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    ORGANIC ELECTRONIC DEVICE
    53.
    发明申请
    ORGANIC ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
    有机电子设备

    公开(公告)号：WO2016050748A2

    公开(公告)日：2016-04-07

    申请号：PCT/EP2015/072384

    申请日：2015-09-29

    Applicant: NOVALED GMBH ,  UNIVERSITY OF RENNES

    Inventor： FADHEL, Omrane ,  DELAUNAY, Wylliam ,  HISSLER, Muriel ,  FREY, Julien

    IPC: H01L51/54

    CPC classification number: H01L51/0071 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/105 ,  H01L51/42 ,  H01L51/5076 ,  H01L51/5092 ,  Y02E10/549

    Abstract: The present invention relates to an organic electronic device, comprising a first electrode, a second electrode, and, between the first and the second electrode, a substantially organic layer comprising a heterocyclic compound bearing at least one lithoxy group and containing at least one heterocyclic ring comprising a phosphine oxide group directly bound to three carbon atoms; a compound for use in such an organic electronic device and to a semiconducting material comprising the respective compound.

    Abstract translation: 本发明涉及一种有机电子器件，包括第一电极，第二电极，以及在第一和第二电极之间的基本上有机层，其包含带有至少一个乙氧基并含有至少一个杂环的杂环化合物 包括直接键合到三个碳原子的氧化膦基团; 用于这种有机电子器件的化合物和包含相应化合物的半导体材料。

    薄膜トランジスタ
    54.
    发明申请
    薄膜トランジスタ 审中-公开
    薄膜晶体管

    公开(公告)号：WO2015133372A1

    公开(公告)日：2015-09-11

    申请号：PCT/JP2015/055704

    申请日：2015-02-26

    Applicant: 富士フイルム株式会社

    Inventor： 滝沢　裕雄

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/312 ,  H01L21/47 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

    CPC classification number: H01L51/0071 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105 ,  H01L2251/301

    Abstract: 　基板上に、ゲート電極と、半導体層と、該ゲート電極と該半導体層との間に設けられた、有機高分子化合物で形成されたゲート絶縁層と、該半導体層に接して設けられ、該半導体層を介して連結されたソース電極及びドレイン電極とを有する薄膜トランジスタであって、　前記ゲート絶縁層中、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＡｇから選ばれる金属の含有量が総量で１０ｐｐｂ～１ｐｐｍであるか、又は、ハロゲンイオン、硫酸イオン、硝酸イオン及びリン酸イオンから選ばれる非金属イオン性物質の含有量が総量で１ｐｐｍ～１００ｐｐｍである、薄膜トランジスタ。

    Abstract translation: 一种薄膜晶体管，在基板上具有栅电极; 半导体层; 栅极绝缘层，设置在所述栅电极和所述半导体层之间，并由有机高分子化合物形成; 以及源极电极和漏电极，与半导体层接触，并经由半导体层连接。 在栅极绝缘层中从Mg，Ca，Ba，Al，Sn，Pb，Cr，Mn，Fe，Ni，Cu，Zn和Ag中选出的金属的总量为10ppb〜1ppm， 在栅极绝缘层中选自卤离子，硫酸根离子，硝酸根离子和磷酸根离子的非金属离子物质为1ppm〜100ppm。

    AMBIPOLAR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR
    58.
    发明申请
    AMBIPOLAR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
    AMBIPOLAR垂直场效应晶体管

    公开(公告)号：WO2014085410A1

    公开(公告)日：2014-06-05

    申请号：PCT/US2013/071919

    申请日：2013-11-26

    Applicant: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.

    Inventor： RINZLER, Andrew, Gabriel ,  LIU, Bo ,  MCCARTHY, Mitchell, Austin

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L51/057 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/092 ,  H01L27/283 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/413 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/775 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/102 ,  H01L51/105

    Abstract: Various examples are provided for ambipolar vertical field effect transistors (VFETs). In one example, among others, an ambipolar VFET includes a gate layer; a source layer that is electrically percolating and perforated; a dielectric layer; a drain layer; and a semiconducting channel layer. The semiconducting channel layer is in contact with at least a portion of the source layer and at least a portion of the dielectric layer and the source layer and the semiconducting channel layer form a gate voltage tunable charge injection barrier. Another example includes an ambipolar vertical field effect transistor including a dielectric surface treatment layer. The semiconducting channel layer is in contact with at least a portion of the source layer and at least a portion of the dielectric surface treatment layer and where the source layer and the semiconducting channel layer form a gate voltage tunable charge injection barrier.

