公开(公告)号：WO2015018571A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：PCT/EP2014/064099

申请日：2014-07-02

Applicant: EPCOS AG

Inventor： GIESEN, Marcel ,  METZGER, Thomas ,  EKKELS, Phillip ,  SCHÄUFELE, Ansgar

IPC: H04R31/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00682 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00666 ,  B81C99/004 ,  G01L9/0073 ,  H04R31/003

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Wandlers, das die folgenden Schritte aufweist: -Herstellen einer Vielzahl von mikroelektromechanischen Wandlern (1) auf einem einzigen Wafer (13), wobei jeder Wandler (1) eine Membran (3) aufweist, -Aufteilen des Wafers (13) in zumindest einen ersten und einen zweiten Bereich (14, 15), -Feststellen der mechanischen Spannungen einer Stichprobe (18) von Membranen (3) des ersten Bereichs (14) und Vergleich mit einem vorgegebenen Soll-Wert, -Feststellen der mechanischen Spannungen einer Stichprobe (18) von Membranen (3) des zweiten Bereichs (14) und Vergleich mit dem vorgegebenen Soll-Wert, -Anpassen der Spannungen der Membranen (3) in dem ersten Bereich (14) an den vorgegebenen Soll-Wert, und -Anpassen der Spannungen der Membranen (3) in dem zweiten Bereich (15) an den vorgegebenen Soll-Wert.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造微机电换能器，其包括以下步骤：在单个晶片（13）上-Herstellen多个微机电转换器（1）的，每个换能器（1）包括一个膜片（3）， - 将晶片分割（13）在至少一个第一和一个第二区域（14，15），-Feststellen膜的样品（18）的机械应力（3）在第一区域（14）和对规定的目标值的， -Feststellen膜的样品（18）的机械应力（3）所述第二区域（14），并与预定的所需值进行比较，在所述第一区域（14）-Adapting膜（3）的电压与所述预定的期望 值，并且-Adapting在第二区域（15）的膜（3）的电压施加到规定的目标值。

公开(公告)号：WO2011009869A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：PCT/EP2010/060497

申请日：2010-07-20

Applicant: MONTRES BREGUET SA ,  KARAPATIS, Nakis

Inventor： KARAPATIS, Nakis

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00682 ,  B81B2201/035 ,  B81C1/00674 ,  B81C2201/0178 ,  Y10T29/49986

Abstract: Le procédé de fabrication d'une pièce micromécanique en silicium renforcé comporte les étapes de : - micro-usiner la pièce, ou un lot de pièces dans une plaquette de silicium; - former, sur toute la surface de la pièce, en une ou plusieurs étapes, une couche de dioxyde de silicium, de manière à obtenir une épaisseur de dioxyde de silicium au moins cinq fois supérieure à l'épaisseur d'un dioxyde de silicium natif; - retirer la couche de dioxyde de silicium par attaque chimique.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造由增强硅制成的微机械部件的方法，包括以下步骤：在硅晶片中微加工所述部件或一批部件; 在一个或多个步骤中并在整个表面上形成二氧化硅层，以获得比天然二氧化硅的厚度大至少五倍的二氧化硅的厚度; 并通过化学侵蚀去除二氧化硅层。

公开(公告)号：WO2007000271A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：PCT/EP2006/005959

申请日：2006-06-21

Applicant: ETA SA MANUFACTURE HORLOGERE SUISSE ,  RAPPO, René ,  LIPPUNER, Marc ,  PARATTE, Lionel ,  CONUS, Thierry

Inventor： RAPPO, René ,  LIPPUNER, Marc ,  PARATTE, Lionel ,  CONUS, Thierry

IPC: G04B1/00 ,  C23C14/10 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/32 ,  C23C16/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/26 ,  C30B33/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: G04D3/0074 ,  B81C1/00682 ,  C30B29/06 ,  C30B33/005 ,  G04B13/022 ,  G04B15/14 ,  G04B17/066 ,  G04D3/0069

Abstract: La pièce de micro-mécanique, par exemple une pièce d’un mouvement horloger comporte une âme en silicium (1) don’t tout ou partie de la surface (3) est revêtue d’un matériau amorphe épais (2). Ce matériau est de préférence le dioxyde de silicium et a une épaisseur au moins cinq fois supérieure à celle du dioxyde de silicium natif.

Abstract translation: 本发明涉及一种微机械部件，例如包括硅芯（1）的钟表机芯部件。 所述硅芯的表面（3）的部分或全部涂覆有厚无定形材料（2）。 所述材料优选是二氧化硅并且比天然二氧化硅厚至少五倍。

公开(公告)号：WO1995002894A1

公开(公告)日：1995-01-26

申请号：PCT/US1994007925

申请日：1994-07-15

Applicant: NEUKERMANS, Armand, P.

Inventor： SLATER, Timothy, G. ,  WHITTLESEY, Linda, E. ,  CAHILL, Sean, S.

