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    半導体装置
    1.
    发明申请
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：WO2008126268A1

    公开(公告)日：2008-10-23

    申请号：PCT/JP2007/057156

    申请日：2007-03-30

    Applicant: 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  渡邉 健一 ,  三沢 信裕 ,  大塚 敏志

    Inventor： 渡邉 健一 ,  三沢 信裕 ,  大塚 敏志

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

    CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/564 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/05552

    Abstract: 　半導体装置は、基板と、前記基板上に形成され、多層配線構造を含む積層体と、前記積層体中に、活性素子が形成された素子領域を囲んで連続的に延在する耐湿リングと、前記積層体中、前記耐湿リングの外側に、前記耐湿リングに沿って連続的に、前記基板表面を露出するように形成された保護溝部と、を有し、前記積層体は、ＳｉＯ 2 膜よりも低い比誘電率を有する層間絶縁膜の積層よりなり、前記積層体の上面、および前記保護溝部の側壁面および底面は、前記多層配線構造上の電極パッドを除き、少なくともシリコン窒化膜を含む保護膜により連続して覆われており、前記保護膜と前記保護溝部側壁面の間には、ＳｉとＣを主成分とする界面膜が形成されていることを特徴とする。

    Abstract translation: 一种半导体器件，包括衬底，层压体，其包括形成在衬底上的多层互连结构，在层压体中连续延伸以包围形成有源元件的元件区域的防潮环，以及形成在衬底外侧的保护沟槽 层叠体中的耐湿环以使得基板的表面露出的方式沿着防湿环连续地进行。 层压体由具有低于SiO 2膜的介电常数的介电常数的层间绝缘膜的叠层构成; 层叠体的上表面和保护沟槽的侧壁面和底面的保护膜被连续覆盖，该保护膜至少包括除了多层互连结构上的电极焊盘之外的氮化硅膜; 并且在保护膜和保护沟槽的侧壁面之间形成主要由Si和C组成的界面膜。

    情報通知装置および携帯通信端末
    2.
    发明申请
    情報通知装置および携帯通信端末 审中-公开
    信息通知装置和便携式通信终端

    公开(公告)号：WO2007145041A1

    公开(公告)日：2007-12-21

    申请号：PCT/JP2007/059645

    申请日：2007-05-10

    Applicant: シャープ株式会社 ,  渡邉 健一

    Inventor： 渡邉 健一

    IPC: H04M11/00

    CPC classification number: H04L12/66 ,  H04L12/6418

    Abstract: 　電子機器に予め通知するように設定されている情報を受信し、その情報を情報通信端末に通知する情報通知装置が提供される。情報通知装置は、電子機器から情報を受信する（ステップＳ７００）。情報を受信すれば（ステップＳ７０２にてＹＥＳ）、端末ｉについて通信可能か調べる（ステップＳ７０６）。通信可能ならば、端末ｉへ情報を通知する（ステップＳ７０８）。通信不可能ならば、機器情報バッファに受信した情報を書き込む（ステップＳ７１０）。この処理を全ての端末に対して行なう。以上により、情報通知装置から端末に情報が通知される。

    Abstract translation: 一种信息通知装置，用于接收先前通知给电子设备的信息，并向信息通信终端通知信息。 信息通知装置从电子装置接收信息（步骤S700）。 在接收到信息时（步骤S702为“是”），信息通知装置检查终端（i）是否能够进行通信（步骤S706）。 如果终端能够通信，则信息通知装置向其通知信息（步骤S708），否则，将接收到的信息写入设备信息缓冲器（步骤S710）。 信息通知装置对所有终端进行处理。 因此，从信息通知装置向终端通知信息。

    チップのピックアップ方法及びピックアップ装置
    3.
    发明申请
    チップのピックアップ方法及びピックアップ装置 审中-公开
    芯片撷取方法和芯片撷取装置

