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    HYDROGEN BARRIERS IN A COPPER INTERCONNECT PROCESS
    1.
    发明申请
    HYDROGEN BARRIERS IN A COPPER INTERCONNECT PROCESS 审中-公开
    氢在铜互连过程中的障碍

    公开(公告)号：WO2017171935A1

    公开(公告)日：2017-10-05

    申请号：PCT/US2016/059951

    申请日：2016-11-01

    申请人： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： KESHAVARZI, Ali ,  SUN, Shan ,  DAVENPORT, Thomas ,  RODGERS, Thurman John

    IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L23/522

    CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B7/0025 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/032 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/097 ,  H01L28/57 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

    摘要： A microelectronic system including hydrogen barriers and copper pillars for wafer level packaging and method of fabricating the same are provided. Generally, the method includes: forming an insulating hydrogen barrier over a surface of a first substrate; exposing at least a portion of an electrical contact to a component in the first substrate by removing a portion of the insulating hydrogen barrier, the component including a material susceptible to degradation by hydrogen; forming a conducting hydrogen barrier over at least the exposed portion of the electrical contact; and forming a copper pillar over the conducting hydrogen barrier. In one embodiment, the material susceptible to degradation is lead zirconate titanate (PZT) and the microelectronic systems device is a ferroelectric random access memory including a ferroelectric capacitor with a PZT ferroelectric layer. Other embodiments are also disclosed.

    摘要翻译： 提供了一种包括氢阻挡层和用于晶片级封装的铜柱的微电子系统及其制造方法。 通常，该方法包括：在第一衬底的表面上形成绝缘氢阻挡层; 通过去除绝缘氢阻挡层的一部分而将至少一部分电接触暴露于第一衬底中的部件，所述部件包括易被氢降解的材料; 在至少所述电触点的暴露部分上形成导电氢势垒; 并在导电氢屏障上形成铜柱。 在一个实施例中，易于劣化的材料是锆钛酸铅（PZT），并且微电子系统器件是包括具有PZT铁电层的铁电电容器的铁电随机存取存储器。 其他实施例也被公开。

    PACKAGED MICROPHONE WITH MULTIPLE MOUNTING ORIENTATIONS
    4.
    发明申请
    PACKAGED MICROPHONE WITH MULTIPLE MOUNTING ORIENTATIONS 审中-公开
    包装麦克风与多个安装方向

    公开(公告)号：WO2015020812A1

    公开(公告)日：2015-02-12

    申请号：PCT/US2014/048174

    申请日：2014-07-25

    申请人： INVENSENSE, INC. ,  BOLOGNIA, David

    发明人： BOLOGNIA, David

    IPC分类号： H04R19/04 ,  H04R1/10

    CPC分类号： B81B7/007 ,  B81C1/00301 ,  H04R25/604 ,  H04R2201/003

    摘要： A packaged microphone has a base and a lid that at least in part form a package having a plurality of exterior sides and an interior chamber. The packaged microphone also has a flexible substrate having a first portion within the interior chamber, and a second portion, extending from the interior chamber, having at least two sets of pads. A MEMS microphone die is mounted to the first portion of the flexible substrate, and each set of pads is in electrical communication with the microphone die. One set of pads is on a first exterior side of the package, and a second set of pads is on a second exterior side of the package.

    摘要翻译： 包装的麦克风具有基部和盖子，该基部和盖子至少部分地形成具有多个外侧和内部腔室的包装。 所述封装麦克风还具有柔性基板，该基板具有在所述内部室内的第一部分，以及从所述内部室延伸的具有至少两组垫的第二部分。 MEMS麦克风管芯安装到柔性基板的第一部分，并且每组焊盘与麦克风管芯电连通。 一组垫在包装的第一外侧上，第二组衬垫位于包装的第二外侧上。

    CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER (CMUT) WITH THROUGH-SUBSTRATE VIA (TSV) SUBSTRATE PLUG
    6.
    发明申请
    CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER (CMUT) WITH THROUGH-SUBSTRATE VIA (TSV) SUBSTRATE PLUG 审中-公开
    具有通过（TSV）基板插入的基板的电容式微机械超声波传感器（CMUT）

