公开(公告)号：WO2016154227A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：PCT/US2016/023634

申请日：2016-03-22

申请人： INSILIXA, INC.

发明人： HASSIBI, Arjang ,  JIRAGE, Kshama ,  MANICKAM, Arun ,  MILANINIA, Kaveh

IPC分类号： B01L3/00 ,  C12Q1/68 ,  C40B30/04 ,  G01N33/48 ,  H01L21/302

CPC分类号： C12Q1/6837 ,  C12Q2527/107 ,  C12Q2565/101 ,  C12Q2565/607

摘要： The present disclosure provides methods and devices for simultaneous identification of a plurality of target nucleic acid sequences in a single sample chamber that includes an addressable array of nucleic acid probes attached to a solid surface. Addressable signals can be generated and measured, in real-time, upon hybridization of target sequences at the individual probe locations within the array while the temperature of the system is varied. Such generated signals, as a function of temperature, can then be used to compute the properties of nucleic acid hybridization at each addressable location which is ultimately utilized to estimate the sequence of the target nucleic acids. In particular, an integrated semiconductor biosensor array device can be used to measure the addressable signals.

摘要翻译： 本公开提供用于在单个样品室中同时鉴定多个靶核酸序列的方法和装置，其包括连接到固体表面的可寻址阵列的核酸探针。 当系统的温度变化时，可以在阵列内各个探针位置处的靶序列杂交时，实时产生和测量可寻址信号。 然后可以将这样产生的信号作为温度的函数来计算在每个可寻址位置处的核酸杂交的性质，其最终用于估计靶核酸序列。 特别地，可以使用集成半导体生物传感器阵列器件来测量可寻址信号。

公开(公告)号：WO2016079984A1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：PCT/JP2015/005743

申请日：2015-11-17

申请人： 学校法人関西学院 ,  東洋炭素株式会社

发明人： 金子　忠昭 ,  芦田　晃嗣 ,  久津間　保徳 ,  鳥見　聡 ,  篠原　正人 ,  寺元　陽次 ,  矢吹　紀人 ,  野上　暁

IPC分类号： C30B33/12 ,  C30B29/36 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/30621 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

摘要： ステップバンチングの発生の有無又は発生するステップバンチングの種類を制御可能なＳｉＣ基板（４０）の表面処理方法を提供する。Ｓｉ蒸気圧下でＳｉＣ基板（４０）を加熱することで当該ＳｉＣ基板（４０）の表面をエッチングする表面処理方法において、少なくともエッチング速度に基づいて定まるエッチングモードと、エッチング深さと、を制御してＳｉＣ基板（４０）のエッチングを行うことで、エッチング処理後のＳｉＣ基板（４０）の表面形状を制御する。

摘要翻译： 提供了一种用于SiC衬底（40）的表面处理方法，该方法能够控制是否生成步骤聚束和产生的步骤聚束的类型。 该表面处理方法通过在Si蒸汽压下加热SiC衬底（40）来蚀刻SiC衬底（40）的表面，其中至少基于蚀刻速率确定蚀刻模式和蚀刻深度， 被控制以蚀刻SiC衬底（40），从而控制蚀刻后的SiC衬底（40）的表面形状。

公开(公告)号：WO2016058175A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/CN2014/088812

申请日：2014-10-17

申请人： ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.

发明人： JIA, Zhaowei ,  XIAO, Dongfeng ,  WANG, Jian ,  WANG, Hui

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865

摘要： The present invention provides a barrier layer removal method, wherein the barrier layer includes at least one layer of ruthenium or cobalt, the method comprising: removing the barrier layer including ruthenium or cobalt formed on non-recessed areas of a semiconductor structure by thermal flow etching. The present invention further provides a semiconductor structure forming method, comprising: providing a semiconductor structure which includes a dielectric layer, a hard mask layer formed on the dielectric layer, recessed areas formed on the hard mask layer and the dielectric layer, a barrier layer including at least one layer of ruthenium or cobalt formed on the hard mask layer, sidewalls of the recessed areas and bottoms of the recessed areas, a metal layer formed on the barrier layer and filling the recessed areas; removing the metal layer formed on the non-recessed areas and the metal in the recessed areas, and remaining a certain amount of metal in the recessed areas; removing the barrier layer including ruthenium or cobalt formed on the non-recessed areas, and the hard mask layer by thermal flow etching.

