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公开(公告)号：WO2017007762A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/US2016/040978
申请日：2016-07-05
Applicant: LEE, James
Inventor： LEE, James
IPC: C25B1/04
CPC classification number: C25B1/06 , C12P19/32 , C12Y306/03014 , C23F1/14 , C25B1/10 , Y02E60/366 , Y02P20/129
Abstract: Localized excess protons are created with an open-circuit water electrolysis process using a pair of anode and cathode electrodes for a special excess proton production and proton-utilization system to treat a substrate material plate/film by forming and using an excess protons-substrate-hydroxyl anions capacitor-like system. The technology enables protonation and/or proton-driven oxidation of plate/film and/or membrane materials in a pure water environment. The present invention does not require the use of any conventional acid chemicals including nitric and sulfuric acids for the said industrial applications. The application of localized excess protons provides a special energy recycling and renewing technology function to extract latent heat including molecular thermal motion energy at ambient temperature for generating local proton motive force (equivalent to Gibbs free energy) to do useful work such as driving ATP synthesis and proton-driven oxidation of certain substrate metal atoms.
Abstract translation: 使用一对阳极和阴极用于特殊的过量质子生成和质子利用系统的开放水电解方法产生局部过量质子，以通过形成和使用过量的质子 - 衬底 - 羟基阴离子电容器系统。 该技术可在纯水环境中使板/膜和/或膜材料进行质子化和/或质子驱动氧化。 本发明不需要使用任何常规的酸性化学品，包括硝酸和硫酸用于所述工业应用。 局部过量质子的应用提供了特殊的能量回收和更新技术功能，用于提取包括分子热运动能在环境温度下的潜热，以产生局部质子动力（相当于吉布斯自由能）来进行有用的工作，如驱动ATP合成和 某些底物金属原子的质子驱动氧化。
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公开(公告)号：WO2013154236A1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：PCT/KR2012/007367
申请日：2012-09-14
Applicant: UBPRECISION CO., LTD. , PARK, Jea Gun , LEE, Gon Sub , PARK, Jin Hyung , LIM, Jae Hyung , CHO, Jong Young , HWANG, Hee Sub , CUI, Hao
Inventor： PARK, Jea Gun , LEE, Gon Sub , PARK, Jin Hyung , LIM, Jae Hyung , CHO, Jong Young , HWANG, Hee Sub , CUI, Hao
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C23F1/14 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: Disclosed are a polishing slurry used in a polishing process of tungsten and a method of polishing using the same. The slurry includes an abrasive for performing polishing and an oxidation promoting agent for promoting the formation of an oxide. The abrasive includes titanium oxide particles.
Abstract translation: 公开了用于钨的抛光工艺的抛光浆料和使用其的抛光方法。 浆料包括用于进行抛光的研磨剂和用于促进氧化物形成的氧化促进剂。 研磨剂包括氧化钛颗粒。
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公开(公告)号：WO2011162086A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/JP2011/062843
申请日：2011-06-03
CPC classification number: C21D8/1294 , C21D6/008 , C21D8/12 , C21D8/1255 , C21D9/46 , C21D2201/05 , C21D2221/00 , C22C1/02 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C23F1/00 , C23F1/02 , C23F1/14 , C25F3/06 , H01F1/14783 , H01F1/16
