公开(公告)号：US08501394B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US12864529

申请日：2009-01-27

申请人： Yusuke Takano ,  Jin Li ,  Tomonori Ishikawa ,  Go Noya

发明人： Yusuke Takano ,  Jin Li ,  Tomonori Ishikawa ,  Go Noya

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/0337 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/24479

摘要： There is provided a method for forming a superfine pattern, which can simply produce a superfine pattern with high mass productivity.The method comprises the steps of forming a first convex pattern, on a film to be treated, forming a spacer formed of a silazane-containing resin composition on the side wall of the convexes constituting the first convex pattern, and forming a superfine pattern using as a mask the spacer or a resin layer disposed around the spacer. The spacer is formed by curing an evenly coated resin composition only in its part around the first convex pattern. According to this method for pattern formation, unlike the conventional method, a superfine pattern can be formed.

摘要翻译： 提供了一种形成超细图案的方法，其可以简单地产生具有高质量生产率的超细图案。 该方法包括以下步骤：在待处理的膜上形成第一凸起图案，在构成第一凸起图案的凸起的侧壁上形成由含硅氮烷的树脂组合物形成的间隔物，并使用如下方式形成超细图案 掩模隔离物或设置在间隔物周围的树脂层。 间隔物通过仅在其第一凸起图案周围的部分固化均匀涂覆的树脂组合物而形成。 根据这种图案形成方法，与传统方法不同，可以形成超细纹图案。

公开(公告)号：US20100308015A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12864529

申请日：2009-01-27

申请人： Yusuke Takano ,  Jin Li ,  Tomonori Ishikawa ,  Go Noya

发明人： Yusuke Takano ,  Jin Li ,  Tomonori Ishikawa ,  Go Noya

IPC分类号： C23F1/00 ,  B32B3/30 ,  B05D3/10

CPC分类号： H01L21/0337 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/24479

摘要： There is provided a method for forming a superfine pattern, which can simply produce a superfine pattern with high mass productivity.The method comprises the steps of forming a first convex pattern, on a film to be treated, forming a spacer formed of a silazane-containing resin composition on the side wall of the convexes constituting the first convex pattern, and forming a superfine pattern using as a mask the spacer or a resin layer disposed around the spacer. The spacer is formed by curing an evenly coated resin composition only in its part around the first convex pattern. According to this method for pattern formation, unlike the conventional method, a superfine pattern can be formed.

摘要翻译： 提供了一种形成超细图案的方法，其可以简单地产生具有高质量生产率的超细图案。 该方法包括以下步骤：在待处理的膜上形成第一凸起图案，在构成第一凸起图案的凸起的侧壁上形成由含硅氮烷的树脂组合物形成的间隔物，并使用如下方式形成超细图案 掩模隔离物或设置在间隔物周围的树脂层。 间隔物通过仅在其第一凸起图案周围的部分固化均匀涂覆的树脂组合物而形成。 根据这种图案形成方法，与传统方法不同，可以形成超细纹图案。

公开(公告)号：US20100286318A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12747652

申请日：2008-12-10

申请人： Yasushi Akiyama ,  Go Noya ,  Katsutoshi Kuramoto ,  Yusuke Takano

发明人： Yasushi Akiyama ,  Go Noya ,  Katsutoshi Kuramoto ,  Yusuke Takano

IPC分类号： C08K5/19

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0046

摘要： Disclosed is a composition for forming a top antireflective film, which comprises at least one fluorine-containing compound and a quaternary ammonium compound represented by the formula (1) [wherein at least one of R1, R2, R3, and R4 represents a hydroxyl group or an alkanol group, and the others independently represent a hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; and X− represents a hydroxyl group, a halide ion or a sulfate ion], and optionally a water-soluble polymer, an acid, a surfactant and an aqueous solvent. The composition for forming a top antireflective film can exhibit the same levels of functions as those of conventional top antireflective film-forming compositions when applied in a smaller amount.

摘要翻译： 公开了一种用于形成顶部抗反射膜的组合物，其包含至少一种含氟化合物和由式（1）表示的季铵化合物[其中R 1，R 2，R 3和R 4中的至少一个表示羟基 或链烷醇基，其余独立地表示氢或碳原子数1〜10的烷基。 和X-表示羟基，卤离子或硫酸根离子]，以及任选的水溶性聚合物，酸，表面活性剂和水性溶剂。 用于形成顶部抗反射膜的组合物可以表现出与常规顶部抗反射成膜组合物相同程度的功能，当以较小的量使用时。

公开(公告)号：US20100279235A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12810028

