公开(公告)号：US09039944B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US14130857

申请日：2012-06-28

申请人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Kota Terai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

发明人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Kota Terai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L29/788 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02 ,  C01G15/00 ,  H01B1/08 ,  H01L29/786 ,  C04B35/01 ,  C04B35/626 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C01G15/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： A sputtering target including a sintered body including In, Ga and Mg, the sintered body including one or more compounds selected from a compound represented by In2O3, a compound represented by In(GaMg)O4, a compound represented by Ga2MgO4 and a compound represented by In2MgO4, and having an atomic ratio In/(In+Ga+Mg) of 0.5 or more and 0.9999 or less and an atomic ratio (Ga+Mg)/(In+Ga+Mg) of 0.0001 or more and 0.5 or less.

摘要翻译： 包括In，Ga和Mg的烧结体的溅射靶，所述烧结体包含一种或多种选自In2O3，In（GaMg）O4表示的化合物，由Ga2MgO4表示的化合物和由 InMgO 4，原子比In /（In + Ga + Mg）为0.5以上且0.9999以下，原子比（Ga + Mg）/（In + Ga + Mg）为0.0001以上且0.5以下。

公开(公告)号：US20130221351A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13881032

申请日：2011-12-27

申请人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Yuki Tsuruma ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

发明人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Yuki Tsuruma ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

摘要： A stacked layer structure including an oxide layer and an insulating layer, the oxide layer having a carrier concentration of 1018/cm3 or less and an average crystal diameter of 1 μm or more; and the crystals of the oxide layer being arranged in a columnar shape on the surface of the insulating layer.

摘要翻译： 包括氧化物层和绝缘层的堆叠层结构，所述氧化物层的载流子浓度为1018 / cm3以下，平均结晶直径为1μm以上; 并且氧化物层的晶体在绝缘层的表面上以柱状排列。

公开(公告)号：US20090039775A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12066453

申请日：2006-08-15

申请人： Shigekazu Tomai ,  Kazuyoshi Inoue ,  Shigeo Matsuzaki

发明人： Shigekazu Tomai ,  Kazuyoshi Inoue ,  Shigeo Matsuzaki

IPC分类号： H01J1/63 ,  B32B7/02

CPC分类号： H01L51/5218 ,  H01L51/5215 ,  Y10T428/24942

摘要： A conductive multilayer stack (10) which includes: a first layer (12) formed of a metal or transparent conductive material, and a second layer (14) provided on the first layer (12), which is formed of an oxide, carbide or nitride of at least one metal selected from the group consisting of indium, tin, zinc, aluminum, magnesium, silicon, titanium, vanadium, manganese, cobalt, nickel, copper, gallium, germanium, yttrium, zirconia, niobium, molybdenum, antimony, barium, hafnium, tantalum, tungsten, bismuth, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium and ytterbium, or carbon, wherein the second layer (14) has a work function larger than that of the first layer (12), and the second layer (14) had a film thickness of at least 0.5 nm and smaller than 50 nm.

摘要翻译： 一种导电多层堆叠（10），其包括：由金属或透明导电材料形成的第一层（12）和设置在第一层（12）上的第二层（14），其由氧化物，碳化物或 选自铟，锡，锌，铝，镁，硅，钛，钒，锰，钴，镍，铜，镓，锗，钇，氧化锆，铌，钼，锑中的至少一种金属的氮化物， 钡，铪，钽，钨，铋，镧，铈，镨，钕，钐，铕，钆，铽，镝，钬，铒，ium和镱或碳，其中第二层（14） 大于第一层（12）的厚度，第二层（14）的膜厚度至少为0.5nm且小于50nm。

