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    MEMS SENSOR INTEGRATED WITH A FLIP CHIP
    1.
    发明申请
    MEMS SENSOR INTEGRATED WITH A FLIP CHIP 审中-公开
    MEMS传感器与FLIP芯片集成

    公开(公告)号：WO2016032721A1

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：PCT/US2015/044086

    申请日：2015-08-06

    Applicant: INVENSENSE, INC.

    Inventor： SMEYS, Peter ,  MAGHSOUDNIA, Mozafar

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/008 ,  B81C1/00238 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2924/00014

    Abstract: A method and system for providing a MEMS sensor integrated with a flip chip are disclosed. In a first aspect, the system comprises a MEMS sensor, at least one flip chip coupled to the MEMS sensor, and at least one through-silicon via (TSV) that electrically connects the at least one flip chip to the MEMS sensor. In a second aspect, the system comprises a MEMS sensor that includes a CMOS coupled to a MEMS structure, wherein the CMOS comprises a substrate coupled to an interconnect in contact with the MEMS structure. The system further comprises a plurality of flip chips coupled to the substrate, a plurality of TSV that electrically connect the plurality of flip chips to the interconnect, and a plurality of layers on the substrate to provide electrical connections between the plurality of flip chips and from the plurality of flip chips to at least one external component.

    Abstract translation: 公开了一种用于提供与倒装芯片集成的MEMS传感器的方法和系统。 在第一方面，该系统包括MEMS传感器，耦合到MEMS传感器的至少一个倒装芯片以及将至少一个倒装芯片电连接到MEMS传感器的至少一个穿硅通孔（TSV）。 在第二方面，该系统包括MEMS传感器，其包括耦合到MEMS结构的CMOS，其中CMOS包括耦合到与MEMS结构接触的互连的衬底。 该系统还包括耦合到衬底的多个倒装芯片，将多个倒装芯片电连接到互连件的多个TSV以及衬底上的多个层，以提供多个倒装芯片之间的电连接 所述多个倒装芯片至少一个外部部件。

    電子デバイス
    6.
    发明申请
    電子デバイス 审中-公开
    电子设备

    公开(公告)号：WO2014020648A1

    公开(公告)日：2014-02-06

    申请号：PCT/JP2012/004894

    申请日：2012-08-01

    Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  小荒井 満

    Inventor： 小荒井　満

    IPC: B81B7/02 ,  H01L25/00

    CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/008 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/035 ,  H01L25/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 　本発明は、機能素子やその周辺回路の配置エリアの面積を狭くすることなく、接合材料の機能素子やその周辺回路への接触を防止することを課題としたものである。　本発明は、流動性を有する接合材料（Ｍ）により、ＭＥＭＳ素子（２）を搭載したＭＥＭＳ基板（３）と、ＣＭＯＳ基板（４）と、を相互の接合面（１２、４１）において接合して成る電子デバイス（１）であって、ＭＥＭＳ基板（３）は、基板本体（２１）から凸設され、接合面（４１）を有する接合凸部（３１）と、接合凸部とＭＥＭＳ素子との間に配設された間隙形成部（３２）と、を有し、間隙形成部は、接合凸部から延びる複数の支持片（４２）により、接合凸部に支持されると共に、その壁面と接合凸部との間に、接合面からＭＥＭＳ素子側にはみ出した接合材料を受容可能な受容間隙を形成することを特徴とする。

    Abstract translation: 本发明解决了防止接合材料与功能元件或其周边电路接触而不使功能元件或其周边电路设置的区域变窄的问题。 本发明是一种电子器件（1），其通过使用流体将在其上装载了MEMS元件（2）的MEMS衬底（3）与MEMS衬底（4）接合在互补接合表面（12,41）上而获得 接合材料（M），其特征在于：MEMS基板（3）包括从主基板主体（21）突出并具有接合面（41）的接合突起（31）和间隙形成部 （33），设置在所述接合突起和所述MEMS元件之间; 并且间隙形成部分通过从接合突起延伸的多个支撑件（42）由接合突起支撑，并且在其壁表面和接合突起之间形成接收间隙，该接收间隙能够接收从 接合表面朝向MEMS元件侧。

    SENSORS
    9.
    发明申请
    SENSORS 审中-公开
    传感器

    公开(公告)号：WO2011124576A1

    公开(公告)日：2011-10-13

    申请号：PCT/EP2011/055285

    申请日：2011-04-05

    Applicant: SILICON SENSING SYSTEMS LIMITED ,  DURSTON, Michael ,  BEASLEY, David ,  TOWNSEND, Kevin

    Inventor： DURSTON, Michael ,  BEASLEY, David ,  TOWNSEND, Kevin

    IPC: G01C19/56 ,  H03H9/02

    CPC classification number: B81B7/008 ,  G01C19/56 ,  G01C19/5684

    Abstract: An inertial sensor is described in which a resonant element is driven by control electronics into resonance. The control electronics includes an oscillator. A circuit is provided for matching the frequency of the oscillator with the frequency of the output of the resonant element such that the time to operation from start up of the sensor is minimised and the requirement of frequency matching a given sensor to the control electronics is removed.

    Abstract translation: 描述了一种惯性传感器，其中谐振元件由控制电子器件驱动到共振中。 控制电子器件包括一个振荡器。 提供了一种用于将振荡器的频率与谐振元件的输出频率相匹配的电路，使得从传感器启动起的操作时间被最小化，并且将给定传感器与控制电子装置的频率匹配的要求去除 。

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