公开(公告)号：WO2010098121A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：PCT/JP2010/001304

申请日：2010-02-26

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社 ,  中川隆史 ,  北野尚武 ,  辰巳徹

Inventor： 中川隆史 ,  北野尚武 ,  辰巳徹

IPC: H01L21/316 ,  C23C14/08 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/02356 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/352 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/316 ,  H01L28/40 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/94

Abstract: 　高誘電率を有する誘電体膜の製造方法を提供する。　基板上に、ＨｆもしくはＨｆとＺｒの混合物からなるＡ元素とＡｌもしくはＳｉからなるＢ元素とＯを含有する金属酸化物からなる誘電体膜の形成方法であって、Ａ元素とＢ元素のモル比率Ｂ／(Ａ+Ｂ)が０.０２≦(Ｂ／(Ａ+Ｂ))≦０.０９５であり、かつＡ元素とＯのモル比率Ｏ／Ａが１.０

Abstract translation: 公开了一种具有高介电常数的电介质膜的制造方法。 具体公开了一种在基板上形成电介质膜的方法，所述电介质膜由含有O的金属氧化物，由Hf或Hf和Zr的混合物构成的元素A和组成的元素B组成 的Al或Si。 元素A和元素B之间的摩尔比，即B /（A + B）在0.02 =（B /（A + B））= 0.095的范围内，元素A和元素O之间的摩尔比， 即O / A在1.0 =（O / A）= 2.0的范围内。 制造电介质膜的方法包括形成具有无定形结构的金属氧化物的步骤，以及通过对具有非晶结构的金属氧化物的金属氧化物进行金属氧化物的形成而形成金属氧化物的步骤，该金属氧化物含有具有80％ 在不低于700℃的温度下进行退火处理的非晶结构。

公开(公告)号：WO2010125810A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：PCT/JP2010/003038

申请日：2010-04-28

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社 ,  中川隆史 ,  北野尚武 ,  松尾和昭 ,  小須田求 ,  辰巳徹

Inventor： 中川隆史 ,  北野尚武 ,  松尾和昭 ,  小須田求 ,  辰巳徹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 　金属窒化物層と多結晶シリコン層からなるゲート電極を具備した電界効果トランジスタを有する半導体装置において、熱安定性に優れ、所望の仕事関数を実現するゲート電極を提供する。　シリコン基板５上のゲート絶縁膜６が、金属酸化物、金属シリケート、又は窒素が導入された金属酸化物もしくは金属シリケートからなる高誘電率絶縁膜を有し、　ゲート電極が、ゲート絶縁膜６上に配置されたＴｉとＮを含有する第１金属窒化物層７、ＴｉとＮを含有する第２金属窒化物層８および多結晶シリコン層９を有し、　第１金属窒化物層７のＴｉとＮのモル比率(Ｎ／Ｔｉ)が１.１以上であり、かつ結晶配向性Ｘ 1 が１.１ 1 2 が１.８≦Ｘ 2 である半導体装置。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其包括具有由金属氮化物层和多晶硅层构成的栅电极的场效应晶体管，其中栅电极具有优异的热稳定性并且可以实现期望的功函数。 在半导体器件中，形成在硅衬底（5）上的栅极绝缘膜（6）具有由金属氧化物，金属硅酸盐或氮掺杂的金属氧化物或金属硅酸盐构成的高介电常数绝缘膜。 栅电极具有包括Ti和N的第一金属氮化物层（7）并且设置在栅极绝缘膜（6）上，第二金属氮化物层（8）包括Ti和N以及多晶硅层（9）。 第一金属氮化物层（7）中的Ti和N的摩尔比（N / Ti）为1.1以上，结晶取向（X1）大于1.1且小于1.8。 第二金属氮化物层（8）中的Ti和N的摩尔比（N / Ti）为1.1以上，晶体取向（X2）为1.8以上。