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    微小機械システム
    1.
    发明申请
    微小機械システム 审中-公开
    微电子系统

    公开(公告)号：WO2012002446A1

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：PCT/JP2011/064935

    申请日：2011-06-29

    Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  栗原 一真 ,  小林 健 ,  高木 秀樹

    Inventor： 栗原　一真 ,  小林　健 ,  高木　秀樹

    IPC: B81C1/00 ,  B29C39/10 ,  B29C39/24 ,  B29C45/16

    CPC classification number: B81C1/00015 ,  B29C43/021 ,  B29C43/18 ,  B29C45/14016 ,  B29C45/14639 ,  B29C45/16 ,  B81C99/0085 ,  Y10T428/2486

    Abstract: 　真空プロセス工程やリソグラフィ工程を必要とせず、微細構造体が刻まれた金型を用いて、工数の少ない成形工程で、精度の高いＭＥＭＳを大量に製造可能とする。　微小電気機械システムの機能層を保持する機能層保持部分及びこれを支持するフレームからなる構造体を成形する金型に対し、機能層及び離型層を印刷形成したフィルムを位置決めして圧着し、金型とフィルムの間に充填された樹脂を硬化させる。その後、フィルムを金型から剥離することにより、離型層により、機能層保持部分及びこれを支持するフレームからなる構造体を金型内で硬化した樹脂の内部に転写させる。

    Abstract translation: 公开了一种微机电系统制造方法，既不需要真空处理工艺也不需要光刻工艺，并且通过使用通过机械加工形成微结构的模具，可以大量制造高精度微机电系统 通过只需要少量工时的成形过程即可。 将通过印刷形成功能层和脱模层的膜定位并压接到用于形成包括保持微机电系统的功能层的功能层保持部的结构的模具，以及框架， 支持功能层保持部。 然后填充在模具和膜之间的树脂固化。 随后，将膜从模具上剥离，结果通过脱模层，包括功能层保持部分和支撑该功能层的框架的结构被转录在树脂固化的内部 模子。

    OPTOMECHANICAL ACCELEROMETER
    2.
    发明申请
    OPTOMECHANICAL ACCELEROMETER 审中-公开
    机电加速度计

    公开(公告)号：WO2013131067A1

    公开(公告)日：2013-09-06

    申请号：PCT/US2013/028763

    申请日：2013-03-01

    Applicant: CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY ,  UNIVERSITY OF ROCHESTER

    Inventor： PAINTER, Oskar ,  WINGER, Martin ,  LIN, Qiang ,  KRAUSE, Alexander ,  BLASIUS, Tim, D.

    IPC: G01P15/03 ,  G01P15/093 ,  G01H9/00

    CPC classification number: G01P15/093 ,  B81B3/0051 ,  B81B3/0067 ,  B81B3/0083 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00015 ,  B82Y99/00 ,  G01N21/55 ,  G01N21/59 ,  G01N2201/06113 ,  G01N2201/063 ,  H01L21/02373

    Abstract: Technologies are generally described for operating and manufacturing optomechanical accelerometers. In some examples, an optomechanical accelerometer device is described that uses a cavity resonant displacement sensor based on a zipper photonic crystal nano-eavity to measure the displacement, of an integrated test mass generated by acceleration applied to the chip. The cavity-resonant sensor may he folly integrated on-chip and exhibit an enhanced displacement resolution due to its strong optomechanical, coupling. The accelerometer structure may be fabricated in a silicon nitride thin film and constitute a rectangular test mass flexibly suspended on high aspect ratio inorganic nitride nano-tethers under high tensile stress. By increasing the mechanical Q-factors through adjustment of tether width and tether length, the noise-equivalent acceleration (NBA) may be reduced, while maintaining a large operation bandwidth. The mechanical Q-factor may be improved with thinner (e.g.,

    Abstract translation: 技术通常被描述为操作和制造光机加速度计。 在一些示例中，描述了一种机械加速度计装置，其使用基于拉链光子晶体纳米空腔的空腔谐振位移传感器来测量由施加到芯片的加速度产生的积分测试质量的位移。 空腔谐振传感器可能由于其强大的光机械耦合而愚蠢地集成在芯片上并表现出增强的位移分辨率。 加速度计结构可以制造在氮化硅薄膜中，并且在高拉伸应力下构成柔性地悬挂在高纵横比无机氮化物纳米系绳上的矩形测试质量。 通过调整系绳宽度和系绳长度来增加机械Q因子，可以降低噪声等效加速度（NBA），同时保持较大的运行带宽。 可以通过更薄（例如<1微米）和更长的系链（例如10-560微米）来改善机械Q因子。

    MEMS组件及其制造方法
    4.
    发明申请
    MEMS组件及其制造方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019128769A1

    公开(公告)日：2019-07-04

    申请号：PCT/CN2018/121699

    申请日：2018-12-18

    Applicant: 杭州士兰集成电路有限公司 ,  杭州士兰微电子股份有限公司

    Inventor： 闻永祥 ,  刘琛 ,  季锋 ,  张小丽

    IPC: B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00015 ,  B81C1/00063

    Abstract: 一种MEMS组件及其制造方法，其中的方法包括：在传感器芯片（110）上形成凹槽（103）；在器件芯片（210）上形成焊盘（203）；将传感器芯片（110）与器件芯片（210）键合，以形成键合组件；在传感器芯片（110）的第一位置（401）执行第一划片，以穿透传感器芯片（110）到达凹槽（103）；以及在传感器芯片（110）的第二位置（402）执行第二划片，以穿透传感器芯片（110）和器件芯片（210），将键合组件分离成单个MEMS组件，其中，凹槽（103）与焊盘的位置相对应，并且在第二划片的同时，在传感器芯片（110）中形成开口，以暴露焊盘（203）。采用两次不同深度的划片暴露传感器芯片（110）的焊盘（203）和切割MEMS组件，从而提高良率和可靠性。

