公开(公告)号：WO2004064466A1

公开(公告)日：2004-07-29

申请号：PCT/JP2003/016426

申请日：2003-12-22

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  櫛谷 洋 ,  亀山 一郎

Inventor： 櫛谷 洋 ,  亀山 一郎

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H01P1/047 ,  H01F27/34 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6622 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/115 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/4061 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/09581 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09827 ,  H05K2203/107 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/4902

Abstract: 無線通信機などの高周波機器に用いられる高周波積層部品およびその製造方法に関するもので、高周波積層部品の小型化が目的である。この目的を実現するため、本高周波積層部品は、誘電体に形成するビアホール電極（３）の周囲に、他の誘電体部分よりも低誘電率の誘電体層（４）を形成するものである。低誘電率の誘電体層（４）を設けることにより、ビアホール電極（３）とその周辺に存在する回路電極（２２）との電気的干渉を抑制することが出来るので、回路電極とビアホール電極を従来に比べ近接させて配置することが出来て、高周波積層部品を小型化できる。

Abstract translation: 用于诸如无线电通信装置的高频装置及其制造方法中的高频分层部分。 可以减小高频层叠部的尺寸。 为了实现该目的，高频层叠部分包括形成在电介质体中的通孔电极（3）和形成在通孔电极（3）周围的介电层（4），并且具有比 其他电介质部分。 通过设置低介电常数的电介质层（4），可以抑制通孔电极（3）与其附近的电路电极（22）之间的电干扰。 因此，与常规情况相比，可以将电路电极和通孔电极相互配置，从而能够降低高频层叠部的尺寸。

公开(公告)号：WO2004014595A1

公开(公告)日：2004-02-19

申请号：PCT/JP2003/010052

申请日：2003-08-07

Applicant: TDK株式会社 ,  赤坂 朗 ,  伊藤 敏文 ,  高橋 喜久夫

Inventor： 赤坂 朗 ,  伊藤 敏文 ,  高橋 喜久夫

IPC: B23K26/067

CPC classification number: B23K26/0604 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0613 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/067 ,  B23K26/073 ,  H05K3/0029

Abstract: A laser processing method for performing processing such as perforation etc. on a ceramic green sheet etc. by more effectively using laser light. Light path systems (30, 40) are provided between a laser oscillator (1) in the laser processing device and a radiation position-controlling optical system for radiating laser light to a predetermined position on a piece of work to be processed. A first light path system (30) and a second light path system (40) are arranged, and they are used appropriately depending on the condition of processing. The first light path system (30) guides laser light emitted from the laser oscillator to the radiation position-controlling optical system without changing a cross-sectional shape of the laser light in the direction perpendicular to the axis of the laser light. The second light path system (40) guides the laser light with varied cross-sectional shapes.

Abstract translation: 一种用于通过更有效地使用激光来在陶瓷生片等上进行穿孔等处理的激光加工方法。 光路系统（30,40）设置在激光处理装置中的激光振荡器（1）和用于将激光照射到要处理的工件上的预定位置的辐射位置控制光学系统之间。 布置第一光路系统（30）和第二光路系统（40），并根据处理条件适当地使用它们。 第一光路系统（30）将从激光振荡器发射的激光引导到辐射位置控制光学系统，而不改变激光在与激光轴线垂直的方向上的横截面形状。 第二光路系统（40）引导具有不同横截面形状的激光。

公开(公告)号：WO1989002697A1

公开(公告)日：1989-03-23

申请号：PCT/US1988002577

申请日：1988-07-29

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  ROOT, Randolph, E. ,  VU, Thanh, T.

IPC: H05K03/10

CPC classification number: C04B41/0072 ,  C04B41/009 ,  C04B2111/00844 ,  H01C17/28 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/486 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/01039 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/105 ,  H05K3/4038 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1136 ,  C04B41/4556 ,  C04B41/4572 ,  C04B41/51 ,  C04B35/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: A process for forming electrically conductive circuitry on a metallic nonconductive substrate or insulating layer which includes the steps of providing a nonconductive ceramic substrate having a metallic component and which can dissociate into its constituent components to provide dissociated metal bonded to the ceramic substrate upon application of laser energy. Laser energy is then applied to predetermined areas of the surface of the nonconductive ceramic substrate to provide dissociated metallic conductors in the predetermined areas. The disclosed process further includes the formation of metallized through holes by application of laser energy to the nonconductive ceramic substrate to form a through hole, whereby dissociated metal is formed on the inside of the through hole. The disclosed process also includes the capability to down trim a thick film or thin film resistor which is conductively coupled between two areas of metallization. Laser energy is applied to a portion of the thick film or thin film resistor and to a portion of the metallic nonconductive ceramic substrate in a predetermined pattern to provide a continuous dissociated metallic conductor which passes through the thick film or thin film resistor and is conductively connected to one of two areas of electrically conductive metallization.

Abstract translation: 一种用于在金属非导电衬底或绝缘层上形成导电电路的工艺，其包括以下步骤：提供具有金属组分的非导电陶瓷衬底，并且可以将其分解成其组成组分，以在施加激光时提供与陶瓷衬底结合的解离金属 能源。 然后将激光能量施加到非导电陶瓷衬底的表面的预定区域，以在预定区域中提供解离的金属导体。 所公开的方法还包括通过向非导电陶瓷基板施加激光能量形成金属化通孔以形成通孔，由此在通孔的内部形成解离的金属。 所公开的方法还包括对在两个金属化区域之间导电耦合的厚膜或薄膜电阻进行下修的能力。 将激光能量以预定图案施加到厚膜或薄膜电阻器的一部分和金属非导电陶瓷基板的一部分上，以提供穿过厚膜或薄膜电阻器的连续解离的金属导体，并且导电连接 到导电金属化的两个区域之一。