公开(公告)号：WO0171796A3

公开(公告)日：2002-03-14

申请号：PCT/US0140358

申请日：2001-03-22

Applicant: MICRON TECHNOLOGY INC

Inventor： DOAN TRUNG TRI ,  MEIKLE SCOTT G

IPC: H01L21/3063 ,  B24B37/04 ,  C25F3/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321

CPC classification number: B24B37/11 ,  B23H5/08 ,  B24B37/042 ,  B24B37/046 ,  B24B37/20 ,  C25F3/30 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125

Abstract: The invention includes a semiconductive processing method of electrochemical-mechanical removing at least some of a conductive material from over a surface of a semiconductor substrate. A cathode is provided at a first location of the wafer, and an anode is provided at a second location of the wafer. The conductive material is polished with the polishing pad polishing surface. The polishing occurs at a region of the conductive material and not at another region. The region where the polishing occurs is defined as a polishing operation location. The polishing operation location is displaced across the surface of the substrate from said second location of the substrate toward said first location of the substrate. The polishing operation location is not displaced from said first location toward said second location when the polishing operation location is between the first and second locations. The invention also includes a semiconductor processing method of removing at least some of a conductive material from over a surface of a semiconductive material wafer. A polishing pad is displaced across an upper surface of the wafer from a central region of the wafer toward a periphery of the wafer, and is not displaced from the periphery to the central region.

Abstract translation: 本发明包括从半导体衬底的表面上电化学 - 机械去除至少一些导电材料的半导体处理方法。 阴极设置在晶片的第一位置处，并且阳极设置在晶片的第二位置处。 用抛光垫抛光表面抛光导电材料。 抛光发生在导电材料的区域而不是在另一区域。 抛光发生的区域被定义为抛光操作位置。 抛光操作位置从衬底的所述第二位置横跨衬底的表面移动到衬底的所述第一位置。 当抛光操作位置在第一和第二位置之间时，抛光操作位置不会从所述第一位置移动到所述第二位置。 本发明还包括从半导体材料晶片的表面上去除至少一些导电材料的半导体加工方法。 抛光垫从晶片的中心区域朝着晶片的周边跨越晶片的上表面移位，并且不从周边移动到中心区域。

公开(公告)号：WO2014179968A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：PCT/CN2013/075410

申请日：2013-05-09

Applicant: ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.

Inventor： WANG, Jian ,  JIN, Yinuo ,  YANG, Hongchao ,  WANG, Hui

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C25D7/12 ,  B24B37/046 ,  B24B57/02 ,  C25D17/001 ,  C25D17/005 ,  C25D17/06 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00

Abstract: An apparatus and a method for plating and/or polishing wafer. The apparatus includes a wafer chuck, an auxiliary nozzle apparatus(140, 240, 340) and a main nozzle apparatus (180, 208, 380). For plating and/or polishing the wafer,the wafer chuck holds and positions the wafer and horizontally moves and rotates. The auxiliary nozzle apparatus supplies uncharged or charged electrolyte to cover the outer edge of the wafer and the wafer chuck, he main nozzle apparatus supplies charged electrolyte to the surface of the wafer. The present invention can improve the plating and/or polishing uniformity of the outer edge of the wafer and reduce the entire electric resistance of the apparatus and improve the plating and/or polishing rate.

Abstract translation: 晶圆电镀和/或抛光的装置和方法。 该装置包括晶片卡盘，辅助喷嘴装置（140,240,340）和主喷嘴装置（180,208,380）。 为了电镀和/或抛光晶片，晶片卡盘保持并定位晶片并且水平移动和旋转。 辅助喷嘴装置提供不带电或带电的电解质以覆盖晶片和晶片卡盘的外边缘，主喷嘴装置将带电电解质提供给晶片表面。 本发明可以改善晶片的外边缘的电镀和/或抛光均匀性，并降低装置的整体电阻并提高电镀和/或抛光速率。

公开(公告)号：WO0241369A3

公开(公告)日：2004-01-08

申请号：PCT/US0143368

申请日：2001-11-20

Applicant: RODEL INC

Inventor： BANERJEE GAUTAM ,  COOK LEE MELBOURNE

IPC: B23H5/08 ,  B24B37/04 ,  C25F3/30 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B23H5/08 ,  B24B37/046 ,  C25F3/30 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/32134

Abstract: Removing metal from a semiconductor substrate by dissolving ions of the metal into an electrolyte, comprising the steps of: applying a voltage across a polishing pad and the substrate, while an electropolishing electrolyte is dispensed at an interface of the substrate and the polishing pad, and while pooling the electrolyte about the substrate by the polishing pad.

