公开(公告)号：WO2018150262A1

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：PCT/IB2018/000203

申请日：2018-02-17

申请人： ANALOG DEVICES GLOBAL UNLIMITED COMPANY

发明人： FIORENZA, James G. ,  FEINDT, Susan L. ,  DELAUS, Michael D. ,  DUFFY, Matthew ,  IUTZI, Ryan ,  FLANDERS, Kenneth ,  KOTLANKA, Rama Krishna

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/683 ,  H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/562 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H02S50/10

摘要： A transfer printing method is described that can be used for a wide variety of materials, such as to allow for circuits formed of different materials to be integrated together on a single integrated circuit. A tether (18) is formed on dice regions (16) of a first wafer (30), followed by attachment of a second wafer (32) to the tethers. The dice regions (16) are processed so as to be separated, followed by transfer printing of the dice regions to a third wafer (34).

公开(公告)号：WO2017076682A1

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：PCT/EP2016/075571

申请日：2016-10-24

申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH

发明人： BURGGRAF, Jürgen ,  WIESBAUER, Harald

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68381

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines Produktsubstrats (2) mit einer Verbindungsschicht (4) an einem Trägersubstrat (5), sowie ein Verfahren zum Lösen des Produktsubstrats vom dem Trägersubstrats, wobei zwischen der Verbindungsschicht (4) und dem Produktsubstrat (2) eine Löseschicht (3) aufgebracht wird, und wobei • a) die Löseschicht (3) durch Wechselwirkung mit einer elektromagnetischen Strahlung einer Strahlungsquelle lösbar ist, und • b) die Verbindungsschicht (4) und das Trägersubstrat (5) jeweils zumindest überwiegend für die elektromagnetische Strahlung transparent sind. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung einen korrespondierenden Produktsubstrat-Trägersubstrat-Verbund.

摘要翻译：

本发明涉及一种用于在载体BEAR gersubstrat（5）与连接层（4）接合的产物衬底（2），和用于L＆ouml的方法;仙从载体＆AUML的产物的底物; gersubstrats， 该粘结层（4）和产品衬底（2）L＆ouml之间，其特征在于;被seschicht（3）被应用，并且其中•a）所述L＆ouml; seschicht（3）通过用辐射源L＆ouml的电磁辐射相互作用;是可拆卸地，并• b）连接层（4）和载体基底（5）各自至少对电磁辐射主要是透明的。 此外，本发明涉及相应的产品基材/载体基材复合材料

公开(公告)号：WO2016187022A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：PCT/US2016/032404

申请日：2016-05-13

申请人： SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： PETZOLD, David T. ,  WHITEFIELD, David Scott

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H04B1/38

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/764 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/84 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/535 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/16 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/20 ,  H01L28/10 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15313 ,  H03H9/02566 ,  H03H9/24 ,  H04B1/40 ,  H04B1/44 ,  H01L2224/45099

摘要： Fabricating of radio-frequency (RF) devices involve providing a field-effect transistor (FET) formed over an oxide layer formed on a semiconductor substrate, removing at least part of the semiconductor substrate to expose at least a portion of a backside of the oxide layer, applying a sacrificial material to the backside of the oxide layer, applying an interface material to at least a portion of the backside of the oxide layer, the interface material at least partially covering the sacrificial material, and removing at least a portion of the sacrificial material to form a cavity at least partially covered by the interface layer.

摘要翻译： 射频（RF）器件的制造涉及提供在形成于半导体衬底上的氧化物层上形成的场效应晶体管（FET），去除半导体衬底的至少一部分以暴露氧化物背面的至少一部分 将牺牲材料施加到氧化物层的背面，将界面材料施加到氧化物层的背侧的至少一部分，所述界面材料至少部分地覆盖牺牲材料，以及去除所述氧化物层的至少一部分 牺牲材料以形成至少部分被界面层覆盖的空腔。

公开(公告)号：WO2016036874A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/US2015/048176

申请日：2015-09-02

申请人： SKORPIOS TECHNOLOGIES, INC.

发明人： LAMBERT, Damien ,  SPANN, John ,  KRASULICK, Stephen

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L21/6835 ,  G02B6/4201 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/683 ,  H01L21/76254 ,  H01L24/03 ,  H01L24/27 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15738

摘要： A transfer substrate with a compliant resin is used to bond one or more chips to a target wafer. An implant region is formed in a transfer substrate. A portion of the transfer substrate is etched to form a riser. Compliant material is applied to the transfer substrate. A chip is secured to the compliant material, wherein the chip is secured to the compliant material above the riser. The chip is bonded to a target wafer while the chip is secured to the compliant material. The transfer substrate and compliant material are removed from the chip. The transfer substrate is opaque to UV light.

