公开(公告)号：WO2013053277A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：PCT/CN2012/081579

申请日：2012-09-19

申请人： 江苏日月照明电器有限公司 ,  格瑞电子(厦门)有限公司 ,  欧阳伟 ,  欧阳杰

发明人： 欧阳伟 ,  欧阳杰

IPC分类号： H05K3/00 ,  H01L21/48 ,  H01L33/00 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  B32B18/00

CPC分类号： B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  C04B2235/76 ,  C23C26/00 ,  C23C28/04 ,  C23C28/30 ,  C23C30/00 ,  H01L21/48 ,  H05K1/053 ,  H05K2201/017

摘要： 本发明公开一种新型铝基板的制造方法，在成型出铝层后，还包括在铝层上进行纳米陶瓷镀膜而形成纳米陶瓷绝缘镀膜层的工序，该纳米陶瓷绝缘镀膜层的厚度=铝基板耐压值/基本耐压值*纳米陶瓷绝缘镀膜层的单位厚度值，所述的纳米陶瓷绝缘镀膜层的单位厚度值指的是预先测得的一个基本耐压值所对应的纳米陶瓷绝缘镀膜层厚度值。本发明在通过在铝层上成型出纳米陶瓷绝缘镀膜层，从而能使得导电层的热量能直接通过纳米陶瓷绝缘镀膜层而传递给铝层而散发出去，如此能大大增加导热效果；并且由于该纳米陶瓷绝缘镀膜层是采用镀膜的方式实现地，其可以根据实际耐压需要而增加厚度，从而确保整个铝基板具有足够的耐压值，即具有安全性能上的保障。

公开(公告)号：WO2012176749A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：PCT/JP2012/065566

申请日：2012-06-19

申请人： 株式会社三徳 ,  国立大学法人北海道大学 ,  松田 基史 ,  室田 忠俊 ,  竹口 竜弥

发明人： 松田　基史 ,  室田　忠俊 ,  竹口　竜弥

IPC分类号： H01M8/02 ,  C01G49/00 ,  H01B1/06 ,  H01M8/12

CPC分类号： H01M8/1016 ,  C01G49/0054 ,  C01G51/68 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/88 ,  C04B35/2641 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/79 ,  H01B1/122 ,  H01M8/1246 ,  Y02E60/521 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

摘要： 　燃料電池の高い起電力及び高い電流・電圧特性を得るのに有用な、イオン伝導性を向上させ、電子導電性を十分抑制しうる水や水酸基のインターカレート量が多い、ＲＰ型構造を有する複合酸化物を用いた固体電解質、固体電解質膜、燃料電池用セル及び燃料電池を提供する。本発明の固体電解質及び固体電解質膜は、ＲＰ型構造を有する特定の複合酸化物又はその膜に対して、水酸化及び水和の少なくとも一方がなされる処理を行なったものであって、２５０℃におけるＴＧ測定による質量に比較して、４００℃におけるＴＧ測定によって得られる質量が４．０％以上減少する物性を示す。

摘要翻译： 提供一种使用提高离子电导率的复合氧化物的固体电解质，其具有用于获得具有充分抑制电子传导性的大量嵌入水和羟基的燃料电池的高电动势和高电流 - 电压特性，以及 具有RP结构，并且还提供固体电解质膜，燃料电池单元和燃料电池。 根据本发明的固体电解质和固体电解质膜是通过对具有RP结构的特定复合氧化物或其膜进行至少羟基化或水合的处理而获得的。 固体电解质和固体电解质膜与通过在250℃下的TG测定获得的质量相比，在400℃下通过TG测定获得的质量比4.0质量％以上显示出物理性质。

公开(公告)号：WO2012175218A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：PCT/EP2012/002646

申请日：2012-06-22

申请人： STRAUMANN HOLDING AG ,  BERNER, Simon ,  BIBUS Joachim ,  BIELI, Heiner ,  KOUNGA, Alain

发明人： BERNER, Simon ,  BIBUS Joachim ,  BIELI, Heiner ,  KOUNGA, Alain

IPC分类号： A61L27/10 ,  A61L27/50 ,  A61C8/00 ,  A61F2/30 ,  A61L27/30

CPC分类号： A61L27/306 ,  A61C13/083 ,  A61L27/10 ,  A61L27/30 ,  A61L27/50 ,  A61L2420/02 ,  C04B35/488 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5007 ,  C04B41/5042 ,  C04B41/85 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9669 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  C04B35/00 ,  C04B35/48 ,  C04B41/4535 ,  C04B2103/001 ,  C04B41/4556

摘要： The present invention relates to a body made of a ceramic material, the body comprising as an integral part thereof a surface region reaching from the surface of the body down to a predetermined depth. According to the invention, the surface region is enriched with a calcium component thereby forming a hydrophilic surface area.

