公开(公告)号：WO2010127994A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：PCT/EP2010/055841

申请日：2010-04-29

Applicant: CONTINENTAL TEVES AG & CO. OHG ,  HARTMANN, Bernhard ,  ECKERT, Alfred ,  FRITZ, Stefan ,  ROLL, Georg

Inventor： HARTMANN, Bernhard ,  ECKERT, Alfred ,  FRITZ, Stefan ,  ROLL, Georg

IPC: B60T8/1755

CPC classification number: B60T8/17558 ,  B60T8/17551 ,  B60T2201/022 ,  B60T2201/122

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Regelung bzw. Steuerung der Fahrstabilität eines Fahrzeuges und zur Kollisionsvermeidung mit einem in der Fahrspur befindlichen Objekt. Ferner betrifft die Erfindung einen Fahrstabilitätsregler. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Regelung bzw. Steuerung der Fahrstabilität eines Fahrzeuges und zur Kollisionsvermeidung mit einem in der Fahrspur befindlichen Objekt, weist die folgenden Schritte auf : Ermitteln anhand von Umfeldsignalen ob eine fahrdynamisch kritische Situation, insbesondere eine bevorstehende Kollision, vorliegt, Berechnen einer Ausweichbahn bei vorliegender fahrdynamisch kritischer Situation, Ermitteln anhand von mehreren Eingangsgrößen Drücke für einzelnen Bremsen des Fahrzeuges, und Aktivieren von vorbereitenden Maßnahmen des Fahrdynamikreglers, insbesondere dynamisches Umschalten von Regelparametern, wenn die fahrdynamisch kritische Situation vorliegt. Die Vorrichtung und der Fahrstabilitätsregler sind zur Durchführung des Verfahrens geeignet.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，以及用于调节或控制车辆的行驶稳定性和用于避免与位于车道的物体的碰撞的装置。 此外，本发明涉及一种行驶稳定性控制。 用于调节或控制车辆的行驶稳定性和用于避免与位于车道物体碰撞本发明的方法，包括以下步骤：基于环境信号是否临界行驶的情况下，特别是即将发生的碰撞的存在，计算回避路径 驱动动力学目前的情况关键的，确定基于多个用于车辆的单独的制动器，和的驱动动态控制器准备措施激活，在当紧急行驶的情况是本发明的控制参数特定的动态切换的输入变量的压力。 的装置和适合于实现该方法的驱动稳定性的控制器。

公开(公告)号：WO2004081495A3

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：PCT/US2004006453

申请日：2004-03-03

Applicant: BEI TECHNOLOGIES INC ,  CONTI TEMIC MICROELECTRONIC ,  CONTINENTAL TEVES AG & CO OHG ,  YAN HAI ,  BURGHARDT ROLAND ,  HARTMANN BERNHARD ,  KAPSER KONRAD ,  ROSE MATTHIAS

Inventor： YAN HAI ,  BURGHARDT ROLAND ,  HARTMANN BERNHARD ,  KAPSER KONRAD ,  ROSE MATTHIAS

IPC: G01C19/5712 ,  G01C19/56

CPC classification number: G01C19/5719 ,  Y10T74/1275

Abstract: Micromachined vibratory gyroscope having two or more coplanar movable masses suspended over a planar substrate. Two perpendicular axes (x and y) are defined within the substrate plane, while a third, the z-axis or input axis, is defined to be perpendicular to the substrate plane. The movements of the two masses along the x-axis are coupled through an electrostatic coupling means so that the natural resonant frequency of the in-phase mode and that of the anti-phase mode are separated from each other for the resonances along the x-axis. When the two masses are driven to vibrate along the x-axis in the anti-phase mode and the device experiences rotation about the z-axis, Coriolis forces act differentially on the masses in the Y­direction, causing the two masses to dither in an anti-phase motion along the y-axis. The anti-phase dithering along the y-axis can be sensed directly by a rate sensor to measure the rate of rotation about the z-axis. Alternatively, the anti-phase dithering of the first and second bodies along the y-axis can be transferred to other movable bodies (i.e., rate-sensing masses) whose movement is then sensed to measure the rate of rotation about the z-axis. The sensing bodies are preferably suspended in such manner that, in the absence of Coriolis forces, the x-axis motion of the vibrating masses does not affect the sensing bodies. That inhibits motion of the sensing bodies in response to linear acceleration within the plane of the substrate, but permits those bodies to respond readily to the Corollas-induced motion about an axis perpendicular to the substrate plane.