摘要翻译： 使用具有顺应性树脂的转印衬底将一个或多个芯片结合到目标晶片。 植入区域形成在转印衬底中。 转印衬底的一部分被蚀刻以形成提升器。 将合适的材料施加到转印基板上。 芯片被固定到柔性材料上，其中芯片被固定到提升管上方的柔性材料。 当芯片固定到顺应性材料时，芯片被结合到目标晶片。 从芯片上去除转印衬底和柔顺材料。 转印衬底对UV光是不透明的。

公开(公告)号：WO2015197132A1

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：PCT/EP2014/063687

申请日：2014-06-27

申请人： THALLNER, Erich

发明人： THALLNER, Erich

IPC分类号： H01L21/67 ,  B32B43/00 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67092 ,  B32B37/08 ,  B32B43/006 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68714 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Lösen eines mit einem zweiten Substrat (4) durch eine Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3"', 3IV) verbundenen ersten Substrats (2) von dem zweiten Substrat (4) durch Versprödung der Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3'", 3 IV ). Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (2) mit einem zweiten Substrat (4) mit einer, insbesondere durch Abkühlung, versprödbaren Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3''', 3 IV ). Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine Verwendung eines versprödbaren Materials zur Herstellung einer Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3'", 3 IV ) zwischen einem ersten Substrat (2) und einem zweiten Substrat (4) zur Ausbildung eines aus dem ersten Substrat (2), dem zweiten Substrat (4) und der dazwischen angeordneten Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3"', 3 IV ) gebildeten Substratstapels (1, 1', 1", 1 "', 1 IV , 1 V ). Außerdem betrifft die vorliegende Erfindung einen Substratstapel, gebildet aus einem ersten Substrat (2), einem zweiten Substrat (4) und einer dazwischen angeordneten Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3"', 3 IV ), wobei die Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3'", 3 IV ) aus einem versprödbaren Material gebildet ist. Daneben betrifft die vorliegende Erfindung einen Probenhalter zur Halterung eines ersten Substrats (2) beim Lösen des ersten Substrats (2) von einem zweiten Substrat (4) mit durch Temperaturabsenkung aktivierbaren Fixiermitteln.

摘要翻译： 本发明第一基片（2）通过的脆化第二基片（4）的涉及一种方法，用于通过连接到粘接层（3,3”，3”，3" ”，3 IV）求解的第二基板（4），所述 连接层（3，3”，3”，3' ”，3IV）。 此外，本发明涉及一种相应的装置。 此外，本发明通过冷却，versprödbaren连接层（3，3”，3”，3' ‘’，3IV）涉及到与第二基板（4）与接合第一基片（2），特别的方法。此外， 本发明涉及一种用于在第一衬底（2）和第二衬底之间的化合物层（3，3”，3”，3' ”，3IV）的制备中使用的versprödbaren材料（4）以形成（从第一衬底 2）在第二衬底（4）和中间连接层（3,3 '3 “3" '3 IV）形成的基片叠（1，1'，1”，1" '，1 IV，1 V）。另外， 本发明涉及一种衬底叠层，第一衬底（2），第二基板（4）和插入的粘接层（3,3”，3”，3" ”，3 IV），其中所述粘结层（3，3的形成 ”，3”，3' ”，3IV）是versprödbaren材料形成。另外，本 发明中，为了通过降低温度定影在第二基板（4）具有可活化的所述第一衬底（2）的释放支撑第一衬底（2）一个样品架上。

公开(公告)号：WO2015178369A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：PCT/JP2015/064302

申请日：2015-05-19

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 古谷　涼士 ,  鈴村　浩二 ,  岩永　有輝啓 ,  中村　祐樹

IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/53 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/53 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/56 ,  H01L21/52 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377

摘要： 　ステルスダイシング法に沿った半導体装置の製造において、エキスパンド時の粘着剤層からの接着剤層の剥離及び飛散、さらに半導体チップへの付着を改善することができるダイボンドダイシングシートを提供する。半導体素子搭載用支持部材に貼り付けて使用するダイボンドダイシングシートであって、剥離性の第１の基材と、上記第１の基材の片面上に設けられた接着剤層と、上記接着剤層の上面全体を覆い、かつ上記接着剤層と重ならない周縁部を有する粘着剤層と、上記粘着剤層の上面に設けられた第２の基材とを有し、上記接着剤層の平面外形が、半導体素子搭載用支持部材の平面外形よりも大きく、かつ上記接着剤層の端部と、上記支持部材の端部との間隔が、１ｍｍ以上、１２ｍｍ以下である、ダイボンドダイシングシートを構成する。

