公开(公告)号：WO2013064229A3

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：PCT/EP2012004483

申请日：2012-10-26

Applicant: CT THERM SITEC GMBH ,  VOLLMAR WILFRIED ,  GRUNDMANN FRANK

Inventor： VOLLMAR WILFRIED ,  GRUNDMANN FRANK

IPC: H02M5/12 ,  H02M5/257

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  H02M5/12 ,  H02M5/257

Abstract: The invention relates to a device and a method for applying a voltage to a plurality of silicon rods in a CVD reactor. In each case, a series circuit, in which the silicon rods can be used as resistors, at least one first, at least one second and least one third power supply unit and at least one short-circuit device are provided. The short-circuit unit can be controlled in a suitable way to connect the outer ends of the series circuit to one another and to ground. At least one control unit for controlling the first, second and third power supply units and the short-circuit device is also provided, wherein the first power supply unit has a plurality of first transformers, the outputs of which are each connected to at least one silicon rod in the series, wherein the second power supply unit has a plurality of second transformers, the outputs of which are each connected to at least the same number of silicon rods as the first transformers in the series, specifically in parallel with one or more of the first transformers, and wherein the third power supply unit has outputs which are connected to the series of silicon rods, specifically in parallel with the first and second transformers. The short-circuit device has a line connecting the outer ends of the series circuit, in which line at least one resistor or a secondary side of a transformer and at least one switch are provided. The control unit is connected to at least one ammeter for measuring a current flow through the resistor or to a voltmeter for measuring a voltage on the primary side of the transformer.

Abstract translation: 描述了用于在CVD反应器中向多个硅棒施加电压的装置和方法。 在每种情况下，提供其中硅棒可用作电阻器的串联连接，提供至少一个第一，至少一个第二和至少一个第三电源单元以及至少一个短路装置。 短路单元可适当地控制以将串联电路的外端彼此连接并接地。 此外，用于控制第一，第二和第三电源装置和短路装置的控制单元至少被设置，其中所述第一电源单元包括多个第一变压器，其输出是各自与至少一个硅棒连接在所述系列中，其中，所述第二电源单元包括多个的 具有第二变压器，它们的输出分别连接到至少相同数量的硅棒作为系列中的第一变压器，并且其中所述第三电源单元包括与一个或更多个第一变压器的并联，并且其输出端连接到硅棒的数量 ，平行于第一和第二变压器。 短路装置具有的串联电路的连接线，电阻器或变压器的次级侧和至少一个开关的外端部在所述至少提供。 所述控制单元被连接到至少一个电流表，用于测量通过该电阻或电流流动为在变压器的初级侧测量的电压的电压表。

公开(公告)号：WO2012010329A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：PCT/EP2011/003724

申请日：2011-07-25

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  VOLLMAR, Wilfried

Inventor： VOLLMAR, Wilfried

IPC: C01B33/035 ,  H02M5/22 ,  G05D23/19 ,  H02M5/12 ,  H02M5/25

CPC classification number: C23C16/24 ,  C01B33/035

Abstract: A method and a device for igniting silicon rods outside a CVD-reactor for preparing silicon rods for subsequent processing in a CVD-reactor are described. In the method, a silicon rod is disposed inside an ignition device, and a first voltage is applied to the silicon rod by means of a first power supply unit, wherein the voltage is sufficient to ignite the silicon rod. Optionally, the silicon rod may be heated by means of a current flow and/or by means of an external heating unit to a temperature within a predetermined temperature range, thereafter. The silicon rod is removed from the ignition device and may be exposed to a depositing process inside a CVD-reactor, thereafter. The ignition of the silicon rod outside the CVD-reactor facilitates a new ignition for the depositing process. The device comprises a casing having a chamber for receiving at least one silicon rod. In the chamber, at least one pair of contact electrodes is arranged, in order to hold at least one silicon rod therebetween. Furthermore, a first power supply unit having at least one transformer is provided, wherein each output of the transformer is connected to one contacting electrode of a pair, respectively. The transformer comprises an open circuit voltage which is sufficiently high, in order to initialize a current flow in the silicon rod.

