公开(公告)号：WO2008094666A3

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：PCT/US2008001310

申请日：2008-01-31

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES INC ,  GEHRING ANDREAS ,  HOENTSCHEL JAN ,  WEI ANDY

Inventor： GEHRING ANDREAS ,  HOENTSCHEL JAN ,  WEI ANDY

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/8221 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/8611

Abstract: A substrate diode for an SOI device (200, 300) is formed in accordance with an appropriately designed manufacturing flow, wherein transistor performance enhancing mechanisms may be implemented substantially without affecting the diode characteristics. In one aspect, respective openings (211A, 211B, 311A, 311B) for the substrate diode may be formed after the formation of a corresponding sidewall spacer structure (236, 336) used for defining the drain and source regions (237, 337), thereby obtaining a significant lateral distribution of the dopants in the diode areas, which may therefore provide sufficient process margins during a subsequent silicidation sequence on the basis of a removal of the spacers (236, 336) in the transistor devices (230A, 230B, 330A, 330B). In a further aspect, in addition to or alternatively, an offset spacer (360S) may be formed substantially without affecting the configuration of respective transistor devices (230A, 230B, 330A, 330B).

Abstract translation: 根据适当设计的制造流程形成用于SOI器件（200,300）的衬底二极管，其中可以基本上实现晶体管性能增强机制而不影响二极管特性。 在一个方面，用于衬底二极管的相应开口（211A，211B，311A，311B）可以在形成用于限定漏极和源极区域（237,337）之后的相应的侧壁间隔结构（236,336）形成之后， 从而获得二极管区域中的掺杂剂的显着的横向分布，因此可以在随后的硅化步骤中基于去除晶体管器件（230A，230B，330A中的间隔物（236,336）而提供足够的工艺余量 ，330B）。 在另一方面，除了或者替代地，可以基本上不形成相应的晶体管器件（230A，230B，330A，330B）的配置来形成偏移间隔物（360S）。

公开(公告)号：WO2006100117A8

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：PCT/EP2006002944

申请日：2006-03-22

Applicant: FAURECIA INNENRAUM SYS GMBH ,  HEINZ CLAUS ,  BAUMANN BERNHARD ,  MEYER ANDREAS ,  BAUMONT SEBASTIEN ,  BEAU GODEFROY ,  GEHRING ANDREAS ,  STOOF FREDDY ,  NEUHARD THOMAS

Inventor： HEINZ CLAUS ,  BAUMANN BERNHARD ,  MEYER ANDREAS ,  BAUMONT SEBASTIEN ,  BEAU GODEFROY ,  GEHRING ANDREAS ,  STOOF FREDDY ,  NEUHARD THOMAS

IPC: B29C44/12

CPC classification number: B29C44/351 ,  B29C44/1209 ,  B29C44/1257 ,  B29C44/143 ,  Y10T428/233 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24496 ,  Y10T428/24777

Abstract: The invention relates to a method for producing a component provided with a multipart cover layer and to the component provided with a multipart cover layer. The inventive method consists in placing at least two films (3, 4; 20, 21; 41, 42; 81, 82) in a second tool half of a tool provided with first (1) and second (2; 27; 40; 60; 80) halves which form a cavity in such a way that the films overlap at the ends thereof (5, 6; 22, 23; 43, 44; 83, 84) and in applying or spaying a foam material (7, 24) or an injection moulding material on the rear surfaces of the films, wherein the pressure produced in the overlapping area presses the internal end areas (6; 23; 44; 84) of the film (4; 21; 42; 82) against the external end areas (5; 22; 43; 83) of the other film (3; 20; 41; 81) in a foam or injection tight manner.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造具有多部分覆盖层的组件，以及一个组分与多部分覆盖层的方法。 用于生产包括以下步骤的部件的本发明方法：; 20，21; 41，42; a）将至少两个外壳（3，4中的第二工具81，82）半用空腔形成第一半模的工具（1） 和第二工具半部（2; 27; 40; 60; 80）彼此重叠以这种方式，在其端部区域（83，84 5，6; 22，23 ;; 43,44）的生皮; B）背发泡或背面模制生皮的有泡沫材料（7，24）或喷雾质谱，c）以在所述内端部区域（6重叠的区域施加真空; 23; 21;皮肤（4 84）; 44; 42; 82）到所述外端部（5; 22; 43; 83）的其它皮肤（3; 20; 41; 81）泡沫密封或压紧注射。