公开(公告)号：US06900461B2

公开(公告)日：2005-05-31

申请号：US10344659

申请日：2002-05-10

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Shigeo Matsuzaki

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Shigeo Matsuzaki

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L21/32051 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28568 ,  H01L23/53247 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device 1 obtained by depositing, on a substrate 2, a gate electrode 4 formed by a conductive thin film containing Mo atoms and Ag atoms, a gate insulating film 6, an α-Si:H(i) film 8, a channel protection layer 10, an α-Si:H(n) film 12, a source/drain electrode 14 formed by a conductive thin film containing Mo atoms and Ag atoms, a source/drain insulating film 16, and a drive electrode 18. By using a conductive thin film containing Mo atoms and Ag atoms, the gate electrode 4 and the source/drain electrode 14 are formed to manufacture the semiconductor device 1. Thus, the conductive thin film for a semiconductor device, having high adhesion strength to a substrate, an insulating layer, and the like, a semiconductor device which operates stably without deteriorating the performance, and a method of efficiently manufacturing the conductive thin film and the semiconductor device can be provided.

摘要翻译： 通过在基板2上沉积由包含Mo原子和Ag原子的导电薄膜形成的栅电极4，栅极绝缘膜6，α-Si：H（i）膜8，沟道 保护层10，α-Si：H（n）膜12，由含有Mo原子和Ag原子的导电薄膜形成的源极/漏极14，源极/漏极绝缘膜16和驱动电极18。 通过使用含有Mo原子和Ag原子的导电薄膜，形成栅电极4和源极/漏电极14以制造半导体器件1。 因此，用于半导体器件的导电薄膜，具有对衬底的高粘合强度，绝缘层等，稳定地工作而不劣化性能的半导体器件，以及有效地制造导电薄膜和 可以提供半导体器件。

公开(公告)号：US06372401B1

公开(公告)日：2002-04-16

申请号：US09514275

申请日：2000-02-28

申请人： Shigeo Matsuzaki ,  Kunitoshi Imura ,  Kouichi Matono

发明人： Shigeo Matsuzaki ,  Kunitoshi Imura ,  Kouichi Matono

IPC分类号： G03G9113

CPC分类号： G03G9/1131 ,  G03G9/1133

摘要： Disclosed are a carrier for electrophotography, a method for producing the same carrier, and a developing agent using the same. The carrier includes a carrier core material with magnetism and a high-molecular-weight polyethylene resin that coats the surface of the carrier core material, wherein the surface of the high-molecular-weight polyethylene resin coating the surface of the carrier core material is coated with a resin layer having an ability to control an electric charge and a thickness of 0.01-2 &mgr;m or with a particle layer having an ability to control an electric charge and a thickness of 0.01-2 &mgr;m. The carrier for electrophotography and the developing agent using the same allow free control of its electrification polarity and free adjustment of the amount of electrification, taking advantage of excellent properties of the carrier having a polyolefin-based resin coat.

摘要翻译： 公开了电子照相用载体，同一载体的制造方法和使用该载体的显影剂。 载体包括具有磁性的载体芯材料和涂覆载体芯材表面的高分子量聚乙烯树脂，其中涂覆载体芯材表面的高分子量聚乙烯树脂的表面被涂覆 具有能够控制电荷和0.01-2μm的厚度的树脂层或具有控制电荷的能力的粒子层和0.01-2μm的厚度。用于电子照相和显影剂的载体 利用具有聚烯烃类树脂涂层的载体的优异性能，能够自由控制其带电极性和自由调节通电量。

公开(公告)号：US5968699A

公开(公告)日：1999-10-19

申请号：US927282

申请日：1997-09-11

申请人： Shigeo Matsuzaki ,  Takashi Arakane ,  Kazuo Murakata ,  Susumu Kikuchi

发明人： Shigeo Matsuzaki ,  Takashi Arakane ,  Kazuo Murakata ,  Susumu Kikuchi

IPC分类号： G03G9/113 ,  G03G9/107

CPC分类号： G03G9/1131 ,  G03G9/1133 ,  G03G9/1139

摘要： Disclosed is an electrophotographic carrier comprising a magnetic carrier core and a coating layer composed of a high molecular weight polyethylene resin with which the carrier core is coated, wherein the coating layer composed of a high molecular weight polyethylene resin includes a layer containing hydrophobic silica, a magnetic powder, and/or a micropowdered resin at least as the outermost layer.