Abstract translation: 微机械振动陀螺仪具有悬挂在平面基板上的两个或更多个共面可移动质量块。 两个垂直轴（x和y）被限定在衬底平面内，而第三个z轴或输入轴被定义为垂直于衬底平面。 沿着x轴的两个质量块的移动通过静电耦合装置耦合，使得同相模式和反相模式的固有谐振频率彼此分离，用于沿x轴的谐振， 轴。 当两个质量被驱动以反相模式沿着x轴振动并且该装置经历围绕z轴的旋转时，科里奥利力在Y方向上的质量作用差异地导致两个质量在反向 沿y轴的相位运动。 可以通过速率传感器直接感测沿y轴的反相抖动，以测量围绕z轴的旋转速率。 或者，沿着y轴的第一和第二主体的相位抖动可以传递到其它可移动体（即，速率感测质量），其移动然后被感测以测量围绕z轴的旋转速率。 感测体优选地以这样的方式悬挂，即在没有科里奥利力的情况下，振动块的x轴运动不影响感测体。 这可以抑制感测体响应于衬底平面内的线性加速度的运动，但是允许这些物体容易地响应于围绕垂直于衬底平面的轴的花冠诱发的运动。

公开(公告)号：WO2008077821A3

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：PCT/EP2007063975

申请日：2007-12-14

Applicant: CONTINENTAL TEVES AG & CO OHG ,  VTI TECHNOLOGIES OY ,  HARTMANN BERNHARD ,  HILSER ROLAND ,  KUISMA HEIKKI ,  TORKKELI ALTTI

Inventor： HARTMANN BERNHARD ,  HILSER ROLAND ,  KUISMA HEIKKI ,  TORKKELI ALTTI

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L23/055 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00301 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a method for producing an encapsulation module (A) and/or for encapsulating a micromechanical arrangement, wherein electronic connection means, such as through contacts (2), electrical lines, contacts and/or electronic structures are produced from a blank (1) of electrically conducting semiconductor material, in particular, doped silicon, by means of one or more structuring processes and/or etching processes, wherein in the process of the formation of the electronic connector means, a plinth (6) of the semiconductor material is generated on which the electronic connector means are arranged, subsequently being embedded in an embedding material (9) and the embedding material and/or the semiconductor plinth (6) are removed after the embedding to the extent that a defined number of the electronic connector means have electrical contact on at least one of the outer surfaces (7, 8) of the encapsulation module (A) and during the process of the formation of the electronic connector means with the at least one structuring and/or etching process at least one isolated material mound on each of which a through contact (2) is arranged, are formed on the plinth of the semiconductor material (6), which forms a semiconductor electrode (3). The invention further relates to an encapsulation module and/or a micromechanical arrangement with at least one through contact (2) and at least one semiconductor electrode (3) and the use thereof in motor vehicles.

Abstract translation: 一种用于生产Verkapselungsmoduls和用于微机械组件的封装方法，所述电子制成的生坯的导电连接装置的半导体材料形成，其中，在形成所述电子连接的过程是指在半导体材料构成的基材，在其上elektronischen.Anschlüssmittel布置，其随后结果 嵌入与在形成电子连接的过程中，半导体材料的基础上，是指嵌入材料; 在其上经由被布置在至少一个岛状材料山，形成，它代表了半导体电极。 本发明另外涉及一种封装模块和具有经由至少一个和至少一个半导体电极以及在机动车辆中使用的微型机械装置。

公开(公告)号：WO2004026759A2

公开(公告)日：2004-04-01

申请号：PCT/DE2003/003049

申请日：2003-09-12

Applicant: CONTI TEMIC MICROELECTRONIC GMBH ,  AIKELE, Matthias ,  ENGELHARDT, Albert ,  FREY, Marcus ,  HARTMANN, Bernhard ,  SEIDEL, Helmut

Inventor： AIKELE, Matthias ,  ENGELHARDT, Albert ,  FREY, Marcus ,  HARTMANN, Bernhard ,  SEIDEL, Helmut