Abstract translation: 描述了用于点燃CVD反应器外部的硅棒以制备用于在CVD反应器中进行后续处理的硅棒的方法和装置。 在该方法中，将硅棒设置在点火装置的内部，并且通过第一电源单元向硅棒施加第一电压，其中电压足以点燃硅棒。 任选地，硅棒可以通过电流和/或借助于外部加热单元加热至预定温度范围内的温度。 硅棒从点火装置移除，然后暴露于CVD反应器内的沉积工艺。 CVD反应器外的硅棒点火有利于沉积过程的新点火。 该装置包括具有容纳至少一个硅棒的腔室的壳体。 在腔室中，布置有至少一对接触电极，以便在其间保持至少一个硅棒。 此外，提供具有至少一个变压器的第一电源单元，其中变压器的每个输出分别连接到一对的一个接触电极。 变压器包括足够高的开路电压，以便初始化硅棒中的电流。

公开(公告)号：WO2010121871A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：PCT/EP2010/053575

申请日：2010-03-18

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  RISCHE, Daniel

Inventor： RISCHE, Daniel

IPC: C01B33/107

CPC classification number: C01B33/1071

Abstract: The invention is related to a method for measuring the conversion rate of a reaction during the conversion of Silicon tetraxchloride with hydrogen to trichlorsilan and hydrogenchloride in a conversion reactor. It is an object of the invention to develop a method for measuring the conversion rate with a method which can be easily operated, requiring a low machine-aided effort and which is low failure and accident-sensitive. The method operates by measuring the amount of the reaction product hydrogenchloride formed during the conversion in the reactor by discharging a given sample of the reaction product hydrogenchloride from the gas mixture leaving the reactor in a given amount of a sample liquid and subsequent measuring of the pH value of the resulting aqueous Solution of the hydrogenchloride.

Abstract translation: 本发明涉及一种在转化反应器中测量四氯化硅与氢气转化为三氯甲硅烷和氯化氢的反应转化率的方法。 本发明的目的是开发一种用易于操作的方法来测量转换率的方法，需要较低的机器辅助力并且低故障和事故敏感性。 该方法通过测量在反应器中转化期间形成的反应产物的氯化氢的量，通过从给出的量的样品液体离开反应器的气体混合物中排出来自反应产物的氯化氢的给定样品，随后测量pH 所得到的氯化氢水溶液的值。

公开(公告)号：WO2010049185A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：PCT/EP2009/058674

申请日：2009-07-08

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  VOLLMAR, Wilfried

Inventor： VOLLMAR, Wilfried

IPC: H05B37/00

CPC classification number: H05B39/08 ,  G05F1/20 ,  H02M5/12 ,  H02M5/257

Abstract: Der Erfindung, welche eine Anordnung und ein Verfahren zur Phasenanschnitt-Steuerung betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, eine Phasenanschnitt-Steuerung anzugeben, mit welcher der Aufwand und die Kosten bei der Herstellung und Funktionskontrolle vermindert werden. Diese Aufgabe wird anordnungsseitig dadurch gelöst, dass alle steuerbaren elektrischen Schaltmittel mit einem gemeinsamen Steller welcher einen ersten Eingang für ein erstes Steuersignal aufweist, verbunden sind. Die Aufgabe wird verfahrensseitig dadurch gelöst, dass der Sollwert einem Mittel zur Steuerung der steuerbaren elektrischer Schaltmittel als eine erste Eingangsgrösse vorgegeben wird, dass der jeweils durch ein Schaltmittel fliessende Strom gemessen und an das Mittel zur Steuerung der Schaltmittel als eine jeweilige zweite Eingangsgrösse übertragen wird, dass der aktuelle Wert der Spannung an der Last gemessen und an das Mittel zur Steuerung der Schaltmittel als eine dritte Eingangsgrösse übertragen wird, und dass das Mittel zur Steuerung der Schaltmittel gesteuert durch die erste, zweite und dritte Eingangsgrösse alle Schaltmittel steuert, wobei maximal zwei Schaltmittel gleichzeitig aktiv sind.

Abstract translation: 本发明，其涉及一种装置和用于相位控制的方法，其目的是提供与该复杂度和成本可以在生产和功能控制来降低相位控制。 这个目的是通过排列侧所有可控电气开关装置具有用于与公共控制器的第一控制信号的第一输入解决，被连接。 对象是该方法，解决了，所述设定值是用于控制可控电气开关装置的装置设置为被测量在每种情况下流动的电流由一个开关装置和传送到用于控制该开关装置作为一个相应的第二输入变量的装置的第一输入值， 该电压的当前值在负载被测量并且传送到用于控制开关装置的装置作为第三输入变量，并且用于控制开关装置的装置由所述第一，第二和第三输入可变控制所有的开关装置，控制其中一个最大的两个开关装置 同时激活。

公开(公告)号：WO2016105507A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/US2015/000241

申请日：2015-12-23

Applicant: SITEC GMBH ,  DASSEL, Mark, W.

Inventor： DASSEL, Mark, W. ,  KERAT, Uwe ,  BRESSLER, David, A.

IPC: B01J8/24 ,  B01J8/18 ,  C01B33/021

CPC classification number: C23C16/442 ,  C01B33/029 ,  C01B33/03 ,  C09D1/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/52

Abstract: Mechanically fluidized systems and processes allow for efficient, cost-effective production of silicon. Particulate may be provided to a heated tray or pan, which is oscillated or vibrated to provide a reaction surface. The particulate migrates downward in the tray or pan and the reactant product migrates upward in the tray or pan as the reactant product reaches a desired state. Exhausted gases may be recycled.

