公开(公告)号：WO1997008734A1

公开(公告)日：1997-03-06

申请号：PCT/US1996014157

申请日：1996-08-28

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： APPLIED MATERIALS, INC. ,  COLLINS, Kenneth ,  RICE, Michael ,  TROW, John ,  BUCHBERGER, Douglas ,  ASKARIAN, Eric ,  TSUI, Joshua ,  GROECHEL, David ,  HUNG, Raymond

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32458 ,  A21D2/185 ,  A23G3/346 ,  A23G9/52 ,  A23G2200/06 ,  A23L2/60 ,  A23L9/12 ,  A23L19/115 ,  A23L27/30 ,  A23L27/32 ,  A23L29/231 ,  A23L29/238 ,  A23L29/256 ,  A23L29/27 ,  A23L33/21 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/6831

Abstract: The invention is embodied by a plasma reactor for processing a workpiece, including a reactor enclosure (105) defining a processing chamber (100), a semiconductor window (110), a base (120) within the chamber (100) for supporting the workpiece (125) during processing thereof, a gas inlet system (137) for admitting a plasma precursor gas into the chamber (100), and an inductive antenna (145) adjacent a side of the semiconductor window (110) opposite the base (120) for coupling power into the interior of the chamber (100) through the semiconductor window electrode (110).

Abstract translation: 本发明通过用于加工工件的等离子体反应器来实现，该反应器包括限定处理室（100）的反应器壳体（105），半导体窗口（110），腔室（100）内的基座（120） （125），用于将等离子体前体气体引入所述室（100）中的气体入口系统（137）以及与所述半导体窗口（110）的与所述基座（120）相对的一侧附近的感应天线（145） 用于通过半导体窗口电极（110）将动力耦合到腔室（100）的内部。

公开(公告)号：WO2015011829A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：PCT/JP2013/070342

申请日：2013-07-26

Applicant: 株式会社日立国際電気

Inventor： 坪田　康寿 ,  和田　優一 ,  亀田　賢治 ,  檜山　真

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L27/10852

Abstract: 【課題】基板面内において、高い選択性を有するエッチングを実現する。 【解決手段】　上記課題を解決するために、少なくともシリコンを含有する第一の膜と、前記第一の膜よりもシリコン含有率が少ない第二の膜とが形成された基板が載置される載置部と、前記載置部が設けられた処理容器と、前記基板へエッチングガスを供給するガス供給系と、前記エッチングガスを前記基板と接触する間、前記第二の膜のエッチング速度よりも前記第一の膜のエッチング速度が高くなるよう前記基板の温度を制御する温度制御部と、　前記処理容器内の雰囲気を排気する排気系と、を有する基板処理装置を提供する。

Abstract translation: [问题]实现在基板表面具有高选择性的蚀刻。 [解决方案]为了解决上述问题，提供了一种基板处理装置，该基板处理装置具有：放置部，其将形成有至少含有硅的第一膜和具有较低硅含量的第二膜的基板 比第一部电影; 设置有所述放置部的处理容器; 用于向基板供给蚀刻气体的气体供给系统; 温度控制器，用于控制基板的温度，使得蚀刻第一膜的速度高于蚀刻气体与基板接触时蚀刻第二膜的速度; 以及用于排出处理容器中的气氛的排气系统。

公开(公告)号：WO99019903A1

公开(公告)日：1999-04-22

申请号：PCT/US1998/017039

申请日：1998-08-17

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/32871 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/3346 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

Abstract: A method of plasma etching oxide in the presence of nitride includes contacting the oxide with a mixture of gases including one or more fluorine-substituted hydrocarbon etching gases and acetylene. The method exhibits high selectivity to nitride, including nitride on uneven surfaces.

