公开(公告)号：WO2016202299A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/CN2016/086281

申请日：2016-06-17

Applicant: MASTER DYNAMIC LIMITED

Inventor： WANG, Yingnan ,  MIAO, Zhuonan ,  KONG, Ching Tom

IPC: C23C14/34

CPC classification number: B05D1/38 ,  B05D1/185 ,  B05D2201/02 ,  B05D2202/40 ,  B05D2203/30 ,  B05D2350/60 ,  B05D2518/00 ,  C07C323/52 ,  C08J3/24 ,  C08J3/28 ,  C08J7/18 ,  C08L5/08 ,  C08L39/00 ,  C23C14/30 ,  C23C14/34 ,  C23C14/505 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511

Abstract: An apparatus (100) for coating at least a first plurality of articles (130), each article thereof having at least a first surface (140) to be coated is disclosed. The apparatus (100) includes an emission source (120) for directing emission elements (155) towards the first surfaces (140) of the plurality of articles (130), at least one support member for supporting the first plurality of articles (130), wherein support member (110) supports the first plurality of articles (130) such that the first surface (140) is exposed to the path of emission (155) from said emission source (120), and a drive assembly (160) for moving the support member (110) such that the first plurality of articles (130) is moveable with respect to the path of emission (155) from said emission source (120).

Abstract translation: 公开了一种用于涂覆至少第一多个制品（130）的装置（100），其每个制品至少具有待涂覆的第一表面（140）。 装置（100）包括用于将发射元件（155）朝向多个物品（130）的第一表面（140）引导的发射源（120），用于支撑第一多个物品（130）的至少一个支撑构件， ，其中支撑构件（110）支撑所述第一多个制品（130），使得所述第一表面（140）从所述发射源（120）暴露于所述发射路径（155）;以及驱动组件（160），用于 移动所述支撑构件（110），使得所述第一多个物品（130）可相对于所述发射源（120）相对于所述发射路径（155）移动。

公开(公告)号：WO2016190443A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/JP2016/065847

申请日：2016-05-30

Applicant: 京セラ株式会社

Inventor： 森　聡史 ,  シュ　ヨウセン

IPC: B23B27/14 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  C23C14/06 ,  C23C14/32

CPC classification number: B23B27/148 ,  B23B2226/27 ,  B23B2228/04 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/325 ,  C23C16/26 ,  C23C16/503 ,  C23C28/046 ,  C23C28/42 ,  C23C30/005

Abstract: 基体（５）と、ダイヤモンドライクカーボンを含有しており、基体（５）の表面に位置するＤＬＣ層（６）とを具備し、ＤＬＣ層（６）は、０．１質量％～１質量％の比率でアルゴンを含有する第１領域（７）を有する切削インサート（１）等の切削工具であり、基体（５）とＤＬＣ層（６）との接合性が良好であり、被削材に対する耐溶着性が高いものである。

Abstract translation: DLC层（6）具有切割工具，例如设置有基部（5）的切削刀片（1）和含有类金刚石碳的DLC层（6），位于基体（5）的表面上， 具有以0.1质量％〜1质量％的比例含有氩的第一区域（7），所述切削工具在所述基体（5）和所述DLC层（6）之间具有良好的粘合性，并且相对于 工作材料。

公开(公告)号：WO2016104076A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/JP2015/083792

申请日：2015-12-01

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 河原　弘朋 ,  前重　和伸 ,  青峰　信孝 ,  羽根川　博

IPC: C23C16/503 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/365 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/503 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32733 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: 　プラズマＣＶＤ装置であって、１または２以上の交流源に接続され、プラズマを発生させるプラズマ源と、複数の磁石で構成された磁石配列と、を有し、前記プラズマ源は、電極群を有し、該電極群は、第１の電極および第２の電極を含むｎ個（ただし、ｎは２以上の偶数）の電極を、前記第１の電極から番号順に配列することにより構成され、前記電極群の各電極は、前記交流源に接続され、前記電極群の隣接する電極同士の間には、原料ガス用の流路の出口が形成され、前記磁石配列は、各磁石のＮ極またはＳ極が前記プラズマ源と対向するように配置され、前記磁石配列において、少なくとも一組の隣接する２つの磁石は、前記プラズマ源に対向する側の極性が等しくなるように配置されることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。