摘要翻译： 本发明涉及由陶瓷材料制成的本体，该主体包括作为其整体部分的从主体表面到达预定深度的表面区域。 根据本发明，表面区域富含钙成分，从而形成亲水表面积。

公开(公告)号：WO2012153645A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：PCT/JP2012/061196

申请日：2012-04-26

申请人： 学校法人同志社 ,  廣田 健 ,  佐藤 英行 ,  柴谷 健伍

发明人： 廣田　健 ,  佐藤　英行 ,  柴谷　健伍

IPC分类号： C04B35/48 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/4885 ,  C04B35/624 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96

摘要： 高強度強靱性ＺｒＯ ２ ‐Ａｌ ２ Ｏ ３ 系固溶体セラミックスの作製法を提供する。 ゾル‐ゲル法を用いてＺｒＯ ２ に対し０．３～１．７ｍｏｌ％Ｙ ２ Ｏ ３ を添加したＺｒＯ ２ ‐２０～３０ｍｏｌ％Ａｌ ２ Ｏ ３ の非晶質固溶体粉体を調製し、得られた非晶質固溶体粉体を結晶化温度以上で仮焼して結晶質のＺｒＯ ２ 固溶体粉体を調製し（工程Ａ）、得られた結晶質のＺｒＯ ２ 固溶体粉体を成形し、次いで、不活性ガス雰囲気下、昇温速度５０℃／ｍｉｎ以上、圧力３０～１００ＭＰａ、焼結温度１２５０～１３５０℃で３～３０分の条件にて焼結する（工程Ｂ）。この際、工程Ｂにおける成形を冷間静水圧プレスで行い、焼結を、アルゴンガス又は窒素ガス雰囲気下でのパルス通電加圧焼結法又は放電プラズマ焼結法により行うことが好ましい。

摘要翻译： 提供一种高强度高韧性ZrO2-Al2O3系固溶陶瓷的制造方法。 使用溶胶 - 凝胶法加入0.3〜1.7mol％的Y 2 O 3，制备无定形ZrO 2 - （20-30mol％Al 2 O 3）固溶体粉末，得到的无定形固溶体粉末在 温度等于或高于结晶温度，由此制备结晶ZrO 2固溶体粉末（步骤A）。 将得到的结晶ZrO 2固溶粉末成形，然后在惰性气体气氛中，在升温速度为50℃/分钟以上，压力为30〜100MPa，烧结温度为1250℃的条件下， -1350℃3-30分钟（步骤B）。 在该方法中，优选通过冷等静压机在步骤B中进行成型，并且在氩或氮气氛中通过脉冲电流加压烧结法或放电等离子体烧结法进行烧结。

公开(公告)号：WO2012096343A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：PCT/JP2012/050487

申请日：2012-01-12

申请人： 株式会社コベルコ科研 ,  南部 旭 ,  岩崎 祐紀 ,  後藤 裕史

发明人： 南部　旭 ,  岩崎　祐紀 ,  後藤　裕史

IPC分类号： C04B35/453 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC分类号： C23C14/086 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： 　表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ 2 ＳｎＯ 4 相を主相とし、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ X Ｓｎ X Ｉｎ Y Ｏ m 相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有すると共に、前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、［Ｉｎ］としたとき、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、それぞれ下式を満足するものである。　［Ｉｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］）＝０．０１～０．２５未満　［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．５０～０．８０　［Ｓｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．２０～０．５０

摘要翻译： 本发明提供一种氧化物烧结体，其可适用于制造显示装置用氧化物半导体膜，该导电性和相对密度高的氧化物烧结体，能够沉积具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜。 该氧化物烧结体通过混合并烧结氧化锌，氧化锡和氧化铟的粉末而获得。 当X射线衍射时，氧化物烧结体具有Zn2SnO4相作为主相，ZnXSnXInYOm相（X，Y和m为整数）为双晶型晶体结构，并且当含量（原子％）为 包含在氧化物烧结体中的金属元素是[Zn]，[Sn]和[In]，[In]相对于[Zn] + [Sn] + [In]的比例，[Zn]和 [Sn]相对于[Zn] + [Sn]的比率分别满足下式。 [In] /（[Zn] + [Sn] + [In]）= 0.01-小于0.25 [Zn] /（[Zn] + [Sn]）= 0.50-0.80 [Sn] /（[Zn] 的Sn]）= 0.20-0.50

公开(公告)号：WO2012081658A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/JP2011/079012