申请日：2008-12-12

申请人： Go Noya ,  Yasushi Akiyama ,  Yusuke Takano

发明人： Go Noya ,  Yasushi Akiyama ,  Yusuke Takano

IPC分类号： G03F7/20 ,  C09D133/08

CPC分类号： G03F7/091 ,  C08F220/06 ,  C08F2220/1891 ,  G03F7/11

摘要： The present invention provides a composition for forming a top anti-reflection coating having a low refractive index, realizing a gradual swing curve and giving a small swing ratio. This composition comprises a solvent and an anthracene skeleton-containing polymer having a hydrophilic group. The composition forms an anti-reflection coating on a photoresist film, and can be used in a photolithographic process for forming a pattern by use of light having a wavelength of 160 to 260 nm.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于形成具有低折射率的顶部抗反射涂层的组合物，实现了逐渐的摆动曲线并且产生了小的摆动比。 该组合物包含具有亲水基团的溶剂和含有蒽骨架的聚合物。 该组合物在光致抗蚀剂膜上形成抗反射涂层，并且可以用于通过使用波长为160至260nm的光形成图案的光刻工艺中。

公开(公告)号：US08568955B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US12747652

申请日：2008-12-10

申请人： Yasushi Akiyama ,  Go Noya ,  Katsutoshi Kuramoto ,  Yusuke Takano

发明人： Yasushi Akiyama ,  Go Noya ,  Katsutoshi Kuramoto ,  Yusuke Takano

IPC分类号： G11B7/24 ,  C04B24/22

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0046

摘要： Disclosed is a composition for forming a top antireflective film, which comprises at least one fluorine-containing compound and a quaternary ammonium compound represented by the formula (1) [wherein at least one of R1, R2, R3, and R4 represents a hydroxyl group or an alkanol group, and the others independently represent a hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; and X− represents a hydroxyl group, a halide ion or a sulfate ion], and optionally a water-soluble polymer, an acid, a surfactant and an aqueous solvent. The composition for forming a top antireflective film can exhibit the same levels of functions as those of conventional top antireflective film-forming compositions when applied in a smaller amount.

摘要翻译： 公开了一种用于形成顶部抗反射膜的组合物，其包含至少一种含氟化合物和由式（1）表示的季铵化合物[其中R 1，R 2，R 3和R 4中的至少一个表示羟基 或链烷醇基，其余独立地表示氢或碳原子数1〜10的烷基。 和X-表示羟基，卤离子或硫酸根离子]，以及任选的水溶性聚合物，酸，表面活性剂和水性溶剂。 用于形成顶部抗反射膜的组合物可以表现出与常规顶部抗反射成膜组合物相同程度的功能，当以较小的量使用时。

公开(公告)号：US09360756B2

公开(公告)日：2016-06-07

申请号：US14431512

申请日：2013-10-01

申请人： Kazuma Yamamoto ,  Masahiro Ishii ,  Takashi Sekito ,  Hiroshi Yanagita ,  Shigemasa Nakasugi ,  Go Noya

发明人： Kazuma Yamamoto ,  Masahiro Ishii ,  Takashi Sekito ,  Hiroshi Yanagita ,  Shigemasa Nakasugi ,  Go Noya

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/32 ,  G03F7/26 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  C08F12/24 ,  C08F20/30 ,  G03F7/039 ,  G03F7/40 ,  C09D129/02 ,  C09D133/14 ,  C09D137/00 ,  G03F7/038

CPC分类号： G03F7/168 ,  C08F12/24 ,  C08F20/30 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C09D129/02 ,  C09D133/14 ,  C09D137/00 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0338

摘要： The present invention provides a fine pattern-forming composition enabling to form a resist pattern having high dry etching resistance, and also provides a pattern formation method using that composition. This formation method hardly causes pipe blockages in the production process. The composition is used for miniaturizing a resist pattern by fattening in a process of forming a negative resist pattern from a chemically amplified resist composition, and comprises a polymer containing a repeating unit having a hydroxyaryl group and an organic solvent not dissolving the negative resist pattern. In the formation method, the fine pattern-forming composition and the resist composition are individually cast with the same coating apparatus, so as to prevent pipe blockages.

摘要翻译： 本发明提供能够形成具有高耐干蚀刻性的抗蚀剂图案的精细图案形成组合物，并且还提供使用该组合物的图案形成方法。 这种形成方法在生产过程中几乎不会导致管堵塞。 该组合物用于在从化学放大抗蚀剂组合物形成负性抗蚀剂图案的工艺中通过育肥来使抗蚀剂图案小型化，并且包含含有具有羟基芳基的重复单元的聚合物和不溶解负型抗蚀剂图案的有机溶剂。 在形成方法中，用相同的涂布装置分别铸造精细图案形成组合物和抗蚀剂组合物，以防止管堵塞。

公开(公告)号：US20100062363A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：US12312365