    Abstract translation: 为双极性垂直场效应晶体管（VFET）提供了各种示例。 在一个实例中，其中双极型VFET包括栅极层; 电渗透和穿孔的源层; 介电层; 一个漏极层; 和半导体沟道层。 半导体沟道层与源极层的至少一部分接触，并且介电层的至少一部分以及源极层和半导体沟道层形成栅极电压可调电荷注入势垒。 另一个例子包括包括电介质表面处理层的双极性垂直场效应晶体管。 半导体沟道层与源极层的至少一部分和介电表面处理层的至少一部分接触，并且其中源极层和半导体沟道层形成栅极电压可调电荷注入势垒。

    METHOD FOR TREATING METAL SURFACE WITH THIOL
    59.
    发明申请
    METHOD FOR TREATING METAL SURFACE WITH THIOL 审中-公开
    用THIOL处理金属表面的方法

    公开(公告)号：WO2014080575A1

    公开(公告)日：2014-05-30

    申请号：PCT/JP2013/006404

    申请日：2013-10-29

    Applicant: SHARP KABUSHIKI KAISHA

    Inventor： ULMER, Kurt ,  PUNTAMBEKAR, Kanan

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/105

    Abstract: A method is provided for preparing a printed metal surface for the deposition of an organic semiconductor material. The method provides a substrate with a top surface, and a metal layer is formed overlying the substrate top surface. Simultaneous with a thermal treatment of the metal layer, the metal layer is exposed to a gaseous atmosphere with thiol molecules. In response to exposing the metal layer to the gaseous atmosphere with thiol molecules, the work function of the metal layer is increased. Subsequent to the thermal treatment, an organic semiconductor material is deposited overlying the metal layer. In one aspect, the metal layer is exposed to the gaseous atmosphere with thiol molecules by evaporating a liquid containing thiol molecules in an ambient air atmosphere.

    Abstract translation: 提供了一种用于制备用于沉积有机半导体材料的印刷金属表面的方法。 该方法提供具有顶表面的基底，并且形成覆盖在基底顶表面上的金属层。 与金属层的热处理同时，金属层暴露于具有硫醇分子的气态气氛中。 响应于将金属层暴露于具有硫醇分子的气态气氛中，金属层的功函数增加。 在热处理之后，将有机半导体材料沉积在金属层上。 在一个方面，通过在环境空气气氛中蒸发含有硫醇分子的液体，金属层通过硫醇分子暴露于气态气氛。

    ORGANIC ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING TECHNIQUES
    60.
    发明申请
    ORGANIC ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING TECHNIQUES 审中-公开
    有机电子设备制造技术

    公开(公告)号：WO2014006355A1

    公开(公告)日：2014-01-09

    申请号：PCT/GB2013/000284

    申请日：2013-06-27

    Applicant: CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED

    Inventor： BURROUGHES, Jeremy

    IPC: H01L51/00

    CPC classification number: H01L51/0026 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/0015 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105 ,  H01L51/42 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/504 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/56 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

    Abstract: We describe method of manufacturing an organic electronic device, the method comprising: providing an intermediate stage substrate (200), the substrate bearing a plurality of layers of material of said organic electronic device, the layers including at least one conducting layer in thermal contact with at least one organic layer of said organic electronic device; processing said intermediate stage substrate by inductive heating of said conducting material to heat said at least one organic layer to produce a processed substrate; and using said processed substrate to provide said organic electronic device.

    Abstract translation: 我们描述了制造有机电子器件的方法，所述方法包括：提供中间级衬底（200），所述衬底承载所述有机电子器件的多层材料层，所述层包括至少一个与所述有机电子器件热接触的导电层 所述有机电子器件的至少一个有机层; 通过所述导电材料的感应加热来处理所述中间级基底，以加热所述至少一个有机层以产生经处理的基底; 并使用所述处理过的衬底提供所述有机电子器件。

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