Abstract translation: 在氮化物存在下等离子体蚀刻氧化物的方法包括使氧化物与包括一种或多种氟取代烃蚀刻气体和乙炔的气体混合物接触。 该方法对氮化物具有高选择性，包​​括不平坦表面上的氮化物。

公开(公告)号：WO2007067177A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：PCT/US2005/044367

申请日：2005-12-07

Applicant: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. ,  UNIVERSITY OF HOUSTON ,  WOLFE, John ,  SRIVASTAVA, Aseem ,  BERRY, Ivan ,  SAKTHIVEL, Palani

Inventor： WOLFE, John ,  SRIVASTAVA, Aseem ,  BERRY, Ivan ,  SAKTHIVEL, Palani

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32752 ,  H01J2237/3346

Abstract: A system and method for removing photoresist or other organic compounds from semiconductor wafers is provided. Non-fluorinated reactant gases (O 2 , H 2 , H 2 O, N 2 etc.) are activated in a quartz tube by a medium pressure surface wave discharge. As the plasma jet impinges on a substrate, volatile reaction products (H 2 O, CO 2 , or low molecular weight hydrocarbons) selectively remove the photoresist from the surface. The medium pressure also enables high gas temperatures that provide an effective source of heat in the reactive zone on the wafer that enhances etch rates and provides a practical means of removing ion implanted photoresist.

Abstract translation: 提供了一种用于从半导体晶片去除光致抗蚀剂或其它有机化合物的系统和方法。 非氟化反应气体（O 2 H 2，H 2，H 2 O，N 2等）是 通过中压表面波放电在石英管中激活。 当等离子体射流冲击基板时，挥发性反应产物（H 2 O 2 CO 2 CO 2或低分子量烃）选择性地从表面除去光致抗蚀剂。 介质压力还使得可以在晶片上的反应性区域中提供有效的热源的高气体温度提高了蚀刻速率，并提供了去除离子注入的光致抗蚀剂的实际手段。

公开(公告)号：WO99036931A2

公开(公告)日：1999-07-22

申请号：PCT/US1998/027046

申请日：1998-12-17

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/683 ,  H01J

CPC classification number: H01J37/32871 ,  C23C16/517 ,  H01F2029/143 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/3343 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3346 ,  H01J2237/3382 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6831

Abstract: A high plasma density etch process for etching an oxygen-containing layer overlying a non-oxygen containing layer on a workpiece in a plasma reactor chamber, by providing a chamber ceiling overlying the workpiece and containing a semiconductor material, supplying into the chamber a process gas containing etchant precursor species, polymer precursor species and hydrogen, applying plasma source power into the chamber, and cooling the ceiling to a temperature range at or below about 150 degrees C. The etchant and polymer precursor species contain fluorine, and the chamber ceiling semiconductor material includes a fluorine scavenger precursor material. Preferably, the process gas includes at least one of CHF3 and CH2F2. Preferably, the process gas further includes a species including an inert gas, such as HeH2 or Ar. If the chamber is of the type including a heated fluorine scavenger precursor material, this material is heated to well above the polymer condensation temperature, while the ceiling is cooled. In some cases, the plasma source power applicator is an inductive antenna overlying the semiconductor ceiling, and the ceiling has a cooling/heating apparatus contacting the ceiling through semiconductor rings. The inductive antenna in this case constitutes inductive elements between adjacent ones of the semiconductor rings.

Abstract translation: 一种高等离子体密度蚀刻工艺，用于在等离子体反应器腔室中蚀刻覆盖在工件上的非含氧层的含氧层，通过提供覆盖在工件上并容纳半导体材料的室顶部，向腔室供应工艺气体 包含蚀刻剂前体物质，聚合物前体物质和氢气，将等离子体源功率施加到室中，并将天花板冷却到约150℃或以下的温度范围。蚀刻剂和聚合物前体物质含有氟，并且室顶部半导体材料 包括氟清除剂前体材料。 优选地，工艺气体包括CHF 3和CH 2 F 2中的至少一种。 优选地，处理气体还包括包含惰性气体的物质，例如HeH 2或Ar。 如果室是包括加热的氟清除剂前体材料的类型，则将该材料加热到高于聚合物冷凝温度，同时天花板被冷却。 在一些情况下，等离子体源功率施加器是覆盖半导体天花板的感应天线，天花板具有通过半导体环与天花板接触的冷却/加热设备。 在这种情况下，感应天线在相邻的半导体环之间构成感应元件。

