公开(公告)号：WO2017127233A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：PCT/US2017/012170

申请日：2017-01-04

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： KWON, Thomas Jongwan ,  CHENG, Rui ,  MALLICK, Abhijit Basu ,  PING, Er-Xuan ,  AHN, Jaesoo

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/80 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00

Abstract: Implementations of the present disclosure relate to improved hardmask materials and methods for patterning and etching of substrates. A plurality of hardmasks may be utilized in combination with patterning and etching processes to enable advanced device architectures. In one implementation, a first hardmask and a second hardmask disposed on a substrate having various material layers disposed thereon. The second hardmask may be utilized to pattern the first hardmask during a first etching process. A third hardmask may be deposited over the first and second hardmasks and a second etching process may be utilized to form channels in the material layers.

Abstract translation: 本公开的实施方式涉及用于图案化和蚀刻基板的改进的硬掩模材料和方法。 多个硬掩模可以与图案化和蚀刻工艺结合使用以实现高级器件架构。 在一个实施方式中，设置在其上设置有各种材料层的基板上的第一硬掩模和第二硬掩模。 第二硬掩模可用于在第一蚀刻工艺期间图案化第一硬掩模。 可以在第一和第二硬掩模上沉积第三硬掩模，并且可以利用第二蚀刻工艺在材料层中形成沟道。

公开(公告)号：WO2016100873A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/US2015/066789

申请日：2015-12-18

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF COLORADO, A BODY CORPORATE

Inventor： GEORGE, Steven M. ,  LEE, Younghee

IPC: C23F1/12

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C23F1/12 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/465 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253 ,  H01L29/517

Abstract: The invention includes a method of promoting atomic layer etching (ALE) of a surface. In certain embodiments, the method comprises sequential reactions with a metal precursor and a halogen-containing gas. The invention provides a solid substrate obtained according t any of the methods of the invention. The invention further provides a porous substrate obtained according to any of the methods of the invention. The invention further provides a patterned solid substrate obtained according to any of the methods of the invention.

Abstract translation: 本发明包括促进表面的原子层蚀刻（ALE）的方法。 在某些实施方案中，该方法包括与金属前体和含卤素气体的顺序反应。 本发明提供了根据本发明的任何方法获得的固体底物。 本发明还提供了根据本发明的任何方法获得的多孔基材。 本发明还提供了根据本发明的任何方法获得的图案化固体底物。

公开(公告)号：WO2016025462A9

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/US2015044623

申请日：2015-08-11

Applicant: TOKYO ELECTRON LTD ,  TOKYO ELECTRON US HOLDINGS INC

Inventor： TAPILY KANDABARA N ,  AMANO FUMITAKA

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/321 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: A method for passivating a surface of a semiconductor substrate with fluorine-based layer to protect the surface against oxidation and allow longer queue times. According to one embodiment, the method includes providing a substrate having an oxidized layer formed thereon, replacing the oxidized layer with a fluorine-based layer, exposing the fluorine-based layer to an oxidizing atmosphere, where the fluorine-based layer protects the substrate against oxidation by the oxidizing atmosphere, and removing the fluorine-based layer from the substrate using a plasma process. According to another embodiment, the method includes providing a passivated substrate in a vacuum processing tool, the passivated substrate having a fluorine-based layer thereon that is effective for protecting the passivated substrate against oxidation by an oxidizing atmosphere, removing the fluorine-based layer from the passivated substrate using a microwave plasma process in the vacuum processing tool, thereby forming a clean substrate, and processing the clean substrate under vacuum conditions.

Abstract translation: 一种用氟基层钝化半导体衬底的表面以保护表面免受氧化并允许更长的排队时间的方法。 根据一个实施例，该方法包括提供其上形成有氧化层的基板，用氟基层代替氧化层，将氟基层暴露于氧化气氛，其中氟基层保护基板免受 通过氧化气氛进行氧化，使用等离子体处理从基板除去氟系层。 根据另一实施例，该方法包括在真空处理工具中设置钝化衬底，钝化衬底上具有氟基层，其有效地保护被钝化衬底免受氧化气氛的氧化，从氟基层除去氟基层 在真空处理工具中使用微波等离子体工艺的钝化衬底，从而形成清洁衬底，并在真空条件下处理清洁衬底。

公开(公告)号：WO2016025462A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：PCT/US2015/044623

申请日：2015-08-11

Applicant: TOKYO ELECTRON LIMITED ,  TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.

Inventor： TAPILY, Kandabara N. ,  AMANO, Fumitaka

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/321 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: A method for passivating a surface of a semiconductor substrate with fluorine-based layer to protect the surface against oxidation and allow longer queue times. According to one embodiment, the method includes providing a substrate having an oxidized layer formed thereon, replacing the oxidized layer with a fluorine-based layer, exposing the fluorine-based layer to an oxidizing atmosphere, where the fluorine-based layer protects the substrate against oxidation by the oxidizing atmosphere, and removing the fluorine-based layer from the substrate using a plasma process. According to another embodiment, the method includes providing a passivated substrate in a vacuum processing tool, the passivated substrate having a fluorine-based layer thereon that is effective for protecting the passivated substrate against oxidation by an oxidizing atmosphere, removing the fluorine-based layer from the passivated substrate using a microwave plasma process in the vacuum processing tool, thereby forming a clean substrate, and processing the clean substrate under vacuum conditions.