公开(公告)号：WO2008101739A3

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：PCT/EP2008001620

申请日：2008-02-20

Applicant: FAURECIA INNENRAUM SYS GMBH ,  VASILJ ANTE ,  WENDLAND STEFAN ,  HAUEL UWE ,  SPERLING ARTUR ,  GEHRING ANDREAS ,  BEAU GODEFROY ,  TALLEUY ERIC ,  SCHMIDT MARTIN

Inventor： VASILJ ANTE ,  WENDLAND STEFAN ,  HAUEL UWE ,  SPERLING ARTUR ,  GEHRING ANDREAS ,  BEAU GODEFROY ,  TALLEUY ERIC ,  SCHMIDT MARTIN

IPC: B29C51/10 ,  B29C45/14 ,  B29C51/26 ,  B29C51/42

CPC classification number: B29C45/1418 ,  B29C45/14262 ,  B29C45/14811 ,  B29C45/561 ,  B29C2045/14213 ,  B29C2045/14877 ,  B29L2031/3005

Abstract: The invention relates to a method for the back-moulding or the back injection moulding of a film, in particular a foam film. The method according to the invention comprises the following steps: a) the film is heated to the forming and embossing temperature; b) the film is placed between a first and a second mould half of an opened mould, the second mould half having an embossing pattern at least on part of the surface; c) the region of the film facing away from the embossing pattern is cooled, producing a temperature gradient in the film from the rear side to the front side, the front side of said film remaining at the embossing temperature; d) the film is pre-formed so that said film adapts better to the mould geometry; e) the film is pressed by suction onto the surface of the second mould half by applying a negative pressure in the region between the surface of the second mould half and the film; f) the region between the surface of the first mould half and the film is injected or back injection moulded with an injection moulding mass. The method according to the invention permits the back moulding and embossing of a foam film, whilst at least reducing the collapse of the foam film.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于背成型或薄膜的背面注射冲压，特别是泡沫薄片的方法。 本发明的方法包括以下步骤：a）加热所述薄膜以形成和Narbtemperatur; b）将第一和打开工具，第二半模之间的薄膜，其特征在于具有至少在其表面的局部区域中的晶粒的第二半模; c）冷却片材在其侧面背对粮食，后部区域，使从后到前的温度梯度的行驶中的膜，其中所述膜保留在其前侧Narbtemperatur被创建; D）预成形薄膜为薄膜对模具的几何形状的更好的适应; e）通过负压AnIegen在第二半模和所述膜的表面之间的区域中绘制所述膜至所述第二模具半部的表面上; F）注入或背注射模压在第一半模和所述膜的表面之间的区域中的注塑成型。 本发明的方法使得能够例如 注入泡沫片后面，设置有晶粒，由此发泡片材的塌陷至少减少。

公开(公告)号：WO2008094653A3

公开(公告)日：2008-09-12

申请号：PCT/US2008001292

申请日：2008-01-31

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES INC ,  GEHRING ANDREAS ,  WIATR MACIEJ ,  WEI ANDY ,  KAMMLER THORSTEN ,  SCOTT CASEY ,  BOSCHKE ROMAN

Inventor： GEHRING ANDREAS ,  WIATR MACIEJ ,  WEI ANDY ,  KAMMLER THORSTEN ,  SCOTT CASEY ,  BOSCHKE ROMAN

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636

Abstract: By providing a protection layer on a silicon/germanium material of high germanium concentration, a corresponding loss of strained semiconductor material may be significantly reduced or even completely avoided. The protection layer may be formed prior to critical cleaning processes and may be maintained until the formation of metal suicide regions. Hence, high performance gain of P-type transistors may be accomplished without requiring massive overfill during the selective epitaxial growth process.