Abstract translation: 通过将金属的离子溶解到电解质中，从半导体衬底去除金属，包括以下步骤：在电抛光电解质分配在衬底和抛光垫的界面处，在抛光垫和衬底之间施加电压，以及 同时通过抛光垫将电解液围绕衬底汇集。

公开(公告)号：WO1998019827A1

公开(公告)日：1998-05-14

申请号：PCT/US1997020465

申请日：1997-11-07

Applicant: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION

Inventor： NORTHROP GRUMMAN CORPORATION ,  ELDRIDGE, Graeme, W.

IPC: B24B37/04

CPC classification number: C25F3/30 ,  B24B37/04 ,  C25F3/12 ,  H01L21/0475

Abstract: The present invention provides for a wet etch (10) and method for preparing a semiconductor device structure (22) from a silicon carbide wafer. A first embodiment of the wet etch comprises a vessel (12), a tetrahydrofurfuryl alcohol and potassium nitrite etching solution (14) within the vessel (12), an electrode (20), a wafer support (16) for positioning at least a portion of the silicon carbide wafer (22) within the etching solution (14), and a voltage source (21) coupled with the electrode (20) and the wafer support (16). A second embodiment of the wet etch (10) comprises a wafer carrier (32) for holding at least one wafer (22), a polishing plate (36) adjacent the wafer carrier (32), a voltage source (21) having a first terminal electrically coupled with the wafer (22) and a second terminal electrically coupled with the polishing plate (36), and an applicator (40) adjacent the polishing plate (36) for depositing an etching solution (14) on a surface of the polishing plate (36).

Abstract translation: 本发明提供一种从碳化硅晶片制备半导体器件结构（22）的湿式蚀刻（10）和方法。 湿蚀刻的第一实施方案包括容器（12）内的容器（12），四氢糠醇和亚硝酸钾钾蚀刻溶液（14），电极（20），晶片支撑件（16），用于将至少一部分 的蚀刻溶液（14）内的碳化硅晶片（22），以及与电极（20）和晶片支撑件（16）耦合的电压源（21）。 湿蚀刻（10）的第二实施例包括用于保持至少一个晶片（22）的晶片载体（32），与晶片载体（32）相邻的抛光板（36），具有第一 与所述晶片（22）电耦合的端子和与所述抛光板（36）电耦合的第二端子以及与所述抛光板（36）相邻的施加器（40），用于在所述抛光表面上沉积蚀刻溶液（14） 板（36）。

公开(公告)号：WO2013173998A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：PCT/CN2012/075990

申请日：2012-05-24

Applicant: ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC. ,  WANG, Jian ,  JIN, Yinuo ,  WANG, Jun ,  WANG, Hui

Inventor： WANG, Jian ,  JIN, Yinuo ,  WANG, Jun ,  WANG, Hui

IPC: H01L21/321 ,  B23H3/02 ,  B24B57/02 ,  C25F3/16

CPC classification number: H01L21/32115 ,  C25F3/16 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: A method and apparatus for pulse electrochemical polishing a wafer are disclosed. The method comprises steps of: establishing a duty cycle table showing all points on the wafer, a removal thickness corresponding to every point and a duty cycle corresponding to the removal thickness; driving a wafer chuck (5) holding and positioning the wafer (8) to move at a preset speed so that a special point on the wafer (8) is right above a nozzle (6) ejecting charged electrolyte (7) onto the wafer (8); looking up the duty cycle table and obtaining the removal thickness and the duty cycle corresponding to the special point; and applying a preset pulse power source to the wafer (8) and the nozzle (6) and the actual polishing power source for polishing the special point being equal to the duty cycle multiplying by the preset power source.