摘要翻译： 提供了一种芯片接合/切割片，当通过隐形切割方法用于制造半导体器件时，可以抑制粘合剂层在膨胀期间从压敏粘合剂层脱落并散射以粘附到半导体芯片。 芯片接合/切割片是在使用时被施加到用于半导体元件安装在其上的支撑构件的片状结合/切割片，并且包括：可释放的第一基板; 形成在所述第一基板的一个表面上的粘合层; 覆盖粘合剂层的整个上表面并且具有不覆盖粘合剂层的周边部分的压敏粘合剂层; 以及设置在压敏粘合剂层的上表面上的第二基板。 粘合剂层具有比用于半导体元件安装的支撑构件的平面图轮廓更大的平面视图，并且粘合剂层的边缘与支撑构件的边缘之间的距离为1-12mm。

公开(公告)号：WO2015164245A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/US2015/026636

申请日：2015-04-20

申请人： CIRRUS LOGIC, INC.

发明人： PATTEN, David T. ,  HWANG, Jason ,  GABRIEL III, Joseph Martin

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2224/83005

摘要： In accordance with embodiments of the present disclosure, a method may include providing a substrate (10) adapted for use in wafer processing equipment, wherein the substrate includes an adhesive (12) applied thereto. The method may also include reconstituting a plurality of device packages (14) onto the substrate. In accordance with these and other embodiments of the present disclosure, an apparatus may include a substrate (10) adapted for use in wafer processing equipment, an adhesive (12) applied to the substrate, and a plurality of device packages (14) reconstituted onto the substrate. The device packages (14) are subjected to testing when reconstituted on the substrate (10).

摘要翻译： 根据本公开的实施例，一种方法可以包括提供适于在晶片加工设备中使用的衬底（10），其中所述衬底包括施加到其上的粘合剂（12）。 该方法还可以包括将多个器件封装（14）重构到衬底上。 根据本公开的这些和其他实施例，装置可以包括适于在晶片处理设备中使用的衬底（10），施加到衬底的粘合剂（12）和重构到 底物。 当在衬底（10）上重构时，器件封装（14）经受测试。

公开(公告)号：WO2015152121A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：PCT/JP2015/059850

申请日：2015-03-30

申请人： 日産化学工業株式会社

发明人： 江原　和也 ,  進藤　和也

IPC分类号： C08L79/08 ,  B32B17/10 ,  B32B27/34 ,  C08G73/10 ,  C08K5/16 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： B32B7/06 ,  B32B17/064 ,  B32B27/281 ,  B32B2307/418 ,  B32B2307/42 ,  B32B2307/748 ,  B32B2457/00 ,  C08G73/1039 ,  C08G73/1042 ,  C08G73/1067 ,  C08G73/1085 ,  C08G73/18 ,  C08G73/22 ,  C08J3/096 ,  C08J2379/08 ,  C09D179/08 ,  C09J7/401 ,  C09J2477/005 ,  C09J2479/085 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68386

摘要： 本発明は、剥離層が設けられるガラス基板との密着性が維持されガラス基板との界面での剥離が生じない一方、剥離層より上部に形成される層又は層群を剥離層から簡易に剥離することができる、該剥離層を形成するための組成物を提供する。本発明は、ガラス基板直上に設ける剥離層を形成するための組成物であって、該組成物が（Ａ）芳香族ポリイミド及び／又は芳香族ポリイミド前駆体；及び（Ｂ）アミド系溶媒；を有し、前記（Ａ）由来の芳香族ポリイミドは、下記（１）～（４）を満たす組成物を提供する：　（１）加熱時の重量変化における１％重量減少の温度が５００℃以上；　（２）波長１０００ｎｍで屈折率が１．７以上；　（３）波長１０００ｎｍで屈折率と複屈折の差が０．１５以上；及び　（４）表面エネルギーが４０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上。

摘要翻译： 本发明提供一种用于形成剥离层的组合物，其保持与设置有剥离层的玻璃基板的粘附性，并且防止在剥离层和玻璃基板之间的界面处的剥离，同时使得可以容易地释放层 从剥离层形成在释放层上方的层。 本发明提供一种形成剥离层的组合物，其直接设置在玻璃基材的正上方，所述组合物具有（A）芳香族聚酰亚胺和/或芳香族聚酰亚胺前体，和（B）酰胺类溶剂，其中，（ A）满足下述（1） - （4）：（1）加热过程中发生重量变化时1％重量减少的温度为500℃以上; （2）波长1000nm的折射率为1.7以上; （3）在1000nm的波长下的折射率与双折射的差为0.15以上; 和（4）表面能为40达因/厘米或更高。