Abstract translation: 通过在高锗浓度的硅/锗材料上提供保护层，相应的应变半导体材料的损失可以显着降低甚至完全避免。 保护层可以在关键的清洁过程之前形成，并且可以保持直到形成金属硅化物区域。 因此，可以在选择性外延生长工艺期间不需要大量过量填充来实现P型晶体管的高性能增益。

公开(公告)号：WO2009005785A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：PCT/US2008/008150

申请日：2008-06-30

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  FEUDEL, Thomas ,  LENSKI, Markus ,  GEHRING, Andreas

Inventor： FEUDEL, Thomas ,  LENSKI, Markus ,  GEHRING, Andreas

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78621

Abstract: By recessing portions of the drain and source areas on the basis of a spacer structure, the subsequent implantation process for forming the deep drain and source regions may result in a moderately high dopant concentration extending down to the buried insulating layer of an SOI transistor. Furthermore, the spacer structure maintains a significant amount of a strained semiconductor alloy with its original thickness, thereby providing an efficient strain- inducing mechanism. By using sophisticated anneal techniques, undue lateral diffusion may be avoided, thereby allowing a reduction of the lateral width of the respective spacers and thus a reduction of the length of the transistor devices. Hence, enhanced charge carrier mobility in combination with reduced junction capacitance may be accomplished on the basis of reduced lateral dimensions.

Abstract translation: 通过基于间隔结构凹陷漏极和源极区域的部分，用于形成深漏极和源极区域的后续注入工艺可导致向下延伸到SOI晶体管的掩埋绝缘层的适度高的掺杂剂浓度。 此外，间隔结构保持大量的具有其原始厚度的应变半导体合金，从而提供有效的应变诱导机制。 通过使用复杂的退火技术，可以避免不适当的横向扩散，从而允许减小各个间隔物的横向宽度，从而减小晶体管器件的长度。 因此，可以基于减小的横向尺寸来实现增强的载流子迁移率以及减少的结电容。

公开(公告)号：WO2008094653A2

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：PCT/US2008/001292

申请日：2008-01-31

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  GEHRING, Andreas ,  WIATR, Maciej ,  WEI, Andy ,  KAMMLER, Thorsten ,  SCOTT, Casey ,  BOSCHKE, Roman

Inventor： GEHRING, Andreas ,  WIATR, Maciej ,  WEI, Andy ,  KAMMLER, Thorsten ,  SCOTT, Casey ,  BOSCHKE, Roman

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636

Abstract: By providing a protection layer on a silicon/germanium material of high germanium concentration, a corresponding loss of strained semiconductor material may be significantly reduced or even completely avoided. The protection layer may be formed prior to critical cleaning processes and may be maintained until the formation of metal suicide regions. Hence, high performance gain of P-type transistors may be accomplished without requiring massive overfill during the selective epitaxial growth process.

Abstract translation: 通过在高锗浓度的硅/锗材料上提供保护层，应变半导体材料的相应损失可以被显着降低或甚至完全避免。 保护层可以在临界清洁工艺之前形成并且可以保持直到形成金属硅化物区域。 因此，P型晶体管的高性能增益可以在选择性外延生长工艺期间不需要大量的溢出而实现。

公开(公告)号：WO2008054679A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：PCT/US2007/022682

申请日：2007-10-26

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  GEHRING, Andreas ,  WEI, Andy ,  MOWRY, Anthony ,  RATHOR, Manuj

Inventor： GEHRING, Andreas ,  WEI, Andy ,  MOWRY, Anthony ,  RATHOR, Manuj

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: A method of forming a semiconductor structure comprises providing a semiconductor substrate comprising a first transistor element and a second transistor element. The first transistor element comprises at least one first amorphous region and the second transistor element comprises at least one second amorphous region. A stress-creating layer is formed over the first transistor element. The stress-creating layer does not cover the second transistor element. A first annealing process is performed. The first annealing process is adapted to re-crystallize the first amorphous region and the second amorphous region. After the first annealing process, a second annealing process is performed. The stress-creating layer remains on the semiconductor substrate during the second annealing process.