摘要翻译： 本发明提供一种阻挡层去除方法，其中阻挡层包括至少一层钌或钴，该方法包括：通过热流蚀刻去除在半导体结构的非凹陷区域上形成的包含钌或钴的阻挡层 。 本发明还提供一种半导体结构形成方法，包括：提供包括电介质层，形成在电介质层上的硬掩模层，形成在硬掩模层和电介质层上的凹陷区域的半导体结构，包括 形成在硬掩模层上的至少一层钌或钴层，凹陷区域的侧壁和凹陷区域的底部，形成在阻挡层上并填充凹陷区域的金属层; 去除形成在非凹陷区域上的金属层和凹陷区域中的金属，并且在凹陷区域中保留一定量的金属; 通过热流蚀刻去除包括形成在非凹陷区域上的钌或钴的阻挡层和硬掩模层。

公开(公告)号：WO2016056300A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：PCT/JP2015/072827

申请日：2015-08-12

申请人： 関東電化工業株式会社

发明人： 高橋　至直 ,  加藤　惟人

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135

摘要： 　薄膜形成時に対象基板等の目的物に対して、効率よく精密加工することができ、また当該対象基板等の目的物以外に堆積もしくは付着したケイ素系化合物をプラズマレスエッチングにより効率よく除去することができるエッチングガス組成物及びエッチング方法を提供する。　（１）ＸＦ（ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩ）で示されるフッ化ハロゲン化合物を主成分として含み、さらに、（２）Ｆ ２ と、（３）ＸＦ ｎ （ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩ、ｎは３以上の整数）で示されるフッ化ハロゲン化合物と、（４）ＨＦと、（５）Ｏ ２ と、（６）Ｃｌ ２ 、Ｂｒ ２ 、及びＩ ２ より選択される１種以上のハロゲンガス単体と、を含むことを特徴とするエッチングガス組成物。

摘要翻译： 提供了一种蚀刻气体组合物和蚀刻方法，其能够在薄膜形成期间有效地精细加工诸如待蚀刻的基板等物体，并且能够有效地除去积聚或粘附的硅基化合物，除了 通过等离子体蚀刻等被蚀刻对象物。 蚀刻气体组合物的特征在于：（1）由XF（X为Cl，Br或I）表示的氟化卤素化合物作为主要成分;（2）F2;（3）由XFn（X 是Cl，Br或I，n是3或更高的整数）; （4）HF; （5）O2; 和（6）选自Cl2，Br2和I2中的至少一种类型的卤素气体分子。

公开(公告)号：WO2015191847A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/US2015/035317

申请日：2015-06-11

申请人： PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE

发明人： LIEBER, Charles, M. ,  MANKIN, Max, Nathan ,  DAY, Robert ,  GAO, Ruixuan

IPC分类号： B82Y40/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/36 ,  H01L29/66 ,  H01L29/775

CPC分类号： H01L21/02433 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/68 ,  H01L29/775 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/932

摘要： Nanoscale wires, and to systems and methods of producing nanoscale wires comprising facet-specific deposition on semiconductor surfaces. A first surface of a nanoscale wire, or a semiconductor, is preferentially oxidized relative to a second surface, and material is preferentially deposited on the second surface relative to the first surface. For example, the nanoscale wire or semiconductor may be a silicon nanowire that is initially exposed to an etchant to remove silicon oxide, then exposed to an oxidant under conditions such that one facet or surface (e.g., a [ 113 ] facet) is oxidized more quickly than another facet or surface (e.g., a [ 111 ] facet). Material may then be deposited or immobilized on the less-oxidized facet relative to the more-oxidized facet. Articles are made thereby, wherein devices containing such nanoscale wires or semiconductors, kits involving such nanoscale wires or semiconductors, semiconductor surfaces, or the like.