    公开(公告)号：WO2008047731A1

    公开(公告)日：2008-04-24

    申请号：PCT/JP2007/070009

    申请日：2007-10-12

    Applicant: リンテック株式会社 ,  渡邉 健一 ,  瀬川 丈士 ,  藤本 泰史

    Inventor： 渡邉 健一 ,  瀬川 丈士 ,  藤本 泰史

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

    CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/6838

    Abstract: [課題]チップの突き上げを不要とするとともに、ピックアップの進行でピックアップされていないチップの保持力が変動するようなことのないピックアップ方法、およびピックアップ装置を提供する。 [解決手段]チップ（１３）が固定されている固定ジグ（３）からチップ（１３）をピックアップする方法であって、固定ジグ（３）は、片面に複数の突起物（３６）を有し、かつ該片面の外周部に突起物（３６）と略同じ高さの側壁（３５）を有するジグ基台（３０）と、ジグ基台（３０）の突起物（３６）を有する面上に積層され、側壁（３５）の上面で接着された密着層（３１）とからなり、ジグ基台（３０）の突起物を有する面には、密着層（３１）、突起物（３６）および側壁（３５）により区画空間（３７）が形成され、ジグ基台（３０）には、外部と区画空間（３７）とを貫通する少なくとも一つの貫通孔（３８）が設けられており、チップ固定工程と、貫通孔（３８）を通して区画空間（３７）内の空気を吸引して密着層（３１）を変形させる密着層変形工程と、チップ（１３）の上面側から吸着コレット（７０）がチップ（１３）を吸引して、チップ（１３）を密着層（３１）から完全にピックアップするピックアップ工程とを含むことを特徴とする。

    Abstract translation: 为了提供拾取方法和拾取装置，其中不需要向上推芯片，并且当拾取进行时，用于保持未拾取的芯片的力不会改变。 解决问题的手段提供一种从固定有芯片（13）的固定夹具（3）拾取芯片（13）的方法。 固定夹具（3）由在一侧具有多个突起（36）的夹具基座（30）和与所述突出部（36）的外周处于与所述突起（36）的高度大致相同的高度的侧壁 一侧，以及层叠在具有突出部（36）的夹具基体（30）的表面上并粘接在侧壁（35）的上表面上的粘合层（31）。 通过粘合层（31），突起（36）和侧壁（35）以及至少一个通孔（38）在具有突起的夹具基座（30）的表面上形成截面空间（37） 穿过外部，并且在夹具基座（30）中设置截面空间（37）。 拾取方法包括用于固定芯片的步骤，通过从通孔（38）吸入部分空间（37）中的空气使粘附层（31）变形的步骤和用于拾取芯片（13）的步骤， 通过抽吸夹头（70）从芯片（13）的上表面侧吸取芯片（13），完全从粘附层（31）开始。

    半導体装置及びその製造方法
    4.
    发明申请
    半導体装置及びその製造方法 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2008114418A1

    公开(公告)日：2008-09-25

    申请号：PCT/JP2007/055673

    申请日：2007-03-20

    Applicant: 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  吉村 鉄夫 ,  渡邉 健一 ,  大塚 敏志

    Inventor： 吉村 鉄夫 ,  渡邉 健一 ,  大塚 敏志

    IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

    CPC classification number: H01G4/005 ,  H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 　半導体基板１の上方に形成される絶縁膜と、絶縁膜７上に形成される容量下部電極１１ｂと、容量下部電極１１ｂの上面及び側面の上に形成される誘電体膜１３と、誘電体膜１３の上に形成され且つ容量下部電極１１ｂよりも広く形成された金属膜の第１金属パターンから構成される容量上部電極１９ｂとを有する容量素子と、絶縁膜７上で前記金属膜の第２金属パターンから構成される配線１９ａ，１９ｂと、を有するキャパシタを有している。

    Abstract translation: 一种半导体器件包括由电容元件构成的电容器，该电容元件包括形成在半导体衬底（1）上的绝缘膜，形成在绝缘膜（7）上的电容下电极（11b），形成在绝缘膜 电容下电极（11b）的顶面和侧面以及由电介质膜（13）上形成的并比电容下电极（11b）宽的金属膜的第一金属图案构成的电容上电极（19b），以及 在绝缘膜（7）上由金属膜的第二金属图案形成的互连线（19a，19b）。

    固定ジグおよびチップのピックアップ方法並びにピックアップ装置
    6.
    发明申请
    固定ジグおよびチップのピックアップ方法並びにピックアップ装置 审中-公开
    FIXED JIG，芯片撷取方法和芯片撷取装置

    公开(公告)号：WO2008047732A1

    公开(公告)日：2008-04-24

    申请号：PCT/JP2007/070010

    申请日：2007-10-12

    Applicant: リンテック株式会社 ,  渡邉 健一 ,  瀬川 丈士 ,  藤本 泰史

    Inventor： 渡邉 健一 ,  瀬川 丈士 ,  藤本 泰史

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52 ,  H01L21/67

    CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L21/67132 ,  Y10S156/941 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1978