Abstract translation: 形成半导体结构的方法包括提供包括第一晶体管元件和第二晶体管元件的半导体衬底。 第一晶体管元件包括至少一个第一非晶区域，第二晶体管元件包括至少一个第二非晶区域。 应力产生层形成在第一晶体管元件上。 应力产生层不覆盖第二晶体管元件。 执行第一退火处理。 第一退火工艺适于重新结晶第一非晶区域和第二非晶区域。 在第一退火处理之后，执行第二退火处理。 应力产生层在第二退火处理期间保留在半导体衬底上。

公开(公告)号：WO2002073777A1

公开(公告)日：2002-09-19

申请号：PCT/DE2002/000420

申请日：2002-02-06

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  GEHRING, Andreas ,  BOHN, Roland ,  MUELLER, Peter

Inventor： GEHRING, Andreas ,  BOHN, Roland ,  MUELLER, Peter

IPC: H02K15/14

CPC classification number: H02K15/14 ,  H02K5/15 ,  Y10T29/49

Abstract: Ein Werkstück nach dem Stand der Technik hat Verstemmlaschen, mit denen ein Verstemmprozess aufgrund von Toleranzen schwierig zu beherrschen ist. Ein erfindungsgemässes Werkstück (1) hat Verstemmlaschen (3), die durch einen Steg (14) miteinander verbunden sind. Dadurch werden die Verstemmlaschen (3) verlängert, so dass der Verstemmprozess besser beherrschbar wird, weil die Verstemmlaschen (3) ein Bauteil (9) besser überdecken.

Abstract translation: 根据现有技术的工件具有铆接凸片与铆接过程难以控制因公差。 根据本发明的工件（1）具有铆接凸片（3）由web（14）被连接在一起。 由此，铆接片（3）延伸，以使铆接过程是更可控，因为翼片铆接（3）覆盖的部分（9）更好。

公开(公告)号：WO2006100117A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：PCT/EP2006/002944

申请日：2006-03-22

Applicant: FAURECIA INNENRAUM SYSTEME GMBH ,  HEINZ, Claus ,  BAUMANN, Bernhard ,  MEYER, Andreas ,  BEAUMONT, Sébastien ,  BEAU, Godefroy ,  GEHRING, Andreas ,  STOOF, Freddy ,  NEUHARD, Thomas

Inventor： HEINZ, Claus ,  BAUMANN, Bernhard ,  MEYER, Andreas ,  BEAUMONT, Sébastien ,  BEAU, Godefroy ,  GEHRING, Andreas ,  STOOF, Freddy ,  NEUHARD, Thomas

IPC: B29C44/12

CPC classification number: B29C44/351 ,  B29C44/1209 ,  B29C44/1257 ,  B29C44/143 ,  Y10T428/233 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24496 ,  Y10T428/24777

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils mit einer mehrteiligen Deckschicht sowie ein Bauteil mit einer mehrteiligen Deckschicht. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Bauteils umfasst die Schritte: a) Einlegen zumindest zweier Häute (3, 4; 20, 21; 41, 42; 81, 82) in die zweite Werkzeughälfte eines Werkzeuges mit einer eine Kavität bildenden ersten Werkzeughälfte (1) und zweiten Werkzeughälfte (2; 27; 40; 60; 80) auf diese Weise, dass die Häute sich in ihren Endbereichen (5, 6; 22, 23; 43, 44; 83, 84) überlappen; b) Hinterschäumen oder Hinterspritzen der Häute mit einer Schaummasse (7, 24) oder Spritzmasse, wobei c) durch Ausüben von Unterdruck im Bereich der Überlappung der innen liegende Endbereich (6; 23; 44; 84) der einen Haut (4; 21; 42; 82) an den außen liegenden Endbereich (5; 22; 43; 83) der anderen Haut (3; 20; 41; 81) schaum- dicht oder spritzgussdicht angedrückt wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造具有多部分覆盖层的组件，以及一个组分与多部分覆盖层的方法。 用于生产包括以下步骤的部件的本发明方法：; 20，21; 41，42; a）将至少两个外壳（3，4中的第二工具81，82）半用空腔形成第一半模的工具（1） 和第二工具半部（2; 27; 40; 60; 80）彼此重叠以这种方式，在其端部区域（83，84 5，6; 22，23 ;; 43,44）的生皮; B）背发泡或背面模制生皮的有泡沫材料（7，24）或喷雾质谱，c）以在所述内端部区域（6重叠的区域施加真空; 23; 21;皮肤（4 84）; 44; 42; 82）到所述外端部（5; 22; 43; 83）的其它皮肤（3; 20; 41;泡沫的81）被紧密地或致密地注射压制。