Abstract translation: 机械流化系统和工艺允许高效，成本有效地生产硅。 颗粒可以被提供到加热的托盘或盘，其被振荡或振动以提供反应表面。 颗粒在托盘或盘中向下移动，并且当反应物产物达到所需状态时，反应物产物在托盘或盘中向上移动。 废气可以回收利用。

公开(公告)号：WO2011157382A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：PCT/EP2011/002858

申请日：2011-06-10

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  HUSSY, Stephan ,  HOESS, Christian

Inventor： HUSSY, Stephan ,  HOESS, Christian

IPC: C03B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B29/06

CPC classification number: F27B14/04 ,  C01B33/021 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/04 ,  C30B29/06

Abstract: Die Anmeldung beschreibt eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines polykristallinen Siliziumblocks, in einem in einer Prozesskammer angeordneten Schmelztiegel, der mit Siliziummaterial befüllt ist. Das Siliziummaterial wird im Schmelztiegel aufgeschmolzen um eine Siliziumschmelze zu bilden und wird anschließend unter die Erstarrungstemperatur des Siliziums abgekühlt. Während eines Abschnitts des Prozesses kann ein in der Prozesskammer befindliches, eine Durchgangsöffnung aufweisendes Plattenelement über der Siliziumschmelze angeordnet sein/werden und im Schmelztiegel unter die Erstarrungstemperatur der Siliziumschmelze; und eine Gasströmung wenigstens teilweise über die wenigstens eine Durchgangsöffnung in dem Plattenelement auf die Oberfläche der Siliziumschmelze gerichtet werden. Alternativ sind ein Verfahren und eine Schmelztiegelanordnung bestehend aus einem Schmelztiegel und einem Haltering beschrieben. Der Haltering kann auf oder oberhalb eines mit Siliziummaterial befüllten Schmelztiegel platziert werden, sodass zusätzliches Siliziummaterial derart in dem Haltering aufgenommen werden kann, dass das zusätzliche Siliziummaterial durch den Haltering oberhalb des Schmelztiegels gehalten wird. Beim Aufheizen des Siliziummaterials im Schmelztiegel und des zusätzlichen Siliziummaterials im Haltering wird eine Siliziumschmelze im Schmelztiegel gebildet die anschließend unter die Erstarrungstemperatur des Siliziums abgekühlt werden kann.

Abstract translation: 该申请描述了一种装置和用于生产多晶硅锭，在设置于该坩埚，其填充有硅材料的处理腔室的气缸的方法。 硅材料在坩埚中熔化到硅熔体中，以形成并随后冷却至低于硅的固化温度。 在该过程的一部分可以在处理室中的玩具可以是位于硅熔体之上的通孔参展板构件/是在坩埚和下面的硅熔体的凝固温度; 和气体流至少部分地由通道开口在板构件上的至少所述硅熔体的表面被引导。 可替代地，一种方法和一种坩埚组件被描述，由坩埚和一个保持环。 保持环可以被放置在或高于填充有硅材料的坩埚，使得额外的硅材料可以在保持环内被接收，该额外的硅材料通过坩埚上方的保持环保持。 期间在所述坩埚和在所述保持环的额外的硅材料中的硅材料的加热，形成在其然后可以低于硅的固化温度冷却所述坩埚的硅熔体。

公开(公告)号：WO2010115542A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：PCT/EP2010/001985

申请日：2010-03-29

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  STUBHAN, Frank ,  LECK, Michael

Inventor： STUBHAN, Frank ,  LECK, Michael

IPC: C01B33/02

CPC classification number: C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C30B13/285

Abstract: A clamping and contacting device for mounting and electrically contacting thin silicon rods in silicon deposition reactors is disclosed, the clamping and contacting device having a rod holder for receiving one end of a thin silicon rod. The rod holder comprises at least three contact elements disposed around a receiving space for the thin silicon rod. Each of the contact elements forms a contact surface facing towards a receiving space for electrically and mechanically contacts the thin silicon rod, wherein the contact surfaces of adjacent contact elements are spaced apart.