    公开(公告)号：WO2014134296A1

    公开(公告)日：2014-09-04

    申请号：PCT/US2014/018998

    申请日：2014-02-27

    申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED

    发明人： JOHNSON, Peter, B. ,  WYGANT, Ira, Oaktree

    IPC分类号： B06B1/02

    CPC分类号： B06B1/0292 ,  B06B2201/76 ,  B81B7/007 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/036 ,  H02N1/006 ,  H04R19/005 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/09863

    摘要： A capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) device 100 includes at least one CMUT cell 100a including a first substrate 101 of a single crystal material having a top side including a patterned dielectric layer thereon including a thick 106 and a thin 107 dielectric region, and a through- substrate via (TSV) 111 extending a full thickness of the first substrate. The TSV is formed of the single crystal material, is electrically isolated by isolation regions 131 in the single crystal material, and is positioned under a top side contact area 102a of the first substrate. A membrane layer 120b is bonded to the thick dielectric region and over the thin dielectric region to provide a movable membrane over a microelectromechanical system (MEMS) cavity 114. A metal layer 161 is over the top side substrate contact area and over the movable membrane including coupling of the top side substrate contact area to the movable membrane.

    摘要翻译： 电容微加工超声波换能器（CMUT）装置100包括至少一个CMUT单元100a，其包括单晶材料的第一基板101，其具有包括厚的106和薄的107电介质区域的图案化介电层的顶侧， 贯通衬底通孔（TSV）111延伸第一衬底的整个厚度。 TSV由单晶材料形成，通过单晶材料中的隔离区域131电隔离，并且位于第一基板的顶侧接触区域102a的下方。 膜层120b结合到厚的电介质区域和薄的电介质区域上，以在微机电系统（MEMS）空腔114上提供可移动的膜。金属层161在顶侧衬底接触区域之上并且在可移动膜上方包括 将顶侧基板接触区域耦合到可移动膜。

    CAPACITIVE MEMS SENSOR DEVICES
    7.
    发明申请
    CAPACITIVE MEMS SENSOR DEVICES 审中-公开
    电容式MEMS传感器器件

    公开(公告)号：WO2014134291A1

    公开(公告)日：2014-09-04

    申请号：PCT/US2014/018985

    申请日：2014-02-27

    申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED

    发明人： WYGANT, Ira, Oaktree ,  JOHNSON, Peter, B.

    IPC分类号： G01L9/04

    CPC分类号： G01P15/125 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/036 ,  H02N1/006 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/2468 ,  H03H9/2489 ,  H04R19/005 ,  Y10T29/49165

    摘要： A packaged capacitive MEMS sensor device 100 includes at least one capacitive MEMS sensor element with at least one capacitive MEMS sensor cell 100a including a first substrate 101 having a thick 106 and a thin 107 dielectric region. A second substrate with a membrane layer 120 is bonded to the thick dielectric region and over the thin dielectric region to provide a MEMS cavity 114. The membrane layer provides a fixed electrode 120a and a released MEMS electrode 120b over the MEMS cavity. A first through-substrate via (TSV) 111 extends through a top side of the MEMS electrode and a second TSV 112 through a top side of the fixedelectrode. A metal cap 132 is on top of the first TSV and second TSV. A third substrate 140 including an inner cavity 144 and outer protruding portions 146 framing the inner cavity is bonded to the thick dielectric regions. The third substrate together with the first substrate seals the MEMS electrode.

    摘要翻译： 封装的电容式MEMS传感器装置100包括具有至少一个电容式MEMS传感器单元100a的至少一个电容式MEMS传感器元件，该电容式MEMS传感器单元包括具有厚的106和薄的107电介质区域的第一基板101。 具有膜层120的第二衬底被结合到厚电介质区域和薄介电区域上，以提供MEMS空腔114.膜层在MEMS空腔上提供固定电极120a和释放的MEMS电极120b。 第一穿通基板通孔（TSV）111延伸穿过MEMS电极的顶侧，通过固定电极的顶侧延伸穿过第二TSV 112。 金属盖132位于第一TSV和第二TSV的顶部。 包括内腔144和框架内腔的外部突出部分146的第三衬底140被结合到厚电介质区域。 第三衬底与第一衬底一起密封MEMS电极。

    SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A BURIED LOWER ELECTRODE IN CONJUNCTION WITH AN ENCAPSULATED MEMS DEVICE
    8.
    发明申请
    SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A BURIED LOWER ELECTRODE IN CONJUNCTION WITH AN ENCAPSULATED MEMS DEVICE 审中-公开
    与封装的MEMS器件连接形成一个下部电极的系统和方法

    公开(公告)号：WO2014031570A1

    公开(公告)日：2014-02-27

    申请号：PCT/US2013/055668

    申请日：2013-08-20

    申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  GRAHAM, Andrew, B. ,  FEYH, Ando ,  O'BRIEN, Gary

    发明人： GRAHAM, Andrew, B. ,  FEYH, Ando ,  O'BRIEN, Gary

    IPC分类号： B81B7/00

    CPC分类号： B81B3/0021 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00015

    摘要： A system and method for forming a sensor device with a buried first electrode includes providing a first silicon portion with an electrode layer and a second silicon portion with a device layer. The first silicon portion and the second silicon portion are adjoined along a common oxide layer formed on the electrode layer of the first silicon portion and the device layer of the second silicon portion. The resulting multi-silicon stack includes a buried lower electrode that is further defined by a buried oxide layer, a highly-doped ion implanted region, or a combination thereof. The multi-silicon stack has a plurality of silicon layers and silicon dioxide layers with electrically isolated regions in each layer allowing for both the lower electrode and an upper electrode. The multi-silicon stack further includes a spacer that enables the lower electrode to be accessible from a topside of the sensor device.

    摘要翻译： 用于形成具有埋入的第一电极的传感器装置的系统和方法包括：提供具有电极层的第一硅部分和具有器件层的第二硅部分。 第一硅部分和第二硅部分沿着形成在第一硅部分的电极层和第二硅部分的器件层上的公共氧化物层相邻。 所得到的多硅堆叠包括掩埋下电极，其进一步由掩埋氧化物层，高度掺杂的离子注入区域或其组合限定。 多硅堆叠具有多个硅层和在每个层中具有电隔离区域的二氧化硅层，允许下电极和上电极两者。 多硅堆叠还包括使得下电极能够从传感器装置的顶侧接近的间隔件。

    MEMSデバイスおよびその製造方法
    9.
    发明申请
    MEMSデバイスおよびその製造方法 审中-公开
    MEMS器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2013145287A1

    公开(公告)日：2013-10-03

    申请号：PCT/JP2012/058659

    申请日：2012-03-30

    申请人： 株式会社日立製作所 ,  金丸 昌敏 ,  青野 宇紀 ,  鈴木 健悟

    发明人： 金丸　昌敏 ,  青野　宇紀 ,  鈴木　健悟

    IPC分类号： B81B1/00 ,  B81C1/00

    CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/0384 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00103 ,  B81C1/00595

    摘要： 　複数の貫通孔を高密度に配置でき、貫通孔の先端部が先細りしている形状のMEMSデバイスおよびその製造方法を提供する。 （100）結晶面を平面に持つシリコン基板に、任意の寸法の四角形パターニングを配置し、高アスペクト比が加工できるドライエッチング加工によって任意の深さまでエッチング加工を行う工程、およびイソプロピルアルコールが混合された水酸化カリウム水溶液によって異方性ウエットエッチング加工を行う工程を含む加工によって側面が垂直な貫通孔で底部が先細りの貫通孔を提供する。

    摘要翻译： 提供一种其中可以以高密度布置多个通孔并且每个通孔的端部具有锥形形状的MEMS器件和用于制造MEMS器件的工艺。 通过以下步骤提供通过处理提供侧壁垂直和底部锥形的通孔，其特征在于：将具有包括（100）晶面的平坦表面的硅衬底图案化以设置其上所需尺寸的四边形区域， 通过能够以高纵横比加工的干蚀刻将区域蚀刻到所需的深度; 以及混合有异丙醇的氢氧化钾水溶液进行各向异性湿蚀刻的工序。