公开(公告)号：WO2015159579A1

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：PCT/JP2015/054123

申请日：2015-02-16

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 吉田　基 ,  遠藤　加寿代 ,  藤田　淳 ,  岡部　博明 ,  須賀原　和之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/33 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　本発明は、高温動作においてもＣｕ配線の酸化を抑制する半導体装置の提供を目的とする。本発明に係る半導体装置は、主面を有する基板１と、基板１の主面の側に選択的に形成されたＣｕ電極８と、Ｃｕ電極８の上面にその端部を除いて形成された酸化防止膜１４と、基板１の主面上に形成され、Ｃｕ電極８の側面および上面の端部を覆う有機樹脂膜１０と、有機樹脂膜１０と基板１の主面との間、並びに有機樹脂膜１０とＣｕ電極８の側面および上面の端部との間に、両者に接して形成される拡散防止膜１１と、を備える。

Abstract translation: 本发明的目的在于提供即使在高温运转时也抑制Cu布线的氧化的半导体装置。 根据本发明的半导体器件具有：具有主表面的衬底（1）; 选择性地形成在基板（1）的主表面侧上的Cu电极（8）; 除了上表面的边缘部分之外，形成在Cu电极（8）的上表面上的防氧化膜（14） 形成在基板（1）的主面上并覆盖Cu电极（8）的上表面的侧面和边缘部分的有机树脂膜（10）; 和形成在所述有机树脂膜（10）和所述基板（1）的主面之间且所述有机树脂膜（10）与所述侧面和所述上表面的边缘部分之间的扩散防止膜（11） 的铜电极（8）的上表面的侧面和边缘部分与所述有机树脂膜（10）接触。

公开(公告)号：WO2015133386A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/JP2015/055764

申请日：2015-02-27

Applicant: 積水化学工業株式会社

Inventor： 脇岡　さやか

IPC: C09J133/04 ,  C09J4/02 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J163/10 ,  H01L21/60

CPC classification number: C09J133/066 ,  C09J7/10 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J133/04 ,  C09J133/08 ,  C09J133/14 ,  C09J163/10 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32258 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/94 ,  C08F220/06 ,  C08F2220/1825 ,  C08F220/20 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2224/27

Abstract: 本発明は、短い実装時間の中で半田流れを抑えつつ充分に半田接合でき、ボイドを抑制し、耐リフロー性にも優れた電子部品実装用接着剤を提供することを目的とする。また、本発明は、該電子部品実装用接着剤を含むフリップチップ実装用接着フィルムを提供することを目的とする。本発明は、側鎖に（メタ）アクリロイル基を有する二重結合当量１～５ｍｅｑ／ｇのアクリルポリマーと、３官能以上の多官能（メタ）アクリレート化合物と、ラジカル重合開始剤とを含有する電子部品実装用接着剤である。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够在短的安装时间内实现足够的焊接，同时抑制焊料流动，抑制空隙，并具有优异的耐回流性的电子部件安装用粘合剂。 本发明的另一个目的是提供一种包括电子部件安装粘合剂的倒装芯片安装粘合剂膜。 本发明是一种电子部件安装用粘合剂，其包含：双键当量为1-5meq / g并且具有甲基丙烯酰基作为侧链的丙烯酸类聚合物; 具有三个或更多个官能团的多官能甲基丙烯酸酯化合物; 和自由基聚合引发剂。

公开(公告)号：WO2015083250A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：PCT/JP2013/082543

申请日：2013-12-04

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 河面　英夫 ,  王丸　武志 ,  斉藤　省二

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/32

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/00 ,  H01L23/049 ,  H01L23/053 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48108 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/30101 ,  H02M1/08 ,  H02M2001/325 ,  H03K17/0828 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　本発明は、電力機器に使用される半導体装置に関し、ベース板（１６）と、ベース板（１６）上に搭載された絶縁基板（２９）と、絶縁基板上にはんだ層（３１）により接合された電力用スイッチング素子（２１）とを有し、ベース板（１６）、絶縁基板（２９）および電力用スイッチング素子（２１）とでモジュールを構成し、モジュール上に制御基板（ＣＳ）を備えた半導体装置であって、制御基板（ＣＳ）は、電力用スイッチング素子（２１）のコレクタ－エミッタ間電圧を測定し、コレクタ－エミッタ間電圧とコレクタ電流との積で規定される任意の目標電力を電力用スイッチング素子（２１）に供給するようにゲート電圧を変更する可変ゲート電圧回路（９０）を有している。