摘要翻译： 纳米线，以及生产纳米线的系统和方法，其包括在半导体表面上的刻面特异性沉积。 纳米尺度线或半导体的第一表面相对于第二表面优先被氧化，并且材料相对于第一表面优先沉积在第二表面上。 例如，纳米线或半导体可以是最初暴露于蚀刻剂以去除氧化硅的硅纳米线，然后在使得一个面或表面（例如，[113]面）被氧化更多的条件下暴露于氧化剂 快速地比另一个小面或表面（例如，[111]面）。 然后可以将材料相对于更加氧化的刻面沉积或固定在较少氧化的面上。 由此制成制品，其中包含这种纳米尺寸线或半导体的装置，涉及这种纳米尺寸线或半导体的套件，半导体表面等。

公开(公告)号：WO2015147038A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2015/059086

申请日：2015-03-25

申请人： 株式会社日立国際電気

发明人： 柳沢　愛彦 ,  野内　英博

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683 ,  C23C16/44

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/68742

摘要： 少なくとも表面の一部にシリコン膜が形成された基板を処理する処理室と、前記基板に載置する基板載置部を昇降させる昇降機構と、ハロゲン元素を含む処理ガスを前記基板に供給する第１ガス供給系と、前記処理ガスを前記処理室外に排出するための不活性ガスを前記基板に供給する第２ガス供給系と、前記処理ガス及び前記不活性ガスを排気するために、前記処理室の側壁近傍に設けられた排気部と、前記基板載置部と前記排気部との高さを調整した状態で、前記処理ガスを供給し、前記処理ガス供給後、前記不活性ガスが前記基板の上部から前記基板の中心部に供給され、前記不活性ガスが前記基板の表面を前記基板の中心部から前記基板の端部まで放射状に流れ、前記排気部を介して前記処理室外に排出されるように、前記昇降機構、前記第１ガス供給系及び前記第２ガス供給系を制御する制御部と、を有する構成が提供される。

摘要翻译： 提供一种结构，其具有：处理室，用于处理在其表面的至少一部分上形成有硅膜的基板; 用于提升衬底放置单元的提升机构，其上将放置衬底; 向所述基板供给含卤素处理气体的第一气体供给系统; 第二气体供给系统，向所述基板供给用于将所述处理气体排出到所述处理室的外部的惰性气体; 气体释放单元，其设置在处理室的侧壁附近，用于释放处理气体和惰性气体; 以及控制单元，其控制提升机构，第一气体供给系统和第二气体供给系统，使得在调整基板放置单元和气体释放单元的高度的状态下，处理气体为 在供给处理气体之后，惰性气体从基板的上部供给到基板的中央部，惰性气体从基板的中心部向基板的表面径向流动到端部 并且惰性气体通过气体释放单元排出到处理室的外部。

公开(公告)号：WO2014208365A2

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/JP2014065736

申请日：2014-06-13

申请人： TOKYO ELECTRON LTD

发明人： TOZAWA SHIGEKI ,  OGIWARA TOMOAKI

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： This etching method has: a transforming step in which a mixed gas is supplied to the surface of a silicon oxide film, and the silicon oxide film is transformed to generate a reaction product; and a heating step in which the reaction product is heated and removed. The transforming step has a first transforming step in which a mixed gas containing a basic gas and a halogen-containing gas is supplied to the surface of the silicon oxide film, and a second transformation step in which the supply of the basic gas is stopped and a mixed gas containing the halogen-containing gas is supplied to the surface of the silicon oxide film.

摘要翻译： 该蚀刻方法具有：向氧化硅膜的表面供给混合气体，转化氧化硅膜而生成反应产物的变换工序; 和加热步骤，其中加热和除去反应产物。 变换步骤具有第一变换步骤，其中含有碱性气体和含卤素气体的混合气体被供应到氧化硅膜的表面，以及第二转化步骤，其中碱性气体的供应停止， 含有含卤素气体的混合气体被供给到氧化硅膜的表面。

公开(公告)号：WO2014179078A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：PCT/US2014/034370

申请日：2014-04-16

申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

发明人： BASSOM, Neil J.