Abstract translation: 一种用氟基层钝化半导体衬底表面以保护表面免受氧化并且允许更长的排队时间的方法。 根据一个实施例，该方法包括提供其上形成有氧化层的衬底，用氟基层代替氧化层，将氟基层暴露于氧化气氛，其中氟基层保护衬底免受 通过氧化气氛进行氧化，并且利用等离子体工艺从衬底去除氟基层。 根据另一个实施例，该方法包括在真空处理工具中提供钝化衬底，钝化衬底上具有基于氟的层，其有效地用于保护钝化衬底免受氧化气氛的氧化，从而将氟基层从 在真空处理工具中使用微波等离子体处理钝化的衬底，由此形成干净的衬底，并且在真空条件下处理干净的衬底。

公开(公告)号：WO2014185351A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/JP2014/062470

申请日：2014-05-09

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 北垣内　圭二 ,  小林　史弥 ,  戸村　幕樹

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 　エッチング対象膜及びパターニングされたマスクを含む被処理体をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記マスクを用いて前記エッチング対象膜をプラズマエッチングする第１の工程と、前記第１の工程によってエッチングされた前記エッチング対象膜の側壁部の少なくとも一部に、シリコン含有ガスのプラズマによってシリコン含有膜を堆積させる第２の工程と、を有する、プラズマエッチング方法。

Abstract translation: 提供了一种等离子体蚀刻方法，用于等离子体蚀刻包括待蚀刻的膜和图案化掩模的被处理体。 等离子体蚀刻方法具有第一步骤，其中使用掩模等离子体蚀刻待蚀刻的膜，以及第二步骤，其中通过含有硅的气体的等离子体至少沉积含硅的膜 在第一步中被蚀刻的被蚀刻膜的一部分侧壁部分。

公开(公告)号：WO2014113177A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：PCT/US2013/076217

申请日：2013-12-18

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： WANG, Xikun ,  HSU, Ching-Mei ,  INGLE, Nitin K. ,  LI, Zihui ,  WANG, Anchuan

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/0245 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76814

Abstract: Methods of selectively etching tungsten relative to silicon-containing films (e.g. silicon oxide, silicon carbon nitride and (poly)silicon) as well as tungsten oxide are described. The methods include a remote plasma etch formed from a fluorine-containing precursor and/or hydrogen (H2). Plasma effluents from the remote plasma are flowed into a substrate processing region where the plasma effluents react with the tungsten. The plasma effluents react with exposed surfaces and selectively remove tungsten while very slowly removing other exposed materials. Sequential and simultaneous methods are included to remove thin tungsten oxide which may, for example, result from exposure to the atmosphere.

Abstract translation: 描述了相对于含硅膜（例如氧化硅，氮化碳和（多）硅）选择性地蚀刻钨的方法以及氧化钨。 这些方法包括由含氟前体和/或氢（H 2）形成的远程等离子体蚀刻。 来自远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，其中等离子体流出物与钨反应。 等离子体流出物与暴露的表面反应并选择性地去除钨，同时非常缓慢地除去其它暴露的材料。 包括顺序和同时的方法以除去例如由于暴露于大气中而产生的薄氧化钨。

公开(公告)号：WO2014099205A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/US2013/070600

申请日：2013-11-18

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： CHEN, Zhijun ,  PARK, Seung ,  KOROLIK, Mikhail ,  WANG, Anchuan ,  INGLE, Nitin K.

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244

Abstract: A method of etching exposed titanium oxide on heterogeneous structures is described and includes a remote plasma etch formed from a fluorine-containing precursor. Plasma effluents from the remote plasma are flowed into a substrate processing region where the plasma effluents may combine with a nitrogen-containing precursor such as an amine (N:) containing precursor. Reactants thereby produced etch the patterned heterogeneous structures with high titanium oxide selectivity while the substrate is at elevated temperature. Titanium oxide etch may alternatively involve supplying a fluorine-containing precursor and a source of nitrogen-and-hydrogen-containing precursor to the remote plasma. The methods may be used to remove titanium oxide while removing little or no low-K dielectric, polysilicon, silicon nitride or titanium nitride.