    Abstract: [課題]半導体ウエハが個片化されたチップ群を移動不能に吸着することができ、しかも吸着されたチップ群から一個のチップを選択的に確実に剥離して吸着することが可能な固定ジグを提供する。 [解決手段]ジグ基台３０と密着層３１とからなる固定ジグ３であって、ジグ基台３０の片面に凹部２が設けられ、該凹部２は側壁３５と略同じ高さの仕切り壁１２により小部屋１５に区画され、該凹部２を覆うように側壁３５および仕切り壁１２の上縁に密着層３１が設けられ、前記各小部屋１５内にそれぞれ外部に連通する貫通孔１７が形成されていることを特徴としている。

    Abstract translation: 本发明提供一种能够不可移动地吸取通过分割半导体晶片产生的芯片组的固定夹具，并且可以通过从芯片组中选择性地且可靠地剥离芯片而吸取一个芯片。 解决问题的手段固定夹具（3）由夹具基座（30）和粘合层（31）构成。 在夹具基座（30）的一侧设置有凹部（2）。 凹槽（2）通过与侧壁（35）的高度大致相同的高度的隔板（12）分成小腔室（15）。 侧壁（35）设置成覆盖凹部（2），并且粘合层（31）设置在隔板（12）的上边缘上。 在每个小室（15）中形成有与外部连通的通孔（17）。

    撮像機能付きドアホンシステムおよび当該システムを構成する音声端末、映像端末、ホームゲートウェイ装置、ドアホンアダプタ
    8.
    发明申请
    撮像機能付きドアホンシステムおよび当該システムを構成する音声端末、映像端末、ホームゲートウェイ装置、ドアホンアダプタ 审中-公开
    具有成像功能的门禁系统，音频终端构成系统，视频终端，家庭网关设备和门禁适配器

    公开(公告)号：WO2006137388A1

    公开(公告)日：2006-12-28

    申请号：PCT/JP2006/312304

    申请日：2006-06-20

    Applicant: シャープ株式会社 ,  渡邉 健一

    Inventor： 渡邉 健一

    IPC: H04N7/18 ,  H04M9/00

    CPC classification number: H04M11/025 ,  H04N7/186

    Abstract: 　ドアホン子機から呼出信号が発せられた場合（Ｓ１）、ドアホン子機からの映像を端末として登録されているすべての映像端末に表示させ（Ｓ２）、音声端末が呼出信号に応答した場合に（Ｓ６でＹＥＳ）、呼出信号に応答した音声端末とドアホン子機とを通話可能に制御し、かつ、各映像端末でのドアホン子機映像表示を停止させ、音声端末により選択された映像端末に表示させる（Ｓ７～Ｓ１４）。選択された映像端末と当該音声端末との組合せを登録する。映像端末の一覧を表示し、その中から選択する。音声端末が発する電波の受信電波強度が最も高い映像端末を選択する。

    Abstract translation: 当门站产生呼叫信号（S1）时，来自门站的视频显示在注册为终端的所有视频终端上（S2）。 如果音频终端响应呼叫信号（S6处为“是”），则响应于呼叫信号的音频终端被控制以便连接到门站并且使得它们之间能够进行通话，来自门的视频的显示 视频终端上的站停止，并且视频显示在由音频终端选择的视频终端上（S7至S14）。 注册所选择的视频终端和音频终端的组合。 显示视频终端列表，并选择其中一个。 选择接收从具有最高接收无线电场强度的音频终端辐射的无线电波的视频终端。

    半導体装置
    9.
    发明申请
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：WO2004088745A1

    公开(公告)日：2004-10-14

    申请号：PCT/JP2003/004049

    申请日：2003-03-28

    Applicant: 富士通株式会社 ,  渡邉 健一

    Inventor： 渡邉 健一

    IPC: H01L21/768

    CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76847 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 　銅配線におけるボイドの成長を抑制することのできる半導体装置を提供する。　半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成された絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれた第１ダマシン配線であって、底面および側面を画定し、内側に第１中空部を画定するバリアメタル層と、該第１中空部内に配置され､内側に第２中空部を画定する､銅配線層と､該第２中空部内に配置され､前記バリアメタル層とは分離されている補助バリアメタル層とを含む第１ダマシン配線と、前記第１ダマシン配線と絶縁層との上に配置された絶縁性銅拡散防止膜と、を有するを含む。

    Abstract translation: 一种能够限制铜布线中的空隙生长的半导体器件。 半导体器件包括半导体衬底，形成在半导体衬底上的绝缘层，作为掩埋在绝缘层中的第一镶嵌布线的阻挡金属层，限定底面和侧面，并且还限定第一中空部分 内侧，设置在第一中空部分中并在内侧限定第二中空部分的铜布线层，设置在第二中空部分中并且包含与阻挡金属层分离的辅助阻挡金属层的第一镶嵌布线，以及 设置在第一镶嵌布线和绝缘层上的绝缘铜扩散防止膜。

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