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0178

Abstract: Die Erfindung betrifft Verfahren zum Herstellen von Isolationsstrukturen für mikromechanischen Sensoren in einkristalliner Oberflächentechnologie. Bei bekannten Verfahren werden durch tiefe Trenchgräben definierte Siliziumstrukturen geätzt und durch einen "Release-Etch" Schritt auch auf ihrer Unterseite zum Substrat hin freigelegt. Anschliessendens Auffüllen dieser Gräben mit einem dielektrisch isolierenden Material, wie zum Beispiel Siliziumdioxid, führt zu einer festen Verankerung durch eine dreiseitige, einseitig offene Umklammerung der Siliziumstruktur mit aufgefüllten Trenchgräben. Der wesentliche Gedanke der Erfindung ist, anstelle des Auffüllens von Gräben die Umwandlung von dünnwandigem Silizium in ein elektrisch nichtleitendes Material vorzunehmen. Dies kann zum Beispiel mit Hilfe einer thermischen Oxidation von schmalen, zuvor durch Trenchgräben freigelegten Siliziumstegen bewerkstelligt werden. In der Minimalkonfiguration müssen dazu zwei Trenchgräben (Löcher) pro Steg mit der gewünschten Strukturtiefe geätzt werden. Der dazwischenliegende Siliziumsteg muss schmal genug sein, um vollständig thermisch durchoxidiert werden zu können.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造微机械传感器的隔离结构在单晶表面的技术。 在已知的方法中定义的硅结构进行蚀刻，并通过在其底侧朝向由深沟槽基板“释放蚀刻”步骤露出。 这些沟槽与介电绝缘材料，例如二氧化硅的Anschliessendens填充，导致固定锚固由三面，在所述硅结构的一侧把持与填充沟槽打开。 本发明的基本思想是使沟槽代替累积薄壁硅的转化在非导电材料制成。 这可以实现，例如，使用的窄热氧化，预先通过沟槽硅腹板露出。 在最小配置，每幅两个沟槽（空穴），其具有要与所期望的图案的深度进行蚀刻。 中间硅鳍必须足够窄以被完全热通过向氧化。

公开(公告)号：WO2008077821A2

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/EP2007/063975

申请日：2007-12-14

Applicant: CONTINENTAL TEVES AG & CO. OHG ,  VTI TECHNOLOGIES OY ,  HARTMANN, Bernhard ,  HILSER, Roland ,  KUISMA, Heikki ,  TORKKELI, Altti

Inventor： HARTMANN, Bernhard ,  HILSER, Roland ,  KUISMA, Heikki ,  TORKKELI, Altti

IPC: B81B7/00

CPC classification number: H01L23/055 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00301 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Verkapselungsmoduls (A) und/oder zur Verkapselung einer mikromechanischen Anordnung, wobei aus einem Rohkörper (1) elektrisch leitenden Halbleitermaterials, insbesondere aus dotierten Silizium, elektronische Anschlussmittel, wie Durchkontaktierungen (2), elektrische Leitungen, Kontakte und/oder elektronische Strukturen, durch einen oder mehrere Strukturierungsprozesse und/oder Ätzprozesse ausgebildet werden, wobei im Zuge der Ausbildung der elektronischen Anschlussmittel ein Sockel (6) des Halbleitermaterials entsteht, auf welchem die elektronischen Anschlussmittel angeordnet sind, wobei diese anschließend mit einem Einbettungsmaterial (9) eingebettet werden und das Einbettungsmaterial und/oder der Halbleitersockel (6) nach dem Einbetten soweit entfernt werden, dass eine definierte Anzahl der elektronischen Anschlussmittel elektrische Kontakte an mindestens einer der Außenflächen (7, 8) des so hergestellten Verkapselungsmoduls (A) aufweist, wobei im Zuge der Ausbildung der elektronischen Anschlussmittel, durch den mindestens einen Strukturierungs- und/oder Ätzprozess, auf dem Sockel des Halbleitermaterials (6), mindestens ein inselförmiger Materialhügel, auf dem/denen insbesondere jeweils eine Durchkontaktierung (2) angeordnet ist, ausgebildet wird, welcher eine Halbleiter-Elektrode (3) verkörpert. Die Erfindung betrifft zusätzlich ein Verkapselungsmodul und/oder eine mikromechanische Anordnung mit wenigstens einer Durchkontaktierung (2) und mindestens einer Halbleiter-Elektrode (3) sowie die Verwendung in Kraftfahrzeugen.

