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    MEMS DEVICES HAVING DISCHARGE CIRCUITS
    1.
    发明申请
    MEMS DEVICES HAVING DISCHARGE CIRCUITS 审中-公开
    具有放电电路的MEMS器件

    公开(公告)号：WO2015160723A1

    公开(公告)日：2015-10-22

    申请号：PCT/US2015/025620

    申请日：2015-04-13

    申请人： SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

    发明人： MASON, Jerod F. ,  BARTLE, Dylan Charles ,  WHITEFIELD, David Scott ,  PETZOLD, David T. ,  GUNES, Dogan ,  DICARLO, Paul T.

    IPC分类号： B81B7/02 ,  H01H1/00 ,  G01C19/56 ,  G01P15/00 ,  G01P15/14 ,  H03H9/02 ,  H03H9/25

    CPC分类号： B81B7/0022 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00341 ,  G01C19/56 ,  G01P15/135 ,  H01H59/0009

    摘要： MEMS devices having discharge circuits. In some embodiments, a MEMS device can include a substrate and an electromechanical assembly implemented on the substrate. The MEMS device can further include a discharge circuit implemented relative to the electromechanical assembly. The discharge circuit can be configured to provide a preferred arcing path during a discharge condition affecting the electromechanical assembly. The MEMS device can be, for example, a switching device, a capacitance device, a gyroscope sensor device, an accelerometer device, a surface acoustic wave (SAW) device, or a bulk acoustic wave (BAW) device. The discharge circuit can include a spark gap assembly having one or more spark gap elements configured to facilitate the preferred arcing path.

    摘要翻译： 具有放电电路的MEMS器件。 在一些实施例中，MEMS器件可以包括基板和在基板上实现的机电组件。 MEMS器件还可以包括相对于机电组件实现的放电电路。 放电电路可以被配置为在影响机电组件的放电状态期间提供优选的电弧路径。 MEMS器件可以是例如开关器件，电容器件，陀螺仪传感器器件，加速度计器件，表面声波（SAW）器件或体声波（BAW）器件。 放电电路可以包括具有一个或多个火花隙元件的火花隙组件，该火花隙元件被配置为便于优选的电弧路径。

    MAIN-AUXILIARY FIELD-EFFECT TRANSISTOR CONFIGURATIONS FOR RADIO FREQUENCY APPLICATIONS
    2.
    发明申请
    MAIN-AUXILIARY FIELD-EFFECT TRANSISTOR CONFIGURATIONS FOR RADIO FREQUENCY APPLICATIONS 审中-公开
    用于无线电频率应用的主辅助场效应晶体管配置

    公开(公告)号：WO2018058147A1

    公开(公告)日：2018-03-29

    申请号：PCT/US2017/053560

    申请日：2017-09-26

    申请人： SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

    发明人： WANG, Hailing ,  BARTLE, Dylan Charles ,  FUH, Hanching ,  MASON, Jerod F. ,  WHITEFIELD, David Scott ,  DICARLO, Paul T.

    IPC分类号： H03K17/687 ,  H03K17/693 ,  H04B1/44

    摘要： Disclosed herein are switching or other active FET configurations that implement a main-auxiliary branch design. Such designs include at least two FETs, an auxiliary FET providing an auxiliary path and a main FET providing a main path. Distortions that are generated in the main path, such as third-order harmonics and/or intermodulation distortions, can be reduced by distortions generated in the auxiliary path. This can be accomplished by applying a tailored gate bias to the auxiliary path so that the auxiliary path generates signals with distortions of a similar magnitude but opposite in phase relative to the distortions of the signals in the main path. Accordingly, the overall performance in the active FET is improved by reducing these distortions or nonlinearities.

    摘要翻译： 这里公开了实现主 - 辅助分支设计的开关或其他有源FET配置。 这种设计包括至少两个FET，提供辅助路径的辅助FET和提供主路径的主FET。 在主路径中产生的失真，例如三阶谐波和/或互调失真，可以通过辅助路径中产生的失真来减少。 这可以通过向辅助路径施加定制的栅极偏置来实现，使得辅助路径产生具有类似幅度但相对于主路径中的信号的失真的相位相反的失真的信号。 因此，通过减少这些失真或非线性，可以改善有源FET的整体性能。

    BODY CONTACTS FOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS
    3.
    发明申请
    BODY CONTACTS FOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS 审中-公开
    人体接触场效应晶体管

    公开(公告)号：WO2017173322A1

    公开(公告)日：2017-10-05

    申请号：PCT/US2017/025463

    申请日：2017-03-31

    申请人： SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

    发明人： WANG, Hailing ,  BARTLE, Dylan Charles ,  FUH, Hanching ,  WHITEFIELD, David Scott ,  DICARLO, Paul T.

    IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/768

    摘要： Field-effect transistor (FET) devices are described herein that include one or more body contacts implemented near source, gate, drain (S/G/D) assemblies to improve the influence of a voltage applied at the body contact on the S/G/D assemblies. For example, body contacts can be implemented between S/G/D assemblies rather than on the ends of such assemblies. This can advantageously improve body contact influence on the S/G/D assemblies while maintaining a targeted size for the FET device.

    摘要翻译： 这里描述的场效应晶体管（FET）器件包括在源极，栅极，漏极（S / G / D）组件附近实现的一个或多个体触点，以改善施加在 S / G / D组件上的人体接触。 例如，身体接触可以在S / G / D组件之间实现，而不是在这种组件的末端。 这可以有利地改善身体接触对S / G / D组件的影响，同时保持FET装置的目标尺寸。