Abstract translation: 用于动力装置的该半导体装置具有：基板（16），安装在基板（16）上的绝缘基板（29）; 以及通过焊料层（31）接合在所述绝缘基板上的功率开关元件（21）。 模块由基板（16），绝缘基板（29）和电源开关元件（21）构成，在模块上设置有控制基板（CS）。 控制基板（CS）具有可变栅极电压电路（90），该可变栅极电压电路（90）测量功率开关元件（21）的集电极 - 发射极电压，并且改变栅极电压，使得任意目标功率被提供给功率开关元件 （21），所述酌情目标功率由集电极 - 发射极电压和集电极电流的乘积指定。

公开(公告)号：WO2013101243A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/US2011/068278

申请日：2011-12-31

Applicant: INTEL CORPORATION ,  GANESAN, Sanka ,  QIAN, Zhiguo ,  SANKMAN, Robert L. ,  SRINIVASAN, Krishna ,  ZHU, Zhaohui

Inventor： GANESAN, Sanka ,  QIAN, Zhiguo ,  SANKMAN, Robert L. ,  SRINIVASAN, Krishna ,  ZHU, Zhaohui

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1301 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/14132 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: Electronic assemblies and methods including the formation of interconnect structures are described. In one embodiment an apparatus includes semiconductor die and a first metal bump on the die, the first metal bump including a surface having a first part and a second part. The apparatus also includes a solder resistant coating covering the first part of the surface and leaving the second part of the surface uncovered. Other embodiments are described and claimed.

Abstract translation: 描述了包括形成互连结构的电子组件和方法。 在一个实施例中，设备包括半导体管芯和管芯上的第一金属凸块，第一金属凸块包括具有第一部分和第二部分的表面。 该设备还包括覆盖表面的第一部分并且使表面的第二部分未被覆盖的耐焊接涂层。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：WO2012052192A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/EP2011/054845

申请日：2011-03-29

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  WOLDE-GIORGIS, Daniel ,  FEIOCK, Andrea ,  KOLB, Robert ,  KALICH, Thomas

Inventor： WOLDE-GIORGIS, Daniel ,  FEIOCK, Andrea ,  KOLB, Robert ,  KALICH, Thomas

IPC: C22C32/00 ,  B22F1/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/10 ,  H01B1/22

CPC classification number: H05K13/0465 ,  B22F1/02 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/24 ,  B32B15/043 ,  C22C32/0021 ,  H01B1/02 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29464 ,  H01L2224/29469 ,  H01L2224/29486 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H05K1/0271 ,  Y10T403/477 ,  Y10T428/12069 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/0461 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Ausgangswerkstoff zur Herstellung einer Sinterverbindung. Um eine Rissbildung bei Temperaturwechselbeanspruchung zu vermeiden, umfasst der Ausgangswerkstoff neben metallischen ersten Partikeln 10 zweite Partikel 20, welche zumindest anteilig elementares Silicium und/oder Siliciumdioxid enthalten. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung die Verwendung von elementarem Silicium und/oder Siliciumdioxid zur Verringerung des thermischen Längenausdehnungskoeffizienten α eines Ausgangswerkstoffs 100 einer Sinterverbindung 100' beziehungsweise einer Sinterverbindung 100', insbesondere in einer Sinterpaste, einem Sinterpulver oder einem Sintermaterialvorformkörper. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung Sinterverbindungen 100', elektronische Schaltungen 70 sowie Verfahren zur Ausbildung einer thermisch und/oder elektrisch leitenden Sinterverbindung.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造烧结接头的起始材料。 为了避免温度循环，除了第一金属粒子的起始材料，其包含含有至少元素硅和/或二氧化硅的比例10秒颗粒20中的裂纹。 此外，本发明涉及使用元素硅和/或二氧化硅，以降低热膨胀系数的的烧结结点100“和烧结结点100”的输出材料100的，尤其是在烧结膏，烧结粉末或烧结材料预成型体。 此外，本发明烧结的连接100”，电子电路70，以及形成热和/或导电的烧结连接的方法而言。