    MICROELECTROMECHANICAL PRESSURE SENSOR INCLUDING REFERENCE CAPACITOR
    6.
    发明申请
    MICROELECTROMECHANICAL PRESSURE SENSOR INCLUDING REFERENCE CAPACITOR 审中-公开
    微电子机械压力传感器，包括参考电容

    公开(公告)号：WO2012040211A2

    公开(公告)日：2012-03-29

    申请号：PCT/US2011/052369

    申请日：2011-09-20

    Applicant: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION ,  BRYZEK, Janusz

    Inventor： BRYZEK, Janusz

    IPC: G01L9/12 ,  G01L7/08 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00015 ,  B81C1/00158 ,  G01L9/0016 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  G01L19/04

    Abstract: This document discusses, among other things, an apparatus including a silicon die including a vibratory diaphragm, the die having a silicon die top opposite a silicon die bottom, with a top silicon die port extending from the silicon die top through the silicon die to a top of the vibratory diaphragm, and with a bottom silicon die port extending from the silicon die bottom to a bottom of the vibratory diaphragm, wherein the bottom silicon die port has a cross sectional area that is larger than a cross-sectional area of the top silicon die port, a capacitor electrode disposed along a bottom of the silicon die, across the bottom silicon die port, the capacitor electrode including a first signal generation portion that is coextensive with the top silicon die port, and a second signal generation portion surrounding the first portion.

    Abstract translation: 该文献尤其讨论了一种装置，该装置包括包含振动隔膜的硅晶片，该晶片具有与硅晶片底部相对的硅晶片顶部，顶部硅晶片端口从硅 通过硅晶片将晶粒顶部模制到振动膜的顶部，并且具有从硅晶粒底部延伸到振动膜的底部的底部硅晶粒端口，其中底部硅晶粒端口的横截面积大于 所述顶部硅管芯端口的横截面区域，沿所述硅管芯的底部设置的电容器电极，跨过所述底部硅管芯端口，所述电容器电极包括与所述顶部硅管芯端口共同延伸的第一信号生成部分， 以及围绕第一部分的第二信号生成部分。

    DETECTING FAILURE OF SCANNING MIRROR
    8.
    发明申请
    DETECTING FAILURE OF SCANNING MIRROR 审中-公开
    检测扫描镜的故障

    公开(公告)号：WO2014091435A1

    公开(公告)日：2014-06-19

    申请号：PCT/IB2013/060839

    申请日：2013-12-12

    Applicant: PRIMESENSE LTD.

    Inventor： SHPUNT, Alexander

    IPC: G02B26/08 ,  B81C99/00

    CPC classification number: G01M11/005 ,  B81B3/004 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/058 ,  B81C1/00015 ,  B81C99/003 ,  G01N27/00 ,  G01R31/026 ,  G02B26/0833 ,  H01L21/306

    Abstract: A method for monitoring includes providing a device (64) including a first part (46) and a second part (72) and a movable joint (70) connecting the first part to the second part. An electrical characteristic of a conductive path (80) crossing the movable joint is measured, and a remedial action is initiated in response to detecting a change of the electrical characteristic.

    Abstract translation: 一种用于监视的方法包括提供包括第一部分（46）和第二部分（72）的装置（64）和将第一部分连接到第二部分的可移动接头（70）。 测量与可移动接头交叉的导电路径（80）的电特性，并且响应于检测到电特性的变化而启动补救动作。

    SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A BURIED LOWER ELECTRODE IN CONJUNCTION WITH AN ENCAPSULATED MEMS DEVICE
    9.
    发明申请
    SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A BURIED LOWER ELECTRODE IN CONJUNCTION WITH AN ENCAPSULATED MEMS DEVICE 审中-公开
    与封装的MEMS器件连接形成一个下部电极的系统和方法

    公开(公告)号：WO2014031570A1

    公开(公告)日：2014-02-27

    申请号：PCT/US2013/055668

    申请日：2013-08-20

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  GRAHAM, Andrew, B. ,  FEYH, Ando ,  O'BRIEN, Gary

    Inventor： GRAHAM, Andrew, B. ,  FEYH, Ando ,  O'BRIEN, Gary

    IPC: B81B7/00

    CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00015

    Abstract: A system and method for forming a sensor device with a buried first electrode includes providing a first silicon portion with an electrode layer and a second silicon portion with a device layer. The first silicon portion and the second silicon portion are adjoined along a common oxide layer formed on the electrode layer of the first silicon portion and the device layer of the second silicon portion. The resulting multi-silicon stack includes a buried lower electrode that is further defined by a buried oxide layer, a highly-doped ion implanted region, or a combination thereof. The multi-silicon stack has a plurality of silicon layers and silicon dioxide layers with electrically isolated regions in each layer allowing for both the lower electrode and an upper electrode. The multi-silicon stack further includes a spacer that enables the lower electrode to be accessible from a topside of the sensor device.

    Abstract translation: 用于形成具有埋入的第一电极的传感器装置的系统和方法包括：提供具有电极层的第一硅部分和具有器件层的第二硅部分。 第一硅部分和第二硅部分沿着形成在第一硅部分的电极层和第二硅部分的器件层上的公共氧化物层相邻。 所得到的多硅堆叠包括掩埋下电极，其进一步由掩埋氧化物层，高度掺杂的离子注入区域或其组合限定。 多硅堆叠具有多个硅层和在每个层中具有电隔离区域的二氧化硅层，允许下电极和上电极两者。 多硅堆叠还包括使得下电极能够从传感器装置的顶侧接近的间隔件。

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