IPC: H01L21/302

CPC classification number: G01Q70/16 ,  B81B2201/12 ,  B81C1/00682 ,  G01Q70/14 ,  H01J9/025 ,  H01J2209/0226

Abstract: Forming micro-probe tips for an atomic force microscope, a scanning tunneling microscope, a beam electron emission microscope, or for field emission, by first thinning a tip (11) of a first material, such as silicon. The tips (11) are then reacted with a second material, such as atoms from an organic or ammonia vapor, at a temperature of about 1000 DEG C +/- 200 DEG C and vacuum conditions for several minutes. Vapors such as methane, propane or acetylene will be converted to SiC or WC while ammonia will be converted to Si3N4. The converted material will have different physical, chemical and electrical properties. For example, a SiC tip will be superhard, approaching diamond in hardness. Electrically conductive tips are suitable for field emission.

Abstract translation: 通过首先使诸如硅的第一材料的尖端（11）变薄来形成用于原子力显微镜，扫描隧道显微镜，束电子发射显微镜或用于场发射的微探针尖端。 然后将尖端（11）与约1000℃+/- 200℃的温度和真空条件下的第二材料例如来自有机或氨蒸气的原子反应数分钟。 蒸气如甲烷，丙烷或乙炔将转化为SiC或WC，而氨将转化为Si3N4。 转换的材料将具有不同的物理，化学和电学性能。 例如，SiC尖端将是超硬的，接近金刚石的硬度。 导电尖端适用于场发射。

公开(公告)号：WO2017059056A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：PCT/US2016/054416

申请日：2016-09-29

Applicant: MEMS DRIVE, INC.

Inventor： GUTIERREZ, Roman ,  TANG, Tony ,  LIU, Xiaolei ,  WANG, Guiqin ,  NG, Matthew

IPC: B81B7/04 ,  B81B5/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L21/76816 ,  B81B3/0045 ,  B81B7/0029 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00674 ,  B81C1/00682 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0135 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181

Abstract: A system and method for manipulating the structural characteristics of a MEMS device including etching a plurality of holes into the surface of a MEMS device, wherein the plurality of holes comprise one or more geometric shapes determined to provide specific structrual characteristics desired in the MEMS device.

Abstract translation: 一种用于操纵MEMS器件的结构特性的系统和方法，包括将多个孔蚀刻到MEMS器件的表面中，其中所述多个孔包括被确定为提供MEMS器件中期望的特定结构特征的一个或多个几何形状。

公开(公告)号：WO2010107618A2

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：PCT/US2010026664

申请日：2010-03-09

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  CANDLER ROBERT N

Inventor： CANDLER ROBERT N

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00682 ,  G01C19/56 ,  G01C25/00 ,  G01P15/125

Abstract: A method of forming a device with a controlled electrode gap width includes providing a substrate, forming a functional layer on top of a surface of the substrate, forming a sacrificial layer above the functional layer, exposing a first portion of the functional layer through the sacrificial layer, forming a first spacer layer on the exposed first portion of the functional layer, forming an encapsulation layer above the first spacer layer, and vapor etching the encapsulated first spacer layer to form a first gap between the functional layer and the encapsulation layer.

Abstract translation: 形成具有受控电极间隙宽度的器件的方法包括提供衬底，在衬底的表面的顶部上形成功能层，在功能层之上形成牺牲层，通过牺牲层暴露功能层的第一部分 在所述功能层的暴露的第一部分上形成第一间隔层，在所述第一间隔层上方形成封装层，并蒸镀蚀刻所述封装的第一间隔层以在所述功能层和所述封装层之间形成第一间隙。

公开(公告)号：WO2003011747A1

公开(公告)日：2003-02-13

申请号：PCT/GR2002/000008

申请日：2002-02-18

Applicant: NCSR "DEMOKRITOS" ,  TSAMIS, Christos ,  TSEREPI, Angeliki ,  NASSIOPOULOU, Androula, G.

Inventor： TSAMIS, Christos ,  TSEREPI, Angeliki ,  NASSIOPOULOU, Androula, G.

IPC: B81B3/00

CPC classification number: H05B3/265 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00682 ,  B81C1/0069 ,  B81C2201/0115 ,  G01F1/6845 ,  G01N27/12 ,  G01N27/16 ,  G01N27/18

Abstract: This invention provides a front-side silicon micromachining process for the fabrication of suspended Porous Silicon membranes in the form of bridges or cantilevers and of thermal sensor devices employing these membranes. The fabrication of the suspended Porous Silicon membranes comprises the following steps: (a) formation of a Porous Silicon layer (2) in, at least one, predefined area of a Silicon substrate (1), (b) definition of etch windows (5) around or inside said Porous Silicon layer (2) using standard photolithography and (c) selective etching of the Silicon substrate (1), underneath the Porous Silicon layer (2), by using dry etching techniques to provide release of the Porous Silicon membrane and to form a cavity (6) under the said Porous Silicon layer. Furthermore, the present invention provides a method for the fabrication of thermal sensors based on Porous Silicon membranes with minimal thermal losses, since the proposed methodology combines the advantages that result from the low thermal conductivity of Porous Silicon and the use of suspended membranes. Moreover, the front-side micromachining process proposed in the present invention simplifies the fabrication process. Various types of thermal sensor devices, such as calorimetric-type gas sensors, conductometric-type gas sensors and thermal conductivity sensors are described utilizing the proposed methodology.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于制造桥梁或悬臂形式的悬浮多孔硅膜和使用这些膜的热传感器装置的前侧硅微加工方法。 悬浮的多孔硅膜的制造包括以下步骤：（a）在硅衬底（1）的至少一个预定区域中形成多孔硅层（2），（b）蚀刻窗口（5） ）使用标准光刻法和（c）在多孔硅层（2）下方的硅衬底（1）的选择性蚀刻，通过使用干蚀刻技术提供多孔硅膜（2）的多孔硅膜（2）的内部 并在所述多孔硅层下方形成空腔（6）。 此外，本发明提供了一种用于制造基于具有最小热损失的多孔硅膜的热传感器的方法，因为所提出的方法结合了多孔硅的低热导率和悬浮膜的使用所产生的优点。 此外，本发明中提出的前侧微加工工艺简化了制造工艺。 使用所提出的方法来描述各种类型的热传感器装置，例如量热式气体传感器，电导型气体传感器和导热传感器。

