公开(公告)号：WO01098212A1

公开(公告)日：2001-12-27

申请号：PCT/JP2001/005069

申请日：2001-06-14

IPC: C01B13/14 ,  C01G1/00 ,  C01G29/00 ,  C01G35/00 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/624 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L41/187 ,  H01L41/317 ,  H01L41/318 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/624 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: A method for preparing a ceramic film, which comprises a step of forming a ceramic film (30) through crystallizing a raw material (20), wherein the raw material (20) contains different types of materials in a mixed state, which are different from each other with respect to at least one of the condition for crystal growth and the mechanism of crystal growth. The method can be used for improving the morphology of the surface of a ceramic film.

Abstract translation: 一种制备陶瓷膜的方法，包括通过使原料（20）结晶形成陶瓷膜（30）的步骤，其中所述原料（20）含有混合状态的不同类型的材料，其不同于 相对于晶体生长的条件和晶体生长的机理中的至少一个。 该方法可用于改善陶瓷膜表面的形态。

公开(公告)号：WO01084561A2

公开(公告)日：2001-11-08

申请号：PCT/US2001/014296

申请日：2001-05-03

IPC: C04B35/46 ,  C01G49/00 ,  C04B35/26 ,  C04B35/45 ,  C04B35/475 ,  G11C11/22 ,  H01B1/00 ,  H01B3/12 ,  H01L21/316 ,  H01B3/00

CPC classification number: C01G49/009 ,  C01P2002/77 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/2666 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/768 ,  H01L21/31691

Abstract: This invention provides the novel dielectric BiCu3Ti3FeO12. BiCu3Ti3FeO12 provides good dielectric tunability and low loss over a frequency range of from 10 kHz to 10 MHz and is especially useful in tunable devices such as phase shifters, matching networks, oscillators, filters, resonators, and antennas comprising interdigital and trilayer capacitors, coplanar waveguides and microstrips.

Abstract translation: 本发明提供了新颖的电介质BiCu3Ti3FeO12。 BiCu3Ti3FeO12在10 kHz至10 MHz的频率范围内提供良好的介电可调性和低损耗，特别适用于可调谐器件，如移相器，匹配网络，振荡器，滤波器，谐振器，以及包括交叉指向和三层电容器的共面波导 和微带。

公开(公告)号：WO2018088517A1

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：PCT/JP2017/040576

申请日：2017-11-10

Applicant: 日本化学工業株式会社

Inventor： 田邉　信司 ,  國田　肇

IPC: C01G29/00 ,  C04B35/475 ,  H01L41/37 ,  H01L41/43

CPC classification number: C01G29/00 ,  C04B35/475 ,  H01L41/37 ,  H01L41/43

Abstract: ビスマス化合物と、アルカリ化合物と、チタン化合物と、を、原子換算で、Ｔｉのモル数に対するＢｉ及びアルカリ金属元素Ａの合計モル数の比（（Ｂｉ＋Ａ）／Ｔｉ）が０．９９０～１．０００となる量で乾式混合して、第一焼成原料を調製する第一工程と、該第一焼成原料を、５００～７００℃で焼成して、第一焼成物を得る第二工程と、該第一焼成物に、ビスマス化合物及びアルカリ化合物のうちいずれか一方又は両方を、原子換算で、Ｔｉのモル数に対するＢｉ及びアルカリ金属元素Ａの合計モル数の比（（Ｂｉ＋Ａ）／Ｔｉ）が０．９９５～１．００５となる量で、乾式混合して、第二焼成原料を調製する第三工程と、該第二焼成原料を、５００～９００℃で焼成して、前記一般式（１）で表される複合チタン酸化物を得る第四工程と、を有する複合チタン酸化物の製造方法。

Abstract translation:

铋化合物，和碱化合物，钛化合物的总摩尔数，在原子来讲，碧到Ti和碱金属元素A的摩尔数（的（Bi + A）/ Ti）的 在0.990〜1.000的范围内调制第1烧成原料，在500〜700℃下烧成第1烧成原料，得到第1烧成品 所述获得，在第二步骤中第一煅烧产品，那么任一个或两者铋化合物和碱化合物的，在原子而言，与Ti的摩尔数的Bi和碱金属元素的摩尔数的总数（（ 在碧+ A）/ Ti的量）是从0.995至1.005，以及干混，并制备第二烧制材料的第三步骤，所述第二烧成的原料，并在500〜900℃烧成 由通式（1）表示的复合氧化钛， 用于生产具有第四步骤中，一个复合钛氧化物的方法。

公开(公告)号：WO2017025505A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：PCT/EP2016/068877

申请日：2016-08-08

Applicant: CERAMTEC GMBH

Inventor： SCHREINER, Hans-Jürgen ,  EINHELLINGER-MÜLLER, Tanja ,  ASSMANN, Friederike

IPC: C04B35/626 ,  C04B35/462 ,  C04B35/495

CPC classification number: C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3298

Abstract: Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Keramiken mit piezoelektrischen Eigenschaften in überwiegend wässrigen Suspensionsmitteln.

Abstract translation: 本发明是一种生产具有在主要为水性的悬浮剂压电特性的陶瓷的方法。

公开(公告)号：WO2014116244A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：PCT/US2013/023369

申请日：2013-01-28

Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

Inventor： PATTERSON, Eric A. ,  CANN, David ,  MARDILOVICH, Peter

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/495 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/1878 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/462 ,  C04B35/465 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3298 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1873

Abstract: A lead-free piezoelectric ceramic material has the general chemical formula xBiCoO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3-z(Bi0.5K0.5)TiO3, xBiCoO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3-zNaNbO3, xBiCoO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3-zKNbO3, xBiCoO3-yBi(Mg0.5Ti0.5)O3-z(Bi0.5Na0.5)TiO3, xBiCoO3-yBaTiO3-z(Bi0.5Na0.5)TiO3, or xBiCoO3-yNaNbO3-zKNbO3;wherein x+y+z=1, and x, y, z ≠0.

Abstract translation: 无铅压电陶瓷材料具有通用化学式xBiCoO3-y（Bi0.5Na0.5）TiO3-z（Bi0.5K0.5）TiO3，xBiCoO3-y（Bi0.5Na0.5）TiO3-zNaNbO3，xBiCoO3- y（Bi0.5Na0.5）TiO3-zKNbO3，xBiCoO3-yBi（Mg0.5Ti0.5）O3-z（Bi0.5Na0.5）TiO3，xBiCoO3-yBaTiO3-z（Bi0.5Na0.5）TiO3或xBiCoO3 -yNaNbO3-zKNbO3;其中x + y + z = 1，x，y，z≠0。

公开(公告)号：WO2014030293A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/JP2013/004479

申请日：2013-07-23

Applicant: 国立大学法人東京工業大学

Inventor： 東　正樹 ,  岡　研吾 ,  坂口　智可 ,  奈部谷　光一郎 ,  村松　裕也

IPC: C01G53/00 ,  C04B35/00 ,  C04B35/626

CPC classification number: C04B35/44 ,  C01G53/40 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/54 ,  C01P2006/32 ,  C04B35/01 ,  C04B35/016 ,  C04B35/105 ,  C04B35/26 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/9607

Abstract: 　ある態様の負熱膨張性材料は、下記一般式（１）で表される化合物を含む。 ＢｉＮｉ １－ｘ Ｍ ｘ Ｏ ３ ・・・（１） （１）式中、Ｍは３価が安定な金属元素である。また、（１）式中、ｘは０．０２≦ｘ≦０．５０を満たす。

Abstract translation: 负热膨胀材料的一个实施方案包括由通式（1）表示的化合物。 BiNi1-xMxO3 ...（1）在式（1）中，M是在三价态下稳定的金属元素。 另外，在式（1）中，x满足0.02 <= x <= 0.50。