公开(公告)号：WO2011058680A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/JP2010/004262

申请日：2010-06-28

Applicant: パナソニック株式会社 ,  平野博茂 ,  伊藤史人 ,  萩原清己 ,  岩瀬鉄平 ,  太田行俊

Inventor： 平野博茂 ,  伊藤史人 ,  萩原清己 ,  岩瀬鉄平 ,  太田行俊

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 　半導体装置は、半導体基板（１）の上に形成された電極パッド（６）と、電極パッド（６）の上に形成され、且つ、電極パッド（６）の一部が露出する第１開口部を有する第１絶縁膜（７）と、第１絶縁膜（７）の上に形成され、且つ、第１開口部における少なくとも一部が露出する第２開口部を有する第２絶縁膜（８）と、第２絶縁膜（８）及び電極パッド（６）の上に形成された第１の金属層（１０）とを備えている。第１の金属層（１０）は、第２絶縁膜（８）の表面における第２開口部の外側である第１領域と電極パッド（６）の表面における第２開口部の内側である第２領域とにより挟まれる第３領域により分離されている。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其设置有形成在半导体衬底（1）上的电极焊盘（6）; 形成在所述电极焊盘（6）上的第一绝缘膜（7），具有从所述电极焊盘（6）的一部分露出的第一开口; 形成在第一绝缘膜（7）上的第二绝缘膜（8），具有第一开口的至少一部分露出的第二开口; 以及形成在所述第二绝缘膜（8）和所述电极焊盘（6）上的第一金属层（10）。 第一金属层（10）通过夹在第二绝缘膜（8）的表面上的第一区域之间的第三区域分开，所述第一区域在第二开口的外侧，第二区域 电极焊盘（6）的表面，所述第二区域位于第二开口内。

公开(公告)号：WO2011040064A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：PCT/JP2010/054677

申请日：2010-03-18

Applicant: 積水化学工業株式会社 ,  李洋洙 ,  脇岡さやか ,  中山篤 ,  ディラオ カール アルビン

Inventor： 李洋洙 ,  脇岡さやか ,  中山篤 ,  ディラオ　カール　アルビン

IPC: H01L21/60 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08G59/4014 ,  C08G59/686 ,  C08K3/36 ,  C09J7/35 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  H01L23/295 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29323 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29366 ,  H01L2224/2937 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本発明は、透明性が高く、半導体チップボンディング時のパターン又は位置表示の認識を容易なものとする半導体接合用接着剤を提供することを目的とする。 本発明は、エポキシ樹脂、無機フィラー及び硬化剤を含有する半導体接合用接着剤であって、前記無機フィラーは、半導体接合用接着剤中の含有量が３０～７０重量％であり、かつ、平均粒子径が０．１μｍ未満のフィラーＡと、平均粒子径が０．１μｍ以上１μｍ未満のフィラーＢとを含有し、前記フィラーＡは、前記フィラーＢに対する重量比が１／９～６／４である半導体接合用接着剤である。また、本発明は、エポキシ樹脂と、無機フィラーと、硬化剤とを含有する半導体接合用接着剤であって、前記エポキシ樹脂と前記無機フィラーとの屈折率の差が０．１以下である半導体接合用接着剤である。

Abstract translation: 公开了一种用于半导体接合的粘合剂，其具有高透明度并且能够容易地识别半导体芯片接合期间的图案或位置指示。 具体公开了一种含有环氧树脂，无机填料和固化剂的半导体接合用粘合剂，其特征在于，所述无机填料含有30〜70重量％的半导体结合用粘合剂 并且含有平均粒径小于0.1μm的填料A和平均粒径为0.1μm以上且小于1μm的填料B，填料A与填料B的重量比为 1/9至6/4。 还具体公开了一种含有环氧树脂，无机填料和固化剂的半导体接合用粘合剂，其特征在于，环氧树脂与无机填料的折射率之差为0.1以下 。

公开(公告)号：WO2010114687A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：PCT/US2010/027056

申请日：2010-03-11

Applicant: MEGICA CORPORATION ,  LIN, Mou-Shiung ,  LEE, Jin-Yuan ,  LO, Hsin-Jung ,  YANG, Ping-Jung ,  LIU, Te-Sheng