Abstract: エッチングにより溝を加工する際に、冷間圧延鋼板にレジスト膜を形成する。このとき、レジスト膜には、鋼板の一部を露出する鋼板露出部が形成されており、鋼板露出部は、板幅方向に向かう第１の領域と、前記第１の領域を起点とした複数の第２の領域とを有し、第１及び第２の領域の幅が２０μｍ～１００μｍであり、第２の領域の端部から、隣接する第２の領域の端部までの距離が６０μｍ～５７０μｍとなるようなレジスト膜を形成する。
Abstract translation: 公开了一种用于制造单向电磁钢板的方法，其中当冷轧钢板通过蚀刻设置有凹槽时，在冷轧钢板上形成抗蚀剂膜。 抗蚀剂膜设置有钢板暴露部分，钢板的一部分从该钢板暴露部分暴露，并且钢板暴露部分具有在片材宽度方向上延伸的第一区域和从第二区域延伸的多个第二区域 第一区。 形成抗蚀剂膜，使得第一和第二区域的宽度为20-100μm，并且从一个第二区域的边缘到与其相邻的另一个第二区域的边缘的距离为60-570μm。
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公开(公告)号：WO2011102238A1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：PCT/JP2011/052340
申请日：2011-02-04
Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 , 坂口 和彦 , 稲住 肇
CPC classification number: H05K3/062 , C23F1/02 , C23F1/14 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H05K1/0393 , H05K3/381 , H05K3/388 , H05K2201/0154 , H05K2203/095
Abstract: フレキシブルラミネート基板へ回路を形成する方法であって、少なくとも一方の面がプラズマ処理されたフレキシブルラミネート基板となるポリイミドフィルム、該ポリイミドフィルムの上に形成されたタイコート層Ａ、該タイコート層上に形成された金属導体層Ｂ、さらに該金属導体層の上に前記タイコート層と同一成分の層Ｃとを有する無接着剤フレキシブルラミネートを用いて回路を形成する際に、前記金属導体層の上に形成したタイコート層と同一成分の層Ｃの上にフォトレジストを塗布し、これを露光・現像して、回路形成以外の層Ｃのみを予めプリエッチングにより選択的に除去し、その後再度エッチングにより前記導電体層Ｂを除去して回路部分を残存させ、さらに回路部分のフォトレジストを除去して回路を形成することを特徴とするフレキシブルラミネート基板への回路形成方法。無接着剤フレキシブルラミネートのタイコート層又はタイコート層と同等の金属又は合金を金属導体層状に形成することで、同時に回路配線のファインピッチ化の妨げとなるサイドエッチングの抑制及び配線の直線性を良好にすることを課題とするものである。
Abstract translation: 公开了一种在柔性层压基板上形成电路的方法。 当使用非粘性柔性层压体形成电路时，包括在至少一个表面上进行等离子体处理的柔性层压基板的聚酰亚胺膜，形成在聚酰亚胺膜上的接合层（A）， 形成在连接层上的金属导电体层（B）和金属导电体层（C）与层合层的成分相同，使用以下的方法。 将光致抗蚀剂涂覆在形成在具有与粘结层相同成分的金属导体层上的层（C）上，光刻胶曝光和显影，除电路形成部分之外的层（C）为 通过预蚀刻预先选择性地去除，然后，通过更换蚀刻形成电路，去除导体层（B），留下电路部件，以及通过额外去除光致抗蚀剂的电路部件。 通过在非粘合性柔性层压体的金属半导体层上形成粘结层或相当于粘结层的金属或合金来解决的问题是同时减轻侧蚀刻，其干扰 精细间距电路，以及电路线性度的提高。
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公开(公告)号：WO2009108765A2
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/US2009/035264
申请日：2009-02-26
Applicant: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
Inventor： FREY, Matthew H., , ROBRECHT, Michael J., , JAMBOR, George F.;
CPC classification number: G06F3/044 , C23F1/02 , C23F1/14 , G01R27/2605 , G06F3/0412 , G06F3/045 , G06F2203/04108 , G06F2203/04112
Abstract: A touch screen sensor includes a visible light transparent substrate and an electrically conductive micropattern disposed on or in the visible light transparent substrate. The micropattern includes a first region micropattern within a touch sensing area and a second region micropattern. The first region micropattern has a first sheet resistance value in a first direction, is visible light transparent, and has at least 90% open area. The second region micropattern has a second sheet resistance value in the first direction. The first sheet resistance value is different from the second sheet resistance value.