Abstract translation: 描述了在异质结构上蚀刻暴露的氧化钛的方法，并且包括由含氟前体形成的远程等离子体蚀刻。 来自远程等离子体的等离子体流出物流入衬底处理区域，其中等离子体流出物可与含氮前体（例如含有胺（N））的前体结合。 由此产生的反应物在衬底处于升高的温度下蚀刻具有高钛氧化物选择性的图案化异质结构。 替代地，氧化钛蚀刻可以包括向远程等离子体供应含氟前体和含氮和氢的前体源。 该方法可用于除去少量或不含低K电介质，多晶硅，氮化硅或氮化钛的氧化钛。

公开(公告)号：WO2012070551A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/JP2011/076851

申请日：2011-11-22

Applicant: 株式会社アルバック ,  吉田 善明 ,  小風 豊

Inventor： 吉田　善明 ,  小風　豊

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/31122 ,  H01L27/101 ,  H01L45/04 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675

Abstract: 　難エッチング性の金属酸化物層を有するメモリ素子の製造装置及び製造方法を提供する。　金属酸化物層１４を化学構造中に塩素を含むエッチングガスと反応させ、塩化物ガスを生成して、真空排気によって除去し、異方性エッチングする。エッチング生成物２５はエッチング中の温度では蒸気圧が低いため、エッチングされた側壁部に付着し、残留する。これらのエッチング生成物２５は水溶性であるので、エッチング後すぐにエッチングした表面を洗浄液と接触させ、エッチング生成物２５を溶解させることにより除去できる。こうして、金属酸化物層１４がパターン形成されたメモリ素子５を得ることができる。

Abstract translation: 提供了一种用于制造具有耐腐蚀性的金属氧化物层的存储元件的制造装置和方法。 金属氧化物层（14）在其化学结构中与氯气的蚀刻气体反应并产生氯化物气体进行各向异性蚀刻，通过真空排气消除。 蚀刻产物（25）粘附到已蚀刻并保留的侧壁部分，因为蚀刻期间的蒸气压低。 这些蚀刻产物（25）是水溶性的; 因此，蚀刻后，蚀刻后的表面与洗涤液接触，蚀刻产物（25）通过溶解而被除去。 因此，可以获得由金属氧化物层（14）形成图案的存储元件（5）。

公开(公告)号：WO2012057127A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：PCT/JP2011/074533

申请日：2011-10-25

Applicant: 株式会社アルバック ,  吉田 善明 ,  小風 豊

Inventor： 吉田　善明 ,  小風　豊

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/332 ,  H01L21/31122

Abstract: 【課題】強誘電体と電極との間のエッチング選択性を高め、強誘電体を高精度にエッチングすることができる誘電体デバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】金属からなる第１の電極層２の上に酸化物からなる誘電体層３を形成し、誘電体層３の上にエッチングマスク５を形成し、フッ化炭素系ガスを主体とするエッチングガスのプラズマによってエッチングマスク５を介して誘電体層３をエッチングすることで、前記第１の電極層を露出させる。

Abstract translation: 本发明提供一种可以提高铁电体与电极之间的蚀刻选择性并进行铁电物质的高精度蚀刻的电介质器件的制造方法。 [解决方案]在由金属形成的第一电极层（2）上形成由氧化物形成的电介质层（3）。 在电介质层（3）上形成蚀刻掩模（5）。 通过蚀刻通过蚀刻掩模（5）进行的介电层（3）暴露第一电极层，使用以氟化碳气体为主要成分的蚀刻等离子体。

公开(公告)号：WO2012026286A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/JP2011/067452

申请日：2011-07-29

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  松岡 孝明 ,  野沢 俊久 ,  堀 敏泰

Inventor： 松岡　孝明 ,  野沢　俊久 ,  堀　敏泰

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3081 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/2041 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122

Abstract: 　被処理基板となるシリコン基板上に、フロロカーボン層を形成する（Ａ）。形成したフロロカーボン層の上に、レジスト層を形成する（Ｂ）。その後、レジスト層に対してフォトレジストによる露光を行って、所定の形状にパターニングを行う（Ｃ）。所定の形状にパターニングしたレジスト層をマスクとして、フロロカーボン層のエッチングを行う（Ｄ）。次に、マスクとしてのレジスト層を除去する（Ｅ）。その後、残ったフロロカーボン層をマスクとして、シリコン基板のエッチングを行う（Ｆ）。フロロカーボン層の１層のみで反射防止膜、およびハードマスクとしての機能を備えるため、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に行うことができる。

Abstract translation: 在作为待处理基板的硅基板上形成碳氟化合物层（步骤A）。 在这样形成的碳氟化合物层上形成抗蚀剂层（步骤B）。 然后，通过用抗蚀剂将抗蚀剂层曝光（步骤C）将抗蚀剂层图案化成预定的形状。 使用图案化为预定形状的抗蚀剂层作为掩模来蚀刻氟碳层（步骤D）。 接下来，除去作为掩模的抗蚀剂层（步骤E）。 之后，使用剩余的氟碳化合物层作为掩模蚀刻硅衬底（步​​骤F）。 由于碳氟化合物层本身用作抗反射膜和硬掩模，因此可以提高处理的可靠性，同时降低成本。