Inventor： LIN, Mou-Shiung ,  LEE, Jin-Yuan ,  LO, Hsin-Jung ,  YANG, Ping-Jung ,  LIU, Te-Sheng

IPC: G01L7/00 ,  G06F19/00

CPC classification number: G06F1/16 ,  G11C5/147 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/50 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6666 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03612 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4918 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92127 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/85 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/07025 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/0231

Abstract: Integrated circuit chips and chip packages are disclosed that include an over-passivation scheme at a top of the integrated circuit chip and a bottom scheme at a bottom of the integrated circuit chip using a top post-passivation technology and a bottom structure technology. The integrated circuit chips can be connected to an external circuit or structure, such as ball-grid-array (BGA) substrate, printed circuit board, semiconductor chip, metal substrate, glass substrate or ceramic substrate, through the over-passivation scheme or the bottom scheme. Related fabrication techniques are described.

Abstract translation: 公开了集成电路芯片和芯片封装，其包括在集成电路芯片的顶部处的过钝化方案，以及使用顶部后钝化技术和底部结构技术的集成电路芯片的底部的底部方案。 集成电路芯片可以通过过钝化方案或者通过钝化方案连接到外部电路或结构，例如球栅阵列（BGA）衬底，印刷电路板，半导体芯片，金属衬底，玻璃衬底或陶瓷衬底 底部方案。 描述了相关的制造技术。

公开(公告)号：WO2010105853A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：PCT/EP2010/001792

申请日：2010-03-22

Applicant: MICROGAN GMBH ,  DAUMILLER, Ingo ,  HEINLE, Ulrich ,  KUNZE, Mike ,  NIKOLAEV, Dmitry

Inventor： DAUMILLER, Ingo ,  HEINLE, Ulrich ,  KUNZE, Mike ,  NIKOLAEV, Dmitry

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/04 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement mit zumindest einer in einer Kontaktebene liegenden Kontaktoberfläche, zumindest einer oberhalb der Kontaktebene angeordneten isolierenden Schicht, zumindest einer auf der isolierenden Schicht angeordneten stabilisierenden Schicht zur Erhöhung einer mechanischen Stabilität des Bauelementes, sowie zumindest einem Bond- und/oder Lötkontakt, wobei die isolierende Schicht und die stabilisierende Schicht zumindest eine Öffnung aufweisen, die sich in einer der Kontaktoberfläche abgewandten Oberseite der stabilisierenden Schicht öffnet und sich durch die stabilisierende Schicht und die isolierende Schicht hindurch bis zur Kontaktoberfläche erstreckt, und wobei sich der Bond- und/oder Lötkontakt über die stabilisierende Schicht erstreckt und durch die Öffnung die Kontaktoberfläche berührt.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有至少一个位于一接触平面接触表面的电子装置，至少一个接触平面上方布置绝缘层，至少一个设置在所述绝缘层的稳定层，以提高器件的机械稳定性，并且至少一个键和/或焊料接触 其中所述绝缘层，并具有至少一个开口的稳定层，打开稳定层背向在接触表面中的一个，并通过稳定层和所述绝缘层通过所述接触表面延伸的顶部，且其中所述键和/ 或稳定化层上焊料接触延伸，并通过开口的接触表面接触。

公开(公告)号：WO2010097191A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：PCT/EP2010/001092

申请日：2010-02-22

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  FEUSTEL, Frank ,  FROHBERG, Kai ,  WERNER, Thomas ,  AMD FAB 36 LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG

Inventor： FEUSTEL, Frank ,  FROHBERG, Kai ,  WERNER, Thomas

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: In a metallization system of a complex semiconductor device, metal pillars (271) such as copper pillars may be formed in a nail-like configuration in order to reduce the maximum mechanical stress acting on the metallization system while providing a required contact surface for connecting to the package substrate. The nail-like configuration may be obtained on the basis of appropriately configured resist masks.

Abstract translation: 在复杂半导体器件的金属化系统中，诸如铜柱的金属柱（271）可以形成为钉状构造，以便减少作用在金属化系统上的最大机械应力，同时提供所需的接触表面用于连接到 封装衬底。 可以基于适当配置的抗蚀剂掩模获得钉状构造。