Abstract translation: 等离子体CVD装置的特征在于：等离子体CVD装置包括连接到一个或多个交替源并产生等离子体的等离子体源和包括多个磁体的磁体阵列; 等离子体源具有电极组; 电极组包括包括第一电极和第二电极的n个电极（n是两个或更多个的偶数整数），电极以第一电极的顺序排列; 电极组的电极连接到交流源; 在电极组的相邻电极之间形成材料气体流路的出口; 磁体阵列布置成使得每个磁体的北极或南极面对等离子体源; 并且磁体阵列中的至少一对相邻的磁体被布置成在等离子体源侧面具有相同的极性。

公开(公告)号：WO2016080447A1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：PCT/JP2015/082422

申请日：2015-11-18

Applicant: コニカミノルタ株式会社

Inventor： 鈴木　一生 ,  大石　清

IPC: C23C16/503 ,  B32B27/00 ,  C23C16/54

CPC classification number: B32B27/00 ,  C23C16/503 ,  C23C16/54

Abstract: 　本発明の課題は、ガスバリアー性能に優れたガスバリアーフィルムを製造することができる成膜装置を提供することである。　本発明の成膜装置は、プラズマＣＶＤ法により、基材上に成膜をする成膜装置であって、磁場形成手段を備えた第１電極ローラーと、第１電極ローラーに対向して配置され、磁場形成手段を備えた第２電極ローラーと、第１及び第２電極ローラーの表面の比誘電率を調整する制御部と、を備え、第１及び第２電極ローラーが、基材と接触する表面に誘電体及び内部に循環する熱媒体を有し、第１及び第２電極ローラー間に発生させるプラズマ放電の周波数が、５０～１００ｋＨｚの範囲内であり、第１及び第２電極ローラーが有する誘電体の比誘電率が、１３～２０の範囲内であり、かつ、第１及び第２電極ローラーが有する熱媒体の比誘電率が、４０～７０の範囲内であることを特徴とする。

Abstract translation: 本发明解决了提供能够制造阻气性优异的阻气膜的成膜装置的问题。 用于通过等离子体CVD在基板上形成膜的成膜装置的特征在于：设置有配备有磁场形成装置的第一电极辊，与第一电极辊相对设置的第二电极辊， 形成装置和用于调节第一和第二电极辊的表面的相对介电常数的控制单元; 所述第一和第二电极辊具有与所述基板接触的表面上的电介质和在其中循环的热介质; 在第一和第二电极辊之间产生的等离子体放电的频率在50-100kHz的范围内; 第一和第二电极辊的电介质的相对介电常数在13-20的范围内; 并且第一和第二电极辊的热介质的相对介电常数在40-70的范围内。

公开(公告)号：WO2015069428A1

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：PCT/US2014/060768

申请日：2014-10-15

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： BAEK, Jonghoon ,  PARK, Soonam ,  CHEN, Xinglong ,  LUBOMIRSKY, Dmitry

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/503 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32697 ,  H01J2237/334

Abstract: Embodiments of the present disclosure generally relate to an apparatus and method for reducing particle generation in a processing chamber. In one embodiment, the methods generally includes generating a plasma between a powered top electrode and a grounded bottom electrode, wherein the top electrode is parallel to the bottom electrode, and applying a constant zero DC bias voltage to the powered top electrode during a film deposition process to minimize the electrical potential difference between the powered top electrode and the plasma and/or the electrical potential difference between the grounded bottom electrode and the plasma. Minimizing the electrical potential difference between the plasma and the electrodes reduces particle generation because the acceleration of the ions in the sheath region of the electrodes is reduced and the collision force of the ions with the protective coating layer on the electrodes is minimized. Therefore, particle generation on the substrate surface is reduced.