Abstract translation: 公开了用于脉冲电化学抛光晶片的方法和装置。 该方法包括以下步骤：建立表示晶片上所有点的占空比表，对应于每个点的去除厚度和对应于去除厚度的占空比; 驱动晶片卡盘（5），其保持并定位晶片（8）以预定速度移动，使得晶片（8）上的特殊点位于喷射带电电解质（7）到晶片上的喷嘴（6）的正上方 8）; 查找占空比表，获得与特殊点对应的去除厚度和占空比; 以及将预设的脉冲电源施加到晶片（8）和喷嘴（6）上的实际抛光功率源和用于抛光专用点的实际抛光功率等于乘以预设电源的占空比。

公开(公告)号：WO2008072207A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：PCT/IB2007/055098

申请日：2007-12-13

Applicant: L'AIR LIQUIDE-SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  DONIAT, François ,  FISHER, Matthew L. ,  ZDUNEK, Alan D. ,  BARAJAS, Alejandro A. ,  SUNI, Ian ,  CHU, Xiangfeng ,  TRIPATHI, Abhinaz ,  LI, Yuzhuo

Inventor： DONIAT, François ,  FISHER, Matthew L. ,  ZDUNEK, Alan D. ,  BARAJAS, Alejandro A. ,  SUNI, Ian ,  CHU, Xiangfeng ,  TRIPATHI, Abhinaz ,  LI, Yuzhuo

IPC: C09G1/00 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09G1/02 ,  C25F3/30 ,  H01L21/32125

Abstract: Compositions and methods suitable for the electrochemical mechanical planarization of a conductive material layer on a semiconductor workpiece. Compositions contain a phosphonic acid based electrolyte, a corrosion inhibitor, a chelating agent, a pH adjusting agent, and a solvent as the remainder.

Abstract translation: 适用于半导体工件上导电材料层的电化学机械平面化的组合物和方法。 组合物含有基于膦酸的电解质，腐蚀抑制剂，螯合剂，pH调节剂和作为其余的溶剂。

公开(公告)号：WO02041369A2

公开(公告)日：2002-05-23

申请号：PCT/US2001/043368

申请日：2001-11-20

IPC: B23H5/08 ,  B24B37/04 ,  C25F3/30 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B23H5/08 ,  B24B37/046 ,  C25F3/30 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/32134

Abstract: Removing metal from a semiconductor substrate by dissolving ions of the metal into an electrolyte, comprising the steps of: applying a voltage across a polishing pad and the substrate, while an electropolishing electrolyte is dispensed at an interface of the substrate and the polishing pad, and while pooling the electrolyte about the substrate by the polishing pad.

Abstract translation: 通过将金属的离子溶解到电解质中，从半导体衬底去除金属，包括以下步骤：在电抛光电解质分配在衬底和抛光垫的界面处，在抛光垫和衬底之间施加电压，以及 同时通过抛光垫将电解液围绕衬底汇集。

公开(公告)号：WO1995025186A1

公开(公告)日：1995-09-21

申请号：PCT/DE1995000391

申请日：1995-03-17

Applicant: HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH ,  RAPPICH, Jörg ,  JUNGBLUT, Helmut ,  AGGOUR, Mohammed ,  LEWERENZ, Hans-Joachim

Inventor： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH

IPC: C25F03/30

CPC classification number: H01L21/3063 ,  C25F3/30

Abstract: Semiconductor wafers for the production of electronic components must have a surface as perfect as possible for subsequent processes. For that purpose a flat n-Si body is electrolytically polished in a fluoride-containing electrolyte solution to which is applied an anodic potential while the surface to be treated is irradiated with light whose energy is at least equal to that of the band gap, or a flat p-Si body is similarly treated in a dark environment. At the same time, an electroanalytic monitoring process is carried out to detect the occurrence of a periodic current oscillation. The surface is polished during a few such current oscillations. The treatment comprises in particular the anodic oxidation and electrochemical etching of the surface, if required also an electric polishing process, and allows a high electronic quality characterised by the interface state density to be obtained by immediate hydrogen termination during the transient dark current that sets in.