申请日：2011-12-15

申请人： 株式会社トクヤマ ,  国立大学法人東北大学 ,  山根 久典 ,  川野 哲也 ,  吉川 彰 ,  柳田 健之 ,  横田 有為 ,  藤本 裕 ,  福田 健太郎 ,  河口 範明

发明人： 山根　久典 ,  川野　哲也 ,  吉川　彰 ,  柳田　健之 ,  横田　有為 ,  藤本　裕 ,  福田　健太郎 ,  河口　範明

IPC分类号： C09K11/00 ,  C09K11/63 ,  C09K11/68 ,  G01T3/06

CPC分类号： C09K11/57 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C09K11/63 ,  G01T3/06 ,  G21K4/00

摘要： 　【課題】　中性子を感度良く検出することができ、且つ、γ線に由来するバックグラウンドノイズの影響が少ない中性子用シンチレーター並びに当該中性子シンチレーターを使用した中性子検出器を提供する。　【解決手段】　少なくともＭｇ及び２価遷移元素を含むホウ酸塩からなることを特徴とする中性子用シンチレーターである。

摘要翻译： [问题]提供：用于中子的闪烁体，其可以检测到具有高灵敏度的中子，并且很少受来自于背景噪声的影响？ 射线; 以及利用闪烁体进行中子的中子探测器。 [解决方案]一种用于中子的闪烁体，其特征在于包含至少含有Mg和二价过渡元素的硼酸盐。

公开(公告)号：WO2012018988A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：PCT/US2011/046554

申请日：2011-08-04

申请人： BROOKHAVEN SCIENCE ASSOCIATES, LLC ,  SOLOVYOV, Vyacheslav ,  LI, Qiang

发明人： SOLOVYOV, Vyacheslav ,  LI, Qiang

IPC分类号： C04B35/45 ,  C01F1/00 ,  C04B35/01 ,  C01B13/00 ,  C01G3/00 ,  H01L39/00

CPC分类号： H01L39/126 ,  B82Y30/00 ,  C01G3/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4504 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3282 ,  C04B2235/76 ,  H01L39/2422 ,  H01L39/2451 ,  H01L39/2461 ,  H01L39/2464

摘要： Catalytically active (001) ceria substrates or buffers are used to modify the structure of the epitaxial high temperature superconductor YBa 2 Cu 3 O 7 . The catalytically active substrate has a small lateral grain size, typically less than 50 nm, to provide a high density of nucleation sites, at some of which nucleate a previously unknown metastable phase. The modification is achieved by catalytically assisted synthesis of the metastable phase. The new phase, a long-period (3.5-nm) perovskite, intercalates into the YBa 2 Cu 3 O 7 matrix without negatively affecting the critical temperature of the film. Analysis of electron microscopy and synchrotron X-ray diffraction data allow identification of the phase as a long-period YBa 2 Cu 3 O 7 derivative formed through short-range cation displacement. The films, from about 100-nm to about 1000-nm thick, exhibit strong enhancement of the critical current density, reaching a maximum of approximately 4.2 MA/cm 2 at 77 K.

摘要翻译： 使用催化活性（001）二氧化铈底物或缓冲液来改变外延高温超导体YBa2Cu3O7的结构。 催化活性底物具有通常小于50nm的小的横向晶粒尺寸，以提供高密度的成核位点，其中某些核成核可以形成先前未知的亚稳相。 该修饰通过催化辅助合成亚稳相来实现。 新相，长周期（3.5nm）钙钛矿，嵌入到YBa2Cu3O7基体中，而不会对薄膜的临界温度产生不利影响。 电子显微镜和同步加速器X射线衍射数据的分析可以将相位识别为通过短程阳离子置换形成的长周期YBa2Cu3O7衍生物。 约100nm至约1000nm厚的膜表现出强烈的临界电流密度增强，在77K时达到最大约4.2MA / cm 2。

公开(公告)号：WO2011023372A3

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：PCT/EP2010005194

申请日：2010-08-25

申请人： UHDE GMBH ,  SCHIRRMEISTER STEFFEN ,  LANGANKE BERND ,  SCHIESTEL THOMAS ,  HOTING BJOERN ,  BORSIG PROCESS HEAT EXCHANGER GMBH

发明人： SCHIRRMEISTER STEFFEN ,  LANGANKE BERND ,  SCHIESTEL THOMAS ,  HOTING BJOERN

IPC分类号： C03C3/068 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/06 ,  C03C8/24 ,  C03C10/04 ,  C04B37/02

CPC分类号： C04B37/025 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/06 ,  C03C8/24 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/76

摘要： The invention relates to high-temperature resistant crystallizing solder glasses which contain 20-45 mol% of BaO, 40-60 mol% of SiO2, 0-30 mol% of ZnO, 0-10 mol% of AI2O3, 0-5 mol% of BaF2, 0-2 mol% of MgO, 0-2 mol% of CaO, 0-2 mol% of TiO2, 0-10 mol% of B2O3, as well as 0,5-4 mol% of M2O3 (M = Y, La or rare earth elements) and/or 0.5-4 mol% of ZrO2, and to the use thereof.