公开(公告)号：WO2013114794A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：PCT/JP2013/000145

申请日：2013-01-16

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 田中　良明 ,  張替　貴聖 ,  足立　秀明 ,  藤井　映志

IPC: H01L41/187 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  G01C19/5628 ,  H01L41/09 ,  H01L41/107 ,  H01L41/39

CPC classification number: H02N2/18 ,  B32B18/00 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/14233 ,  C04B35/462 ,  C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/787 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C30B23/02 ,  C30B29/22 ,  G01C19/56 ,  G01C19/5607 ,  G01C19/5628 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/113 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1136 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/316 ,  H02N2/186 ,  Y10T428/12667

Abstract: 　本発明は、高い結晶配向性、低い誘電損失、高い分極消失温度、高い圧電定数、ならびに印加電界および歪み量の間の高い線形性を有する非鉛圧電体膜を提供する。本発明は、以下を具備する圧電体膜である。本発明は、圧電体膜であって、以下を具備する：（００１）面配向のみを有するＮａ ｘ Ｌａ １－ｘ＋ｙ Ｎｉ １－ｙ Ｏ ３－ｘ 層、および（００１）面配向のみを有する（１－α）（Ｂｉ，Ｎａ，Ｂａ）ＴｉＯ ３ ―αＢｉＱＯ ３ 層。前記（１－α）（Ｂｉ，Ｎａ，Ｂａ）ＴｉＯ ３ ―αＢｉＱＯ ３ 層は、前記Ｎａ ｘ Ｌａ １－ｘ＋ｙ Ｎｉ １－ｙ Ｏ ３－ｘ 層上に形成されている。Ｑは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ ０．５ Ｔｉ ０．５ 、またはＭｇ ０．５ Ｔｉ ０．５ を表す。ｘは０．０１以上０．０５以下の値を表す。ｙは０．０５以上０．２０以下の値を表す。αは０．２０以上０．５０以下の値を表す。

Abstract translation: 本发明提供了具有高结晶取向，低介电损耗，高极化消失温度，高压电常数和施加的电场与应变量之间的高线性度的无铅压电膜。 本发明是一种具有下述部件的压电薄膜。 本发明是一种包含以下组分的压电薄膜：仅具有（001）平面取向的NaxLa1-x + yNi1-yO3-x层; 和仅具有（001）平面取向的（1-α）（Bi，Na，Ba）TiO 3 -AlBiQO 3层。 在NaxLa1-x + yNi1-yO3-x层上形成（1-α）（Bi，Na，Ba）TiO3-αBiQO3层。 Q表示Fe，Co，Zn0.5Ti0.5或Mg0.5Ti0.5。 x表示0.01〜0.05的值。 y表示0.05〜0.20的值。 α表示0.20〜0.50的值。

公开(公告)号：WO2012013956A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：PCT/GB2011/051356

申请日：2011-07-19

Applicant: UNIVERSITY OF LEEDS ,  BELL, Andrew, John ,  COMYN, Timothy

Inventor： BELL, Andrew, John ,  COMYN, Timothy

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24

CPC classification number: H01L41/1878 ,  C04B35/26 ,  C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/766 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  H01L41/187 ,  H01L41/43

Abstract: The present invention relates to a ceramic comprising (or consisting essentially of) a solid solution containing Bi, K, Ti and Fe (and optionally Pb) which exhibits piezoelectric behaviour.