申请日：2007-11-15

申请人： Go Noya ,  Masakazu Kobayashi ,  Yasushi Akiyama ,  Katsutoshi Kuramoto

发明人： Go Noya ,  Masakazu Kobayashi ,  Yasushi Akiyama ,  Katsutoshi Kuramoto

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  C08K3/04 ,  C08K3/36

CPC分类号： G02B1/11 ,  G02B1/118 ,  G03F7/091

摘要： The present invention provides a composition for forming a top anti-reflection coating and also provides a pattern formation method employing that composition. The composition prevents pattern failures caused by light reflected in the resist layer in the exposure step, and it further avoids troubles caused by residues produced in the etching step. The composition contains a solvent and fine particles having a mean particle size of 1 to 100 nm. In the pattern formation method of the present invention, a top anti-reflection coating is formed from the composition. The composition and the method according to the present invention can be used to form a composite film composed of a resist layer and a top anti-reflection coating.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于形成顶部防反射涂层的组合物，并且还提供了使用该组合物的图案形成方法。 该组合物防止在曝光步骤中由抗蚀剂层反射的光引起的图案故障，并且进一步避免了由蚀刻步骤中产生的残留物引起的故障。 该组合物含有溶剂和平均粒径为1〜100nm的微粒。 在本发明的图案形成方法中，由该组合物形成顶部的防反射涂层。 根据本发明的组合物和方法可以用于形成由抗蚀剂层和顶部防反射涂层组成的复合膜。

公开(公告)号：US20100028817A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12311724

申请日：2007-10-12

申请人： Go Noya ,  Ryuta Shimazaki ,  Masakazu Kobayashi

发明人： Go Noya ,  Ryuta Shimazaki ,  Masakazu Kobayashi

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/40

摘要： The present invention provides a resist substrate-treating solution for improving defects on a developed pattern surface, and also provides a resist substrate treatment method employing the treating solution. The resist substrate-treating solution comprises a solvent and a nitrogen-containing or oxygen-containing water-soluble polymer such as a polyamine, a polyol or a polyether. In the treatment method, a developed resist pattern is treated with the resist substrate-treating solution and then washed with pure water.

摘要翻译： 本发明提供了用于改善显影图案表面上的缺陷的抗蚀剂基板处理溶液，并且还提供了使用该处理溶液的抗蚀剂基板处理方法。 抗蚀剂底物处理溶液包含溶剂和含氮或含氧的水溶性聚合物如多胺，多元醇或聚醚。 在处理方法中，用抗蚀剂底物处理溶液处理显影的抗蚀剂图案，然后用纯水洗涤。

公开(公告)号：US20100021700A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12311725

申请日：2007-10-12

申请人： Go Noya ,  Ryuta Shimazaki ,  Masakazu Kobayashi

发明人： Go Noya ,  Ryuta Shimazaki ,  Masakazu Kobayashi

IPC分类号： B32B3/10 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/40 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/107 ,  Y10S430/11 ,  Y10T428/24802

摘要： The present invention provides a method for miniaturizing a pattern without seriously increasing the production cost or impairing the production efficiency. This invention also provides a fine resist pattern and a resist substrate-treating solution used for forming the fine pattern. The pattern formation method comprises a treatment step. In the treatment step, a resist pattern after development is treated with a resist substrate-treating solution containing an amino group-containing, preferably, a tertiary polyamine-containing water-soluble polymer, so as to reduce the effective size of the resist pattern formed by the development. The present invention also relates to a resist pattern formed by that method, and further relates to a treating solution used in the method.

摘要翻译： 本发明提供一种小型化图案的方法，而不会严重地增加生产成本或损害生产效率。 本发明还提供用于形成精细图案的精细抗蚀剂图案和抗蚀剂基板处理溶液。 图案形成方法包括处理步骤。 在处理步骤中，用含有氨基，优选含叔胺的水溶性聚合物的抗蚀剂底物处理溶液处理显影后的抗蚀剂图案，以减少形成的抗蚀剂图案的有效尺寸 通过发展。 本发明还涉及通过该方法形成的抗蚀剂图案，还涉及该方法中使用的处理溶液。

公开(公告)号：US20100233634A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12223310

申请日：2007-02-13

申请人： Go Noya ,  Masakazu Kobayashi ,  Ryuta Shimazaki

发明人： Go Noya ,  Masakazu Kobayashi ,  Ryuta Shimazaki

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/32

CPC分类号： G03F7/425

摘要： The present invention provides a resist substrate treating solution and a method for pattern formation using that treating solution, and thereby problems such as foreign substances on the substrate surface, pattern collapse and pattern roughness can be easily solved at the same time. The treating solution comprises water and an alkylene oxide adduct of a primary amine having a hydrocarbon group of 11 to 30 carbon atoms or of ammonia. The method for pattern formation according to the invention comprises a step of treating the developed pattern with that treating solution.

摘要翻译： 本发明提供一种抗蚀剂基板处理液和使用该处理液的图案形成方法，能够容易地同时解决基板表面上的异物，图案塌陷，图案粗糙等问题。 处理溶液包含水和碳原子数为11〜30的伯胺或氨的烯化氧加合物。 根据本发明的图案形成方法包括用该处理溶液处理显影图案的步骤。