摘要翻译： 本发明包括一种耐高温的晶化玻璃焊料，20-45摩尔％的BaO，40-60摩尔％的SiO 2，0-30摩尔％的ZnO，0-10摩尔％氧化铝，0-5摩尔％的氟化钡的，0-2摩尔％的 的MgO，0-2摩尔％的CaO，0-2摩尔％的TiO 2，0-10摩尔％B 2 O 3，和0.5-4摩尔％的M 2 O（M = Y，La和稀土金属），和/或0.5-4摩尔 ％ZrO2及其用途。

公开(公告)号：WO2011040028A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：PCT/JP2010/005885

申请日：2010-09-30

申请人： 出光興産株式会社 ,  矢野公規 ,  川嶋浩和 ,  糸瀬将之 ,  井上一吉

发明人： 矢野公規 ,  川嶋浩和 ,  糸瀬将之 ,  井上一吉

IPC分类号： C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 　Ｉｎ（インジウム元素）、Ｇａ（ガリウム元素）及びＺｎ（亜鉛元素）を含み、酸素元素を除く全元素に対する、Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎの合計含有率が９５原子％以上であり、Ｉｎ ２ Ｏ ３ で表されるビックスバイト構造を示す化合物と、ＺｎＧａ ２ Ｏ ４ で表されるスピネル構造を示す化合物とを含む、酸化物焼結体。

摘要翻译： 含有In（元素铟），Ga（元素镓）和Zn（元素锌）的烧结氧化物，其总含量In，Ga和Zn相对于烧结体中所含的元素总量为95原子％以上 氧化物，不包括元素氧，并且包含由下式表示的化合物：In 2 O 3并具有双峰结构和由下式表示的化合物：ZnGa 2 O 4并具有尖晶石结构。

公开(公告)号：WO2010151468A3

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：PCT/US2010038877

申请日：2010-06-16

申请人： BALAGOPAL SHEKAR ,  FLINDERS MARC ,  CERAMATEC INC

发明人： BALAGOPAL SHEKAR ,  FLINDERS MARC

IPC分类号： C04B35/01 ,  B01D17/06 ,  B01D71/02 ,  C04B35/14 ,  C04B35/447

CPC分类号： C04B35/16 ,  C01B25/38 ,  C04B35/19 ,  C04B35/462 ,  C04B35/481 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/9692 ,  H01M10/054

摘要： Metal ion conducting ceramic materials are disclosed having characteristics of high ion conductivity for certain alkali and monovalent metal ions at low temperatures, high selectivity for the metal ions, good current efficiency and stability in water and corrosive media under static and electrochemical conditions. The metal ion conducting ceramic materials are fabricated to be deficient in the metal ion. One general formulation of the metal ion conducting ceramic materials is Me1+x+y-zMIII yMIV 2-ySixP3-xO12-z/2, wherein Me is Na+, Li+, K+, Rb+, Cs+, Ag+, or mixtures thereof, 2.0 = x = 2.4, 0.0 = y = 1.0, and 0.05 = z = 0.9, where MIII is Al3+, Ga3+, Cr3+, Sc3+, Fe3+, In3+, Yb3+, Y3+, or mixtures thereof and MIV is Ti4+, Zr4+, Hf4+, or mixtures thereof.

摘要翻译： 公开了金属离子传导陶瓷材料，其在低温下对于某些碱金属离子和一价金属离子具有高离子传导性，对于金属离子具有高选择性，在静态和电化学条件下具有良好的电流效率以及在水中和腐蚀性介质中的稳定性。 金属离子导电陶瓷材料被制造为缺乏金属离子。 金属离子导电陶瓷材料的一般公式是Me1 + x + y-zMIII yMIV 2-ySixP3-xO12-z / 2，其中Me是Na +，Li +，K +，Rb +，Cs +，Ag +或其混合物，2.0 = x = 2.4,0.0 = y = 1.0，0.05 = z = 0.9，其中M III为Al3 +，Ga3 +，Cr3 +，Sc3 +，Fe3 +，In3 +，Yb3 +，Y3 +或其混合物，MIV为Ti4 +，Zr4 +，Hf4 + 它们。