, yttrium, zirconia, niobium, molybdenum, antimony, barium, hafnium, tantalum, tungsten, bismuth, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium and ytterbium, or carbon, wherein the second layer (14) has a work function larger than that of the first layer (12), and the second layer (14) had a film thickness of at least 0.5 nm and smaller than 50 nm.

摘要翻译： 一种导电多层堆叠（10），其包括：由金属或透明导电材料形成的第一层（12）和设置在第一层（12）上的第二层（14），其由氧化物，碳化物或 选自铟，锡，锌，铝，镁，硅，钛，钒，锰，钴，镍，铜，镓，锗，钇，氧化锆，铌，钼，锑中的至少一种金属的氮化物， 钡，铪，钽，钨，铋，镧，铈，镨，钕，钐，铕，钆，铽，镝，钬，铒，ium和镱或碳，其中第二层（14） 大于第一层（12）的厚度，第二层（14）的膜厚度至少为0.5nm且小于50nm。