公开(公告)号：WO2008101739A2

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：PCT/EP2008/001620

申请日：2008-02-20

Applicant: FAURECIA INNENRAUM SYSTEME GMBH ,  VASILJ, Ante ,  WENDLAND, Stefan ,  HAUEL, Uwe ,  SPERLING, Artur ,  GEHRING, Andreas ,  BEAU, Godefroy ,  TALLEUY, Eric ,  SCHMIDT, Martin

Inventor： VASILJ, Ante ,  WENDLAND, Stefan ,  HAUEL, Uwe ,  SPERLING, Artur ,  GEHRING, Andreas ,  BEAU, Godefroy ,  TALLEUY, Eric ,  SCHMIDT, Martin

IPC: B29C51/10 ,  B29C51/26 ,  B29C51/42 ,  B29C45/14

CPC classification number: B29C45/1418 ,  B29C45/14262 ,  B29C45/14811 ,  B29C45/561 ,  B29C2045/14213 ,  B29C2045/14877 ,  B29L2031/3005

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Hinterspritzen oder Hinterspritzprägen einer Folie, insbesondere einer Schaumfolie. Das erfindungsgemäße Verfahren enthält die Schritte: a) Aufheizen der Folie auf Umform- und Narbtemperatur; b) Platzieren der Folie zwischen einer ersten und einer zweiten Werkzeughälfte eines geöffneten Werkzeuges, wobei die zweite Werkzeughälfte zumindest in einem Teilbereich ihrer Oberfläche eine Narbung aufweist; c) Abkühlen der Folie in ihrem der Narbung abgewandten, rückseitigen Bereich, so dass in der Folie ein von der Rückseite zur Vorderseite verlaufender Temperaturgradient erzeugt wird, wobei die Folie an ihrer Vorderseite auf Narbtemperatur bleibt; d) Vorformen der Folie zur besseren Anpassung der Folie an die Werkzeuggeometrie; e) Ansaugen der Folie an die Oberfläche der zweiten Werkzeughälfte durch AnIegen von Unterdruck im Bereich zwischen Oberfläche der zweiten Werkzeughälfte und Folie; f) Einspritzen oder Hinterspritzprägen einer Spritzgießmasse im Bereich zwischen Oberfläche der ersten Werkzeughälfte und Folie. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht, z.B. eine Schaumfolie zu Hinterspritzen und mit einer Narbung zu versehen, wobei ein Kollabieren der Schaumfolie zumindest reduziert ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于背成型或薄膜的背面注射冲压，特别是泡沫薄片的方法。 本发明的方法包括以下步骤：a）加热所述薄膜以形成和Narbtemperatur; b）将第一和打开工具，第二半模之间的薄膜，其特征在于具有至少在其表面的局部区域中的晶粒的第二半模; c）冷却片材在其侧面背对粮食，后部区域，使从后到前的温度梯度的行驶中的膜，其中所述膜保留在其前侧Narbtemperatur被创建; D）预成形薄膜为薄膜对模具的几何形状的更好的适应; e）通过负压AnIegen在第二半模和所述膜的表面之间的区域中绘制所述膜至所述第二模具半部的表面上; F）注入或背注射模压在第一半模和所述膜的表面之间的区域中的注塑成型。 本发明的工艺允许，例如 提供一种用于背成型，并用颗粒，由此发泡片材的塌陷至少减少泡沫片。