公开(公告)号：WO2008044633A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：PCT/JP2007/069563

申请日：2007-10-05

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  輿石 公 ,  小林 典之 ,  米田 滋 ,  花輪 健一 ,  田原 慈 ,  杉本 勝

Inventor： 輿石 公 ,  小林 典之 ,  米田 滋 ,  花輪 健一 ,  田原 慈 ,  杉本 勝

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834

Abstract: 　真空排気可能な処理容器（10）内に、上部電極（34）と下部電極（16）を対向するように配置し、上部電極（34）プラズマ形成用の高周波電力を供給する第１の高周波電源（48）を接続し、下部電極（16）にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源（90）を接続し、第２の高周波電源（90）に制御器（95）を設け、この制御器（95）は、第２の高周波電源（90）を、ウエハＷの所定の膜にポリマーが堆積される第１のパワーとウエハＷの所定の膜のエッチングが進行する第２のパワーとの間で所定周期でパワー変調するパワー変調モードで動作するように制御する。

Abstract translation: 上部电极（34）和下部电极（16）在能够被抽真空的处理容器（10）中相对配置。 上电极（34）连接到用于提供用于等离子体形成的高频电力的第一高频电源（48）。 下电极（16）连接到第二高频电源（90），用于施加用于离子吸收偏压的高频电力。 控制器（95）布置在第二高频电源（90）中。 控制器（95）以功率调制模式控制第二高频电源（90），在功率调制模式下，以聚合物沉积在晶片W​​的预定薄膜上的第一功率与第二高频电源 执行对晶片W的预定膜的蚀刻的功率。

公开(公告)号：WO9936931A3

公开(公告)日：2002-09-26

申请号：PCT/US9827046

申请日：1998-12-17

Applicant: APPLIED MATERIALS INC

Inventor： DING JIAN

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32871 ,  C23C16/517 ,  H01F2029/143 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/3343 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3346 ,  H01J2237/3382 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6831

Abstract: A high plasma density etch process for etching an oxygen-containing layer overlying a non-oxygen containing layer on a workpiece in a plasma reactor chamber, by providing a chamber ceiling overlying the workpiece and containing a semiconductor material, supplying into the chamber a process gas containing etchant precursor species, polymer precursor species and hydrogen, applying plasma source power into the chamber, and cooling the ceiling to a temperature range at or below about 150 degrees C. The etchant and polymer precursor species contain fluorine, and the chamber ceiling semiconductor material includes a fluorine scavenger precursor material. Preferably, the process gas includes at least one of CHF3 and CH2F2. Preferably, the process gas further includes a species including an inert gas, such as HeH2 or Ar. If the chamber is of the type including a heated fluorine scavenger precursor material, this material is heated to well above the polymer condensation temperature, while the ceiling is cooled. In some cases, the plasma source power applicator is an inductive antenna overlying the semiconductor ceiling, and the ceiling has a cooling/heating apparatus contacting the ceiling through semiconductor rings. The inductive antenna in this case constitutes inductive elements between adjacent ones of the semiconductor rings.

Abstract translation: 一种高等离子体密度蚀刻工艺，用于在等离子体反应器腔室中蚀刻覆盖在工件上的非含氧层的含氧层，通过提供覆盖在工件上并容纳半导体材料的室顶部，向腔室供应工艺气体 包含蚀刻剂前体物质，聚合物前体物质和氢气，将等离子体源功率施加到室中，并将天花板冷却到约150℃或以下的温度范围。蚀刻剂和聚合物前体物质含有氟，并且室顶部半导体材料 包括氟清除剂前体材料。 优选地，工艺气体包括CHF 3和CH 2 F 2中的至少一种。 优选地，处理气体还包括包含惰性气体的物质，例如HeH 2或Ar。 如果室是包括加热的氟清除剂前体材料的类型，则将该材料加热到高于聚合物冷凝温度，同时天花板被冷却。 在一些情况下，等离子体源功率施加器是覆盖半导体天花板的感应天线，天花板具有通过半导体环与天花板接触的冷却/加热设备。 在这种情况下，感应天线在相邻的半导体环之间构成感应元件。