公开(公告)号：WO2015132969A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/JP2014/056027

申请日：2014-03-07

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 平岡　明倫 ,  栗秋　和広

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/568 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

摘要： 　セラミック板（２）上に両面粘着性熱硬化型絶縁樹脂（３）が配置され、両面粘着性熱硬化型絶縁樹脂（３）上に金属板（４）が配置されている。金属板（４）は両面粘着性熱硬化型絶縁樹脂（３）によりセラミック板（２）の上面に接合されている。両面粘着性熱硬化型絶縁樹脂（３）は安価で且つ部材供給面でも問題ない。両面粘着性熱硬化型絶縁樹脂（３）がセラミック板（２）と金属板（４）の線膨張係数の乖離を埋めるため、加熱時のセラミック板（２）の割れ、及びセラミック板（２）と金属板（４）の剥がれを防ぐことができる。また、両面粘着性熱硬化型絶縁樹脂（３）により密着性を保てるため、ボイドの発生を防ぐことができる。この結果、製品の信頼性を向上させることができる。また、両面粘着性熱硬化型絶縁樹脂（３）は、加熱成形時に硬化するため、成形加工が可能である。

摘要翻译： 在陶瓷板（2）上设置热固性双面粘合绝缘树脂（3），并且在热固性双面粘合绝缘树脂（3）上设置有金属板（4）。 金属板（4）通过热固性双面粘合绝缘树脂（3）粘合到陶瓷板（2）的上表面。 热固性双面粘合绝缘树脂（3）成本低廉，在成员供给方面没有问题。 由于热固性双面粘合绝缘树脂（3）消除了陶瓷板（2）和金属板（4）的线膨胀系数之间的差异，陶瓷板（2）的断裂和剥离 可以消除陶瓷板（2）和金属板（4）彼此加热时的相互作用。 此外，由于可以通过热固性双面粘合绝缘树脂（3）保持粘合性，因此可以消除空隙的产生。 结果，可以提高产品的可靠性。 此外，由于热固性双面粘合绝缘树脂（3）在用热成型时固化，因此可以进行成型。

公开(公告)号：WO2015115060A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：PCT/JP2015/000253

申请日：2015-01-21

申请人： 信越化学工業株式会社

发明人： 田上　昭平 ,  菅生　道博

IPC分类号： H01L21/02 ,  B32B7/06 ,  B32B27/00 ,  C09J183/04 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09J183/04 ,  B32B27/283 ,  C08G77/04 ,  C08G77/12 ,  C08G77/50 ,  C08L83/04 ,  C09J183/10 ,  C09J183/14 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/00 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  C08L83/00

摘要： 　本発明は、支持体上に仮接着材層が形成され、かつ仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが積層されてなるウエハ加工体であって、前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着された熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体に剥離可能に接着された熱硬化性シロキサン重合体層（Ｃ）からなる第三仮接着層との３層構造を有する複合仮接着材層を備えたウエハ加工体である。これにより、仮接着及び剥離が容易であり、かつ、剥離前の薄型ウエハが切断された状態であっても容易に剥離可能なウエハ加工用仮接着材及び薄型ウエハの生産性を高めることができるウエハ加工体が提供される。

摘要翻译： 本发明是一种晶片工件，其中临时粘合材料层形成在支撑体上，并且在正面上具有电路面并在后表面上加工的晶片被堆叠在临时粘合材料上 其中临时粘合剂层包括具有三层结构的复合临时粘合剂材料层，还包括：由热塑性有机聚硅氧烷聚合物层（A）形成并且可剥离地粘附到正面的第一临时粘合剂层 的晶片; 第二临时粘合剂层，其由可热固化的硅氧烷改性聚合物层（B）形成并且可剥离地堆叠在第一临时粘合剂层上; 和由可热固化的硅氧烷聚合物层（C）形成的第三临时粘合剂层可剥离地粘附到支撑体上，并且可剥离地堆叠在第二临时粘合剂层上。 因此，提供了用于晶片加工的临时粘合剂材料，其可以容易地临时粘附并剥离，并且即使在剥离之前切割薄晶片也可以容易地剥离，并且可以更有效地制造薄晶片的晶片工件 。