摘要翻译： 公开了一种电子照相载体，其包含磁性载体芯和由涂覆有载体芯的高分子量聚乙烯树脂构成的涂层，其中由高分子量聚乙烯树脂构成的涂层包括含有疏水性二氧化硅的层， 磁性粉末和/或微粉末状树脂，至少作为最外层。

公开(公告)号：US06284421B1

公开(公告)日：2001-09-04

申请号：US09460110

申请日：1999-12-13

申请人： Shigeo Matsuzaki ,  Yuji Kamiyama ,  Hisashi Mukataka

发明人： Shigeo Matsuzaki ,  Yuji Kamiyama ,  Hisashi Mukataka

IPC分类号： G03G9113

CPC分类号： G03G9/1133 ,  G03G9/1075

摘要： An electrophotographic carrier, which has high charging characteristics and an excellent durability, does not dull a color image and has an excellent moisture resistance is provided. A process for the production of the carrier and a developing agent for electrophotography using the carrier are also provided. The electrophotographic carrier comprises a carrier core material provided with magnetism and a coating layer formed on the surface of the carrier core material, the coating layer containing at least a hydrophobic white conductive material and a high molecular weight polyethylene resin.

摘要翻译： 具有高充电特性和优异的耐久性的电子照相载体不会使彩色图像钝化并且具有优异的耐湿性。 还提供了用于生产载体的方法和使用载体的用于电子照相的显影剂。 电子摄影载体包括具有磁性的载体芯材和形成在载体芯材表面上的涂层，该涂层至少含有疏水性白色导电材料和高分子量聚乙烯树脂。

公开(公告)号：US20140197408A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：US14238019

申请日：2012-08-08

申请人： Yuki Tsuruma ,  Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki

发明人： Yuki Tsuruma ,  Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78693 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor (1) includes a source electrode (50), a drain electrode (60), a gate electrode (20), a gate insulating film (30), and a channel layer (40) that is formed of an oxide semiconductor, the channel layer (40) having an average carrier concentration of 1×1016/cm3 to 5×1019/cm3, and including a high carrier concentration region (42) that is situated on the side of the gate insulating film (30) and has a carrier concentration higher than the average carrier concentration, and the channel layer (40) having a substantially homogenous composition.

摘要翻译： 薄膜晶体管（1）包括源电极（50），漏电极（60），栅极电极（20），栅极绝缘膜（30）和由氧化物形成的沟道层（40） 半导体，平均载流子浓度为1×10 16 / cm 3至5×10 19 / cm 3的沟道层（40），并且包括位于栅极绝缘膜（30）一侧的高载流子浓度区域（42） 并且具有高于平均载流子浓度的载流子浓度，并且沟道层（40）具有基本均匀的组成。

公开(公告)号：US20140014500A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US14006851

申请日：2012-03-26

申请人： Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano ,  Makoto Ando ,  Kazuaki Ebata ,  Masayuki Itose

发明人： Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano ,  Makoto Ando ,  Kazuaki Ebata ,  Masayuki Itose

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： A sintered body which includes at least indium oxide and gallium oxide and comprises voids each having a volume of 14000 μm3 or more in an amount of 0.03 vol % or less.

摘要翻译： 至少包含氧化铟和氧化镓的烧结体，其含有0.03体积％以下的体积为14000m 3以上的空隙。

公开(公告)号：US08518585B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US12678162

申请日：2008-09-22

申请人： Tsuyoshi Ota ,  Minoru Senga ,  Shigeo Matsuzaki

发明人： Tsuyoshi Ota ,  Minoru Senga ,  Shigeo Matsuzaki

IPC分类号： H01M6/16

CPC分类号： H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  H01M2300/0068 ,  Y02T10/7011

摘要： A method for producing a lithium ion conductive solid electrolyte including the step of bringing one or more compounds selected from phosphorous sulfide, germanium sulfide, silicon sulfide and boron sulfide into contact with lithium sulfide in a hydrocarbon-based solvent.

摘要翻译： 一种锂离子传导性固体电解质的制造方法，其特征在于，在烃系溶剂中，使从硫化亚铜，硫化锗，硫化硅，硫化硼中选出的一种以上的化合物与硫化锂接触的工序。