Abstract translation: 要使用的半导体晶片的制造电子元件必须具有完美的表面尽可能进行后续处理的基础。 在含氟化物的电解质溶液由表面照射由n-Si构成平坦的Si-机构的电解平滑与光被处理，其中是至少等于带隙能量，或进行来自的p-Si在黑暗的地方，在所施加的阳极电位 和electroanalytically监测周期性电流振荡的发展。 在此期间发生更少的这样的电流振荡的表面平滑。 治疗特别包括阳极化，表面的电化学蚀刻，以及任选地也电解，并且其被建立瞬态暗电流随后氢终止太高，其特征在于，界面态密度电子质量的持续时间期间执行对立即，。

公开(公告)号：WO2015163256A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/JP2015/061868

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社フジミインコーポレーテッド ,  株式会社デンソー ,  昭和電工株式会社

Inventor： 河田　研治 ,  加藤　智久 ,  栗田　恒雄 ,  三宅　晃司 ,  堀田　和利 ,  長屋　正武 ,  貴堂　高徳

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/12 ,  C25F3/30

CPC classification number: B24B37/00 ,  B24B37/12 ,  C25F3/30 ,  H01L21/304

Abstract: 　本発明は、高い研磨速度で炭化ケイ素基板を研磨することができ、かつ研磨後の炭化ケイ素基板表面の歪みを低減することができる炭化ケイ素基板の研磨方法を提供することを目的とする。　本発明は、炭化ケイ素基板の研磨する面をギャップ形成材、砥粒、および電解質を含む電解液を挟んで導電性定盤に対向配置し、前記炭化ケイ素基板の表面を陽極とし、前記導電性定盤を陰極として、前記炭化ケイ素基板の研磨する面の少なくとも一部を前記電解液に接触させながら電解研磨する、炭化ケイ素基板の研磨方法である。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于抛光碳化硅衬底的方法，该方法允许高速抛光碳化硅衬底并使抛光的碳化硅衬底表面翘曲最小化。 本发明是一种用于研磨碳化硅基板的方法，其中将待抛光的碳化硅基板的表面设置成与包含间隙形成材料的电解质溶液相对的导电性表面板，磨粒和 介于其间的电解质。 待研磨的碳化硅衬底的表面的至少一部分与电解质溶液，作为正极的碳化硅衬底的表面和作为负极的导电性表面板接触地进行电解抛光。

公开(公告)号：WO2010052917A1

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：PCT/JP2009/005911

申请日：2009-11-06

Applicant: 株式会社ロキテクノ ,  富永茂 ,  近藤誠一 ,  阿部太輔 ,  榎本太郎

Inventor： 富永茂 ,  近藤誠一 ,  阿部太輔 ,  榎本太郎

IPC: C25F7/00 ,  C25F3/16

CPC classification number: C25F3/30 ,  B23H5/08

Abstract: 基板の金属膜を高速で研磨でき、また研磨時の傷の発生を防止できる研磨ヘッド、研磨装置及び基板研磨体を提供する。研磨ヘッド１０は、研磨面３１ａに開口した複数の電解液収容部Ｆ１，Ｆ２が設けられた研磨工具３０を装着可能であり、回転駆動されることによって、デバイスウエハＤの表層に設けられた金属膜Ｄ１を電気化学的機械的に研磨する研磨ヘッドであって、研磨工具３０を研磨面３１ａが鉛直方向Ｚの下側に向けられた状態で装着する工具フォルダ１２と、電解液収容部Ｆ１，Ｆ２に電解液Ｅを供給する電解液供給路１３と、電源２の研磨用電力を電解液収容部Ｆ１，Ｆ２に供給するヘッド内電気ケーブル１５ａ，１５ｂと、を備える。

Abstract translation: 公开了一种抛光头，其能够高速地抛光基板的金属膜并且防止在抛光期间产生划痕。 还公开了抛光装置和基板研磨体。 可以将具有朝向研磨面（31a）开口的多个电解液含有单元（F1，F2）的研磨工具（30）配合到的抛光头（10），电化学和机械抛光金属膜 ）通过旋转驱动形成在器件晶片（D）的表面层上。 抛光头包括：工具架（12），抛光工具（30）与沿垂直方向Z朝下的抛光表面（31a）配合;电解液供应通道（13），用于供应电解质溶液（E ）和含有电解液的单元（F1，F2）以及用于从电源（2）向电解液包含单元（F1，F2）供给用于抛光的电力的内部电缆（15a，15b）。