Abstract translation: 一种用于生产Verkapselungsmoduls（A）和方法/或用于微机械组件的封装，其特征在于，一个绿色主体（1）的导电半导体材料，特别是掺杂硅，电子连接装置，如通孔（2），电布线，接触和/或电子的 结构可以由一个或多个图案化工艺和/或蚀刻工艺来形成，其中，在形成所述电子连接装置，底座的过程（6）形成在半导体材料，在其上的电子连接装置被安排成，然后与包埋材料（9）被嵌入的 和所述灌封材料和/或嵌入可被移除的程度，定义电子连接数是指在所述外表面中的至少一个电触点之后所述半导体基体（6）（7，8）的Verkapselungsmoduls的由此制备的（a），其中，所述 形成电子连接装置的过程中，由所述至少一种结构化和/或蚀刻工艺的半导体材料的基体上形成的（6），至少一个岛状材料山设置于/其特别在每种情况下金属化通孔（2），其 半导体电极（3）实施。 本发明另外涉及一种封装模块和/或具有通孔（2）和至少一个半导体电极（3）的至少一个的微型机械装置以及机动车辆中使用。

公开(公告)号：WO2006034706A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：PCT/DE2005/001773

申请日：2005-09-27

Applicant: CONTI TEMIC MICROELECTRONIC GMBH ,  HARTMANN, Bernhard ,  KAPSER, Konrad ,  GOTTINGER, Reinhard ,  GÜNTHNER, Stefan

Inventor： HARTMANN, Bernhard ,  KAPSER, Konrad ,  GOTTINGER, Reinhard ,  GÜNTHNER, Stefan

IPC: G01C19/56

CPC classification number: G01C19/5747

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Drehratensensor mit einem Substrat, wenigstens einem Basiselement (1), das einen Rahmen (2), eine Aufhängung (7) des Rahmens (2) am Substrat, zumindest eine Schwingeinrichtung (3) und eine Aufhängung (4, 5) der Schwingeinrichtung (3) am Rahmen (2) umfasst, einem Antriebsmittel (8) und einer Ausleseeinrichtung (9, 10). Erfindungsgemäß ist das Antriebsmittel (8) derart ausgebildet, dass es auf den Rahmen (2) des Basiselementes (1) einwirkt.

Abstract translation: 本发明涉及一种旋转率传感器具有一个基板，至少一个基体元件（1），包括框架（2），悬浮液（7）的框架（2）在所述基板上，至少一个振动装置（3）和悬浮液（4，5） 框架上的摆动装置（3）（2），驱动装置（8）和一个读出装置（9，10）。 根据本发明的驱动装置（8）被设计为使得它作用在所述框架上的基部元件（2）（1）。

公开(公告)号：WO2005088317A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：PCT/EP2005/051213

申请日：2005-03-16

Applicant: CONTINENTAL TEVES AG & CO.OHG ,  LOHBERG, Peter ,  KOLBE, Alexander ,  HARTMANN, Bernhard

Inventor： LOHBERG, Peter ,  KOLBE, Alexander ,  HARTMANN, Bernhard

IPC: G01P15/08

CPC classification number: G01P15/0888 ,  G01P15/18

Abstract: Es wird eine Sensoranordnung zur Erfassung von Bewegungen vor- geschlagen, die als monolithische Anordnung ausgeführt ist und in der mehrere Sensoren integriert sind. Ein erster Sensor ist zur Erfassung einer linearen Beschleunigung vorgesehen und ein zweiter Sensor zur Erfassung einer Drehrate. Schliesslich umfasst die Sensoranordnung einen dritten Sensor zur Erfassung einer Drehbeschleunigung.

Abstract translation: 提出了一种用于检测运动的传感器组件，其被设计为单片组件，且其中多个传感器被集成。 第一传感器被设置用于检测线性加速度和用于检测旋转速率的第二传感器。 最后，该传感器装置包括用于检测一个旋转加速度的第三传感器。

公开(公告)号：WO2007104742A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：PCT/EP2007/052304

申请日：2007-03-12

Applicant: CONTINENTAL TEVES AG & CO. OHG ,  GÜNTHNER, Stefan ,  HARTMANN, Bernhard

Inventor： GÜNTHNER, Stefan ,  HARTMANN, Bernhard

IPC: G01C19/56

CPC classification number: G01C19/574 ,  G01C19/5712 ,  G01P15/0888 ,  Y10T29/49124

Abstract: Drehratensensor mit Kopplungsbalken Drehratensensor (1) umfassend zumindest ein Substrat (2), wobei die Grundfläche des Substrats (2) parallel zur x-y-Ebene eines kartesischen Koordinatensystems ausgerichtet ist, mindestens zwei Basiselemente (9,10), welche jeweils einen Rahmen (7,8), eine Aufhängung des Rahmens am Substrat, zumindest eine seismische Masse (3,4,5,6) und eine Aufhängung (41,42) der seismischen Masse am Rahmen (7,8) aufweisen, mit einem oder mehreren Antriebsmitteln zum Antreiben eines oder mehrerer Basiselemente und einer oder mehreren Ausleseeinrichtungen (16), wobei die zumindest zwei Basiselemente (9,10) durch mindestens einen Kopplungsbalken (11,12,13,14) miteinander gekoppelt sind.