Abstract translation: 触摸屏传感器包括可见光透明基板和设置在可见光透明基板之上或之中的导电微图案。 微图案包括触摸感测区域内的第一区域微图案和第二区域微图案。 第一区域微图案在第一方向上具有第一薄层电阻值，是可见光透明的，并且具有至少90％的开放区域。 第二区域微图案在第一方向上具有第二薄层电阻值。 第一个薄层电阻值不同于第二个薄层电阻值。
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Patent Agency Ranking6.发明申请
公开(公告)号：WO2008121137A3
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：PCT/US2007025722
申请日：2007-12-17
Applicant: UNIV NORTHWESTERN , MIRKIN CHAD A , HUANG LING , SANEDRIN RAYMOND
Inventor： MIRKIN CHAD A , HUANG LING , SANEDRIN RAYMOND
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23F1/02 , C23F1/14 , Y10T428/24355
Abstract: Nanostructures and microstructures are formed by patterning methods such as Dip Pen Nanolithography (DPN) or microcontact printing of organic molecules functioning as a resist on a substrate followed by an etching step. The etch resist is a patterning composition and can contain on a substrate including polyethylene glycol (PEG). Positive and negative etch methods can be used.
Abstract translation: 纳米结构和微结构通过诸如Dip Pen Nanoithography（DPN）的图案化方法或用作基底上的抗蚀剂的有机分子的微接触印刷形成，然后进行蚀刻步骤。 抗蚀剂是图案化组合物，并且可以包含在包含聚乙二醇（PEG）的基材上。 可以使用正和负蚀刻方法。
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公开(公告)号：WO2008048840A2
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/US2007/081027
申请日：2007-10-11
Applicant: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
Inventor： FREY, Matthew H. , NGUYEN, Khanh P.
CPC classification number: C23C18/208 , C23C18/1608 , C23C18/1689 , C23C18/2013 , C23C18/31 , C23F1/02 , C23F1/14 , H05K9/0084 , H05K9/0094 , Y10T428/24612 , Y10T428/2462
Abstract: A method of patterning a deposit metal on a polymeric substrate is described. The method includes providing a polymeric film substrate having a major surface with a relief pattern having a recessed region and an adjacent raised region, depositing a first material onto the major surface of the polymeric film substrate to form a coated polymeric film substrate, forming a layer of a functionalizing material selectively onto the raised region of the coated polymeric film substrate to form a functionalized raised region and an unfunctionalized recessed region, and depositing electrolessly a deposit metal selectively on the unfunctionalized recessed region.
Abstract translation: 描述了在聚合物基底上图案化沉积金属的方法。 该方法包括提供具有主表面的聚合物膜基材，该主表面具有凹陷图案，凹凸图案具有凹陷区域和相邻凸起区域，将第一材料沉积到聚合物膜基材的主表面上以形成涂布的聚合物膜基材，形成层 的官能化材料选择性地涂覆到涂覆的聚合物膜基材的凸起区域上以形成功能化的凸起区域和未功能化的凹陷区域，以及在非功能化的凹陷区域上选择性地沉积金属沉积金属。
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公开(公告)号：WO2008026542A1
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/JP2007/066553
申请日：2007-08-27