Abstract translation: 本发明涉及一种包含（或基本上由其组成）的含有Bi，K，Ti和Fe（和任选的Pb）的固体的陶瓷，其表现出压电性能。

公开(公告)号：WO2011111643A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：PCT/JP2011/055154

申请日：2011-02-28

Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA ,  TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY ,  SOPHIA UNIVERSITY ,  KUBOTA, Makoto ,  MIURA, Kaoru ,  YABUTA, Hisato ,  WATANABE, Takayuki ,  HAYASHI, Jumpei ,  FUNAKUBO, Hiroshi ,  YAMADA, Tomoaki ,  YASUI, Shintaro ,  YAZAWA, Keisuke ,  UCHIDA, Hiroshi ,  NAGATA, Jyunichi

Inventor： KUBOTA, Makoto ,  MIURA, Kaoru ,  YABUTA, Hisato ,  WATANABE, Takayuki ,  HAYASHI, Jumpei ,  FUNAKUBO, Hiroshi ,  YAMADA, Tomoaki ,  YASUI, Shintaro ,  YAZAWA, Keisuke ,  UCHIDA, Hiroshi ,  NAGATA, Jyunichi

IPC: H01L41/18 ,  C04B35/01

CPC classification number: H01L41/18 ,  C04B35/01 ,  C04B35/016 ,  C04B35/2625 ,  C04B35/44 ,  C04B35/453 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6325 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/316 ,  H01L41/318 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

Abstract: Provided is a Bi-based piezoelectric material having good piezoelectric properties. The piezoelectric material includes a perovskite-type metal oxide represented by the general formula A x (Zn j Ti (1-j) ) 1 (Mg k Ti (1-k) ) m M n O 3 , where A represents Bi, optionally containing one or more elements selected from the group consisting of trivalent metal elements; M represents at least one kind of an element selected from the group consisting of Fe, Al, Sc, Mn, Y, Ga, and Yb; and 0.9 ≤x≤1.25, 0.4≤j≤0.6, 0.4≤k≤0.6, 0.09≤1≤0.49, 0.19≤m≤0.64, 0.13≤n≤0.48, and 1+m+n=1 are satisfied.

Abstract translation: 提供具有良好的压电性能的Bi基压电材料。 压电材料包括由通式Ax（ZnjTi（1-j））1（MgkTi（1-k））mMnO 3表示的钙钛矿型金属氧化物，其中A表示Bi，任选地含有一种或多种选自 由三价金属元素组成; M表示选自Fe，Al，Sc，Mn，Y，Ga和Yb中的至少一种元素; 并且0.9 = x = 1.25,0.4 = j = 0.6,0.4 = k = 0.6,0.09 = 1 = 0.49,0.19 = m = 0.64,0.13 = n = 0.48，并且1 + m + n = 1。

公开(公告)号：WO2010047049A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：PCT/JP2009/005121

申请日：2009-10-02

Applicant: パナソニック株式会社 ,  張替貴聖 ,  足立秀明 ,  藤井映志

Inventor： 張替貴聖 ,  足立秀明 ,  藤井映志

IPC: H01L41/09 ,  C23C14/08 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24

CPC classification number: C23C14/08 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  G01C19/5607 ,  G01C19/5642 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 　鉛を含有しない強誘電材料を含む圧電体薄膜であって、ＰＺＴと同レベルの高い圧電性能を示す圧電体薄膜とその製造方法とを提供する。本発明の圧電体薄膜は、（１００）の面方位を有する金属電極膜と、（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ 3 膜と、（００１）の面方位を有する（Ｂｉ，Ｎａ，Ｂａ）ＴｉＯ 3 膜とが、この順に積層された積層構造を有する。本発明の圧電体薄膜は、幅広い分野および用途に適用可能であり、例えば、本発明の圧電体薄膜によって、センサ感度に優れる本発明の角速度センサならびに発電特性に優れる圧電発電素子を構築できる。

Abstract translation: 提供一种由不含铅的铁电材料形成的压电薄膜，其表现出与PZT相同水平的高压电性能。 还公开了一种制造压电薄膜的方法。 压电薄膜具有由具有平面方向（100），（Bi，Na）TiO 3膜和（Bi，Na，Ba）TiO 3膜的平面方向（001）的金属电极膜形成的层叠结构， 按照这个顺序分层。 压电薄膜可以应用于广泛的领域。 例如，可以使用压电薄膜来构成具有优异感度的角速度传感器和具有优异的发电特性的压电元件。