Abstract translation: 的速率具有旋转传感器联接杆转速传感器（1），包括至少在基板（2），其中所述衬底的所述底表面（2）的取向平行于xy平面的笛卡尔坐标系统的，至少两个基体单元（9,10）的每个具有框架（7， 8），悬浮液中的帧到基底的，至少一个地震震动质量（3,4,5,6-）和悬浮液（41,42）包括地震质量相对于框架（7,8），与一个或多个驱动装置，用于驱动 一个或多个基本元素和一个或多个读取装置（16），所述至少两个基体单元（9,10）通过至少一个连接杆（11,12,13,14）耦合在一起。

公开(公告)号：WO2007104289A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：PCT/DE2007/000445

申请日：2007-03-12

Applicant: CONTI TEMIC MICROELECTRONIC GMBH ,  HARTMANN, Bernhard ,  GÜNTHNER, Stefan

Inventor： HARTMANN, Bernhard ,  GÜNTHNER, Stefan

IPC: G01C19/56 ,  G01P9/04

CPC classification number: G01C19/5762 ,  G01C19/5747

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen mikromechanischen Drehratensensor mit einem Substrat (9), wenigstens einem am Substrat (9) durch zumindest ein Federelement (11, 11') aufgehängten Basiselement (1), das zumindest eine seismische Masse (3) umfasst, einem Anregungsmittel (8) und mit einer Ausleseeinrichtung (15). Erfindungsgemäß ist das Federelement (11, 11') senkrecht zur Bewegungsrichtung (x, y) des Basiselementes (1) bewegbar.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有基片（9），所述衬底中的至少一个微机械旋转速率传感器（9）由悬浮至少一个弹簧元件（11，11“）基体部件（1），包括至少一个地震质量块（3），（兴奋剂 8）和（具有读出装置15）。 根据本发明，弹性元件（11，11“）垂直于基座元件的运动方向（X，Y）（1）是可移动的。

公开(公告)号：WO2004026759A3

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：PCT/DE0303049

申请日：2003-09-12

Applicant: CONTI TEMIC MICROELECTRONIC ,  AIKELE MATTHIAS ,  ENGELHARDT ALBERT ,  FREY MARCUS ,  HARTMANN BERNHARD ,  SEIDEL HELMUT

Inventor： AIKELE MATTHIAS ,  ENGELHARDT ALBERT ,  FREY MARCUS ,  HARTMANN BERNHARD ,  SEIDEL HELMUT

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0178

Abstract: The invention relates to methods for producing insulation structures for micromechanical sensors according to a monocrystalline surface technique. According to known methods, silicon structures defined by deep trenches are etched and the lower side thereof facing the substrate is exposed by a release etch step. The filling of said trenches with a dielectrically insulating material, such as silicon dioxide, enables the silicon structure to be solidly clutched on three sides. The invention is based on the fact that instead of filling trenches, thin-walled silicon is converted into an electrically non-conductive material. This can be carried out, for example, by means of thermal oxidation of narrow silicon sections previously exposed by trenches. In a minimal configuration, two trenches (holes) must be etched per section with the desired structural depth. The interlying silicon section must be narrow enough to be able to be fully thermally oxidised.

Abstract translation: 本发明涉及用于制造单晶表面技术中的微机械传感器的绝缘结构的方法。 在已知的方法中，由深沟槽沟槽限定的硅结构通过释放 - 蚀刻步骤被蚀刻并且在其底侧上暴露于衬底。 随后，用诸如二氧化硅的介电绝缘材料填充这些沟槽，导致通过三面单侧开口Umklammerung牢固地锚固具有填充沟槽的硅结构。 本发明的基本思想是将薄壁硅转变成不导电材料而不是填入沟槽中。 这可以例如通过先前由沟槽暴露的窄硅网的热氧化来实现。 在最小配置中，每个条纹的两个沟槽（孔）必须用所需的纹理深度进行蚀刻。 插入的硅棒必须足够窄，才能被热完全氧化。