IPC: C23F1/30 , C23F1/44 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/14 , C23F1/44
Abstract: 金と金よりイオン化電位の低い貴金属元素とが互いに接触してなるエッチング対象物の金よりイオン化電位の低い貴金属元素を選択的にエッチングする。 （１）金と金よりイオン化電位の低い貴金属元素とが互いに接触してなるエッチング対象物の金よりイオン化電位の低い貴金属元素を選択的にエッチングするためのエッチング液であって、ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含み、ヨウ素に対するヨウ化物塩のモル濃度比率が９．５以上である、エッチング液。 （２）金と金よりイオン化電位の低い貴金属元素とが接触している場合に限り、ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含むエッチング液のヨウ化物塩／ヨウ素のモル比を調整することにより、金を殆どエッチングすることなく、金よりイオン化電位の低い貴金属元素のみを選択的にエッチングすることが可能となる。
Abstract translation: 在其中金和电离电位低于金的电离电位的贵金属元素彼此接触的待蚀刻的基板中，本发明的目的是选择性地蚀刻贵金属元素。 （1）本发明涉及一种用于基底的蚀刻剂，其中金和贵金属的电离电位低于金的电位，彼此接触并能够选择性地蚀刻贵金属元素，并且其包含 碘，碘盐和水，碘盐/碘摩尔浓度比为9.5以上; 和（2）只有在金和贵金属元素的电离电位低于金的贵金属元素彼此接触的情况下，贵金属可以通过使用包含碘，碘化物盐的蚀刻剂和 水，并且具有调节的碘盐/碘摩尔比，而金几乎被蚀刻。
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公开(公告)号：WO2005069705A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/JP2005/000267
申请日：2005-01-13
Applicant: 松下電器産業株式会社 , 中川徹
Inventor： 中川徹
IPC: H05K3/06
CPC classification number: C25D5/022 , C23F1/02 , C23F1/14 , C23F1/18 , C23F1/30 , C23F1/40 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/32139 , H01L51/0019 , H01L51/0022 , H05K3/061 , H05K2201/015 , H05K2201/0239 , H05K2203/013 , H05K2203/0582 , H05K2203/0585 , H05K2203/122
Abstract: 本発明の金属パターンは、基板の表面に形成され、エッチングされた金属パターン(13')であって、金属パターン(13')の金属膜表面にはフッ化アルキル鎖（ＣＦ 3 （ＣＦ 2 ） n −：ｎは自然数）を含む吸着された単分子膜が形成され、前記単分子膜を構成する分子間にメルカプト基（−ＳＨ）又はジスルフィド基（−ＳＳ−）を有する分子が浸入してマスキング膜(18)が形成されている。こ金属パターンは、フッ化アルキル鎖（ＣＦ 3 （ＣＦ 2 ） n −：ｎは自然数）を含む単分子膜を金属膜表面に形成し、前記単分子膜の表面に、メルカプト基（−ＳＨ）又はジスルフィド基（−ＳＳ−）を有する分子が溶解した溶液を塗布して、前記単分子膜を構成する分子間にメルカプト基（−ＳＨ）又はジスルフィド基（−ＳＳ−）を有する分子を浸入させてマスキング膜を形成し、エッチング液を前記金属膜表面に曝して前記マスキング膜の無い金属領域をエッチングして得る。
Abstract translation: 通过在基板表面上形成而蚀刻的金属图案（13'），该金属图案（13'）具有通过吸附含有氟化烷基链（CF 3（CF 2）n - n）的单分子膜形成的掩蔽膜（18） （-SH）或二硫代（-SS））的分子渗透到金属膜表面上，并将其分子渗透到构成单分子膜的分子之间的间隙中。 该金属图案通过在金属膜表面上形成含有氟化烷基链（CF 3（CF 2）n - n为自然数）的单分子膜来制造） 用其中溶解有巯基（-SH）或二硫代（-SS-）的分子的溶液涂覆单分子膜的表面，使得具有巯基（-SH）或二硫代（-SS-）的分子渗入第 构成单分子膜的分子，从而形成掩模膜; 并将金属膜表面暴露于蚀刻溶液，从而浪费没有掩蔽膜的金属区域。
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公开(公告)号：WO2017086758A1
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：PCT/KR2016/013412
申请日：2016-11-21
Applicant: 오씨아이 주식회사
Abstract: 본 발명은 구리 식각용 조성물 및 과산화수소계 금속 식각용 조성물에 관한 것이며, 보다 구체적으로 구리와 유기물 사이에 형성된 킬레이트 결합의 안정성을 높여 식각용 조성물로부터 구리 침전물의 발생을 억제할 수 있는 구리 식각용 조성물 및 과산화수소계 금속 식각용 조성물 내 과산화수소의 분해 및 다른 성분들의 변성을 방지할 수 있는 과산화수소계 금속 식각용 조성물에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及用于铜蚀刻的组合物和用于蚀刻过氧化氢基金属的组合物，并且更具体地涉及用于提高在铜和有机材料之间形成的螯合键的稳定性的方法， 本发明涉及能够抑制过氧化氢蚀刻用组合物中的过氧化氢等的分解的铜蚀刻用组合物。
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