Abstract translation: 公开了一种用于在硅沉积反应器中安装和电接触薄硅棒的夹紧和接触装置，夹紧和接触装置具有用于容纳薄硅棒的一端的杆保持器。 棒保持器包括围绕用于薄硅棒的容纳空间设置的至少三个接触元件。 每个接触元件形成面向容纳空间的接触表面，用于电和机械地接触薄硅棒，其中相邻接触元件的接触表面间隔开。

公开(公告)号：WO2022122190A1

公开(公告)日：2022-06-16

申请号：PCT/EP2021/061891

申请日：2021-05-05

Applicant: "SITEC" GMBH SICHERHEITSEINRICHTUNGEN UND TECHNISCHE GERÄTE [DE]/[DE] ,  PESCHL ULTRAVIOLET GMBH [DE]/[DE]

Inventor： HEINLEIN, Werner ,  SOBOTTKA, Timo ,  PESCHL, Alexander

IPC: A61L2/10 ,  E05G7/00

Abstract: Es werden eine übergabeeinrichtung mit Oberflächendesinfektion und ein Verfahren zum Steuern einer Übergabeeinrichtung beschrieben, wobei die Übergabeeinrichtung zur kontaktlosen Übergabe von Gegenständen und zur Desinfektion der Gegenstände ausgebildet ist. Die Übergabeeinrichtung weist mindestens ein Gehäuse (110), einen Wagen (200), einen Antriebstrang, zwei Klappen (120), mindestens eine Lichtquelle und eine Steuerung auf, wobei der Wagen mit Hilfe des Antriebsstrangs verlagerbar und auf gegenüberliegenden Seiten des Gehäuses teilweise herausfahrbar ist. Die Klappen sind zum Verschließen von Öffnungen an den gegenüberliegenden Seiten drehbar gelagert und über den Wagen aus einer Schließstellung in eine Öffnungsstellung bewegbar, wobei jeweils nur eine Klappe in die Öffnungsstellung verbringbar ist, und die mindestens eine Lichtquelle so angeordnet ist, dass ein in dem Wagen aufgenommener Gegenstand bestrahlbar ist, wobei die mindestens eine Lichtquelle ausgebildet ist, ultraviolette Strahlung auszugeben.

公开(公告)号：WO2017172745A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：PCT/US2017/024509

申请日：2017-03-28

Applicant: SITEC GMBH

Inventor： DASSEL, Mark, W. ,  VANDEVANTER, Michael

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/442 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4411

Abstract: Mechanically vibrated packed bed reactor systems and processes of crystal production systems and processes that provide large, dense, uniform silicon coated particles having very low levels of contaminants such as metals and oxygen while such systems and processes minimize or eliminate dusting. These silicon coated particles are produced, conveyed, and formed into crystals in an environment maintained at a low oxygen level or a very low oxygen level and a low contaminant level or very low contaminant level to minimize formation of silicon oxides and minimize deposition of contaminants on the coated particles. Such high purity coated silicon particles may not require classification and may be used in whole or in part in the crystal production systems and processes. The crystal production systems and processes and resultant high quality of silicon boules are improved by the reduction or elimination of the silicon oxide layer and contaminants on the coated particles.

Abstract translation: 机械振动填充床反应器系统和晶体生产系统和方法的工艺，其提供具有非常低水平的污染物例如金属和氧的大而致密，均匀的硅涂覆颗粒，同时这样的系统和工艺最小化或 消除灰尘。 这些硅涂覆颗粒在维持在低氧水平或非常低氧水平和低污染水平或非常低污染水平的环境中被生产，传送并形成晶体，以最小化硅氧化物的形成并且使污染物的沉积最小化 涂覆的颗粒。 这种高纯度涂覆的硅颗粒可能不需要分类并且可以全部或部分用于晶体生产系统和工艺中。 通过减少或消除涂覆颗粒上的氧化硅层和污染物来改善晶体生产系统和工艺以及由此产生的高质量硅晶锭。

公开(公告)号：WO2016061278A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/US2015/055605

申请日：2015-10-14

Applicant: SITEC GMBH

Inventor： DASSEL, Mark, William

IPC: C01B33/04 ,  C08G77/04 ,  C08G77/06

CPC classification number: C01B33/10773 ,  B01D3/143 ,  B01D5/0063 ,  C01B33/029 ,  C01B33/043 ,  C01B33/046 ,  C01B33/107 ,  C01B33/10778 ,  C08G77/06 ,  C08G77/10

Abstract: By incorporating an additional TCS and/or DCS redistribution reactor in the TCS recycle loop and/or DCS recycle loop, respectively, of a process and system for silane manufacture, efficiencies in the production of silane are realized. Further improvements in efficiencies may be realized by directing a portion of the product from a redistribution reactor into a distillation column, and specifically into the distillation column that formed the feedstock that went into the redistribution reactor.

Abstract translation: 通过分别在用于硅烷制造的工艺和系统的TCS循环回路和/或DCS循环回路中并入另外的TCS和/或DCS再分配反应器，实现了硅烷生产的效率。 可以通过将来自再分配反应器的产物的一部分引入蒸馏塔，并且具体地进入形成进入再分布反应器的原料的蒸馏塔中，可以实现效率的进一步提高。