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/263 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01J37/32853 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/32981

摘要： A self-cleaning radio frequency (RF) plasma source for a semiconductor manufacturing process is described. Various examples provide an RF plasma source comprising an RF antenna and a rotatable dielectric sleeve disposed around the RF antenna. The dielectric is positioned between a process chamber and cleaning chamber such that portions of the surface of the dielectric may be exposed to either the process chamber or the cleaning chamber. As material is deposited on the outer surface of the dielectric in the process chamber, the dielectric sleeve is rotated so that the portion containing the buildup is exposed to the cleaning chamber. A sputtering process in the cleaning chamber removes the buildup from the surface of the sleeve. The dielectric sleeve is then rotated so that it exposed to the process chamber. Other embodiments are disclosed and claimed.

摘要翻译： 描述了用于半导体制造工艺的自清洁射频（RF）等离子体源。 各种示例提供了RF等离子体源，其包括设置在RF天线周围的RF天线和可旋转介质套筒。 电介质位于处理室和清洁室之间，使得电介质的表面的一部分可以暴露于处理室或清洁室中。 当材料沉积在处理室中的电介质的外表面上时，电介质套筒被旋转，使得包含积聚物的部分暴露于清洁室。 在清洁室中的溅射工艺从套筒的表面去除积聚。 然后使电介质套筒旋转，使其暴露于处理室。 公开和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：WO2014160467A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/US2014/026732

申请日：2014-03-13

申请人： INTERMOLECULAR, INC.

发明人： LIMDULPAIBOON, Ratsamee ,  LANG, Chi-I ,  NIYOGI, Sandip ,  WATANABE, J.

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76864 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14698 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786

摘要： Methods and apparatus for processing using a remote plasma source are disclosed. The apparatus includes an outer chamber enclosing a substrate support, a remote plasma source, and a showerhead. A substrate heater can be mounted in the substrate support. A transport system moves the substrate support and is capable of positioning the substrate. The plasma system may be used to generate activated hydrogen species. The activated hydrogen species can be used to etch/clean semiconductor oxide surfaces such as silicon oxide or germanium oxide.

摘要翻译： 公开了使用远程等离子体源的处理方法和装置。 该装置包括封闭衬底支撑件，远程等离子体源和喷头的外室。 基板加热器可以安装在基板支撑件中。 运输系统移动基板支撑件并且能够定位基板。 等离子体系统可用于产生活性氢物质。 活化的氢物质可用于蚀刻/清洁半导体氧化物表面，例如氧化硅或氧化锗。

公开(公告)号：WO2014141664A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/JP2014/001302

申请日：2014-03-07

申请人： 国立大学法人名古屋大学

发明人： 林　俊雄 ,  田嶋　聡美 ,  石川　健治 ,  堀　勝

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/0209 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

摘要： 【課題】　プラズマ発生装置を用いることなく、取り扱いが容易で比較的安価に入手できるガスを用いてＳｉ結晶等にドライエッチングを行うことのできるエッチング方法およびエッチング装置を提供することである。 【解決手段】　エッチング装置１００は、Ｓｉ部材Ｓ１をドライエッチングするためのものである。エッチング装置１００は、Ｓｉ部材Ｓ１をエッチングするための反応室１５０と、反応室１５０にＦ 2 ガスを含む第１のガスを供給するための第１のガス供給部１１１と、反応室１５０にＮＯ 2 ガスを含む第２のガスを供給するための第２のガス供給部１１２と、を有する。そして、反応室１５０の内圧を１０Ｐａ以上１００００Ｐａ以下の範囲内として、第１のガスと第２のガスとの混合気体をＳｉ部材Ｓ１に導くことにより、エッチングを実施する。

摘要翻译： [问题]为了提供能够使用容易处理的气体并且可以以相对低的成本获得的能够干蚀刻Si晶体等的蚀刻方法和蚀刻装置，而不使用等离子体产生装置。 [解决方案]蚀刻装置（100）用于干蚀刻Si构件（S1）。 蚀刻装置（100）设置有用于蚀刻Si构件（S1）的反应室（150），用于向反应室（150）供给包含F2气体的第一气体的第一气体供给单元（111） 第二气体供给单元（112），用于将包括NO 2气体的第二气体供给到所述反应室（150）。 此外，通过使反应室（150）的内部压力在10Pa〜10000Pa的范围内进行蚀刻，并将第一气体和第二气体的混合气体引导至Si构件（S1）。