公开(公告)号：WO2016189451A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/IB2016/053013

申请日：2016-05-23

Applicant: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL)

Inventor： FANTNER, Georg Ernest ,  ADAMS, Jonathan David ,  HOSSEINI, Nahid

IPC: G01Q60/38 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01Q70/14

CPC classification number: B81B3/0045 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00682 ,  B81C2201/014 ,  G01Q20/04 ,  G01Q60/38 ,  G01Q70/14

Abstract: The present invention relates to a cantilever or membrane comprising a body and an elongated beam attached to the body. The elongated beam includes a first layer comprising a first material, a second layer comprising a second material having an elastic modulus different to that of the first material, a third layer comprising a third material having an elastic modulus different to that of the first material, where the first layer is sandwiched between the second layer and the third layer.

Abstract translation: 本发明涉及悬臂或膜，其包括主体和附接到主体的细长梁。 细长梁包括第一层，第一层包括第一材料，第二层包括具有不同于第一材料的弹性模量的第二材料，第三层包括具有与第一材料不同的弹性模量的第三材料， 其中第一层夹在第二层和第三层之间。

公开(公告)号：WO2015189046A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/EP2015/061943

申请日：2015-05-29

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： BENDES, David

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0016 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/053 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00682 ,  B81C2201/0171

Abstract: Mikromechanische Struktur (100), aufweisend: wenigstens einen elastisch deformierbaren ersten Bereich (10), der wenigstens abschnittsweise einen definiert piezoelektrisch dotierten zweiten Bereich (10a) aufweist; wenigstens einen vierten Bereich (30), in den die im zweiten Bereich (10a) generierten elektrischen Ladungen leitbar sind; und wenigstens einen mit dem zweiten und dem vierten Bereich (10a, 30) elektrisch verbundenen dritten Bereich (20), in welchem ein durchfließender elektrischer Strom in thermische Energie umwandelbar ist.

Abstract translation: 具有至少一个可弹性变形的第一区域（10），其至少部分地限定一个压电掺杂的第二区（10a）;微机械结构（100）包括 至少第四区域（30），其中，所述在所述第二区（10a）中产生的电荷被进行; 和至少一个电连接到所述第二和第四区（10a，30），第三区域（20），其中流过的电流可以被转换成热能。

公开(公告)号：WO2012145485A2

公开(公告)日：2012-10-26

申请号：PCT/US2012/034210

申请日：2012-04-19

Applicant: CAVENDISH KINETICS, INC ,  VAN DEN HOEK, Willibrordus Gerardus Maria ,  VAN KAMPEN, Robertus Petrus ,  KNIPE, Richard L. ,  SMITH, Charles G.

Inventor： VAN DEN HOEK, Willibrordus Gerardus Maria ,  VAN KAMPEN, Robertus Petrus ,  KNIPE, Richard L. ,  SMITH, Charles G.

IPC: B81B7/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B3/0059 ,  B81B7/0035 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00285 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00682

Abstract: The present invention generally relates to methods for increasing the lifetime of MEMS devices by reducing the landing velocity on switching by introducing gas into the cavity surrounding the switching element of the MEMS device. The gas is introduced using ion implantation into a cavity close to the cavity housing the switching element and connected to that cavity by a channel through which the gas can flow from one cavity to the other. The implantation energy is chosen to implant many of the atoms close to the inside roof and floor of the cavity so that on annealing those atoms diffuse into the cavity. The gas provides gas damping which reduces the kinetic energy of the switching MEMS device which then should have a longer lifetime.

Abstract translation: 本发明一般涉及通过将气体引入到围绕MEMS装置的开关元件的空腔中来降低开关时降低着陆速度来增加MEMS器件寿命的方法。 使用离子注入将气体引入到容纳开关元件的腔附近的空腔中，并且通过通道将气体连接到该空腔，气体可以通过该通道从一个空腔流到另一个空腔。 选择植入能量以植入靠近腔室的内部屋顶和底部的许多原子，使得在退火时，这些原子扩散到空腔中。 气体提供气体阻尼，其降低开关MEMS器件的动能，然后应该具有更长的寿命。