Abstract translation: 本公开的实施例一般涉及用于减少处理室中的颗粒产生的装置和方法。 在一个实施例中，所述方法通常包括在动力顶部电极和接地底部电极之间产生等离子体，其中顶部电极平行于底部电极，并且在膜沉积期间向动力顶部电极施加恒定的零直流偏置电压 以最小化上电极和等离子体之间的电位差和/或接地的底部电极和等离子体之间的电位差的过程。 使等离子体和电极之间的电位差最小化减少了由于电极的鞘区域中的离子的加速度降低并且电极上的保护涂层的离子的碰撞力最小化的颗粒产生。 因此，衬底表面上的颗粒产生减少。

公开(公告)号：WO2013035375A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/JP2012/060630

申请日：2012-04-19

Applicant: 東芝三菱電機産業システム株式会社 ,  田畑 要一郎 ,  渡辺 謙資

Inventor： 田畑　要一郎 ,  渡辺　謙資

IPC: H05H1/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/503 ,  C23C16/452 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32348 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32559 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2001/2431

Abstract: 　本発明は、被処理材に機能絶縁膜を成膜するために使用される金属機能物質粒子ガスを効率良く、多量に出力することができるプラズマ発生装置を提供する。本発明に係るプラズマ発生装置１００は、電極セルと、電極セルを囲繞する筐体（１６）とを備えている。電極セルは、第一の電極（３）と、放電空間（６）と、第二の電極（１）と、誘電体（２ａ，２ｂ）と、平面視において中央部に形成された貫通口（ＰＨ）とを、有する。そして、円筒形状の絶縁筒部（２１）が、貫通口（ＰＨ）の内部に配設されており、当該円筒形状の側面部に噴出孔（２１ｘ）を有する。さらに、プラズマ発生装置（１００）は、絶縁筒部（２１）の空洞部（２１Ａ）に接続される、金属前駆体を供給する前駆体供給部（２０１）を備えている。

Abstract translation: 本发明提供一种能够以高效率输出大量金属功能材料颗粒气体的等离子体发生器，其用于在待处理材料上生长功能性绝缘膜。 本发明的等离子体发生器（100）设置有电极单元和围绕电极单元的壳体（16）。 电极单元具有在平面图中形成在中心部分的第一电极（3），放电空间（6），第二电极（1），电介质（2a，2b）和通孔（PH）。 此外，在通孔（PH）的内侧设置有圆筒状的绝缘管部（21），该圆筒状的侧面部具有喷孔（21x）。 等离子体发生器（100）还具有与前述绝缘管部（21）的中空部（21A）连接的供给金属前体的前体供给部（201）。

公开(公告)号：WO2012160145A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：PCT/EP2012/059734

申请日：2012-05-24

Applicant: AGC GLASS EUROPE ,  MAHIEU, Stijn ,  TIXHON, Eric ,  VAN STUYVENBERG, Martin ,  WIAME, Hugues

Inventor： MAHIEU, Stijn ,  TIXHON, Eric ,  VAN STUYVENBERG, Martin ,  WIAME, Hugues

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/503 ,  C23C16/34

CPC classification number: C03C17/225 ,  C03C17/002 ,  C03C17/245 ,  C03C17/366 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/734 ,  C03C2217/78 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/402 ,  C23C16/503

Abstract: L'invention concerne un procédé de production de films d'oxydes, de nitrures ou d'oxynitrures de métaux ou semi-conducteurs sur un substrat, par la méthode de PECVD comprenant les étapes consistant à (i) se munir d'un dispositif de PECVD, à basse pression, comprenant au moins une source de plasma, laquelle comprend au moins une électrode reliée à un générateur AC, DC ou DC puisé, pour le dépôt desdits films sur le substrat, (ii) appliquer une puissance électrique à la source de plasma et appliquer su r le substrat un précurseur gazeux de films d'oxydes, de nitrures ou d'oxynitrures de métaux ou semi-conducteurs et un gaz réactif à base d'oxygène ou de dérivés oxygénés ou de dérivés azotés. L'invention concerne également des films d'oxydes, de nitrures ou d'oxynitrures de métaux ou semi-conducteurs obtenus par le procédé.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过PECVD方法在衬底上制备金属或半导体氧化物，氮化物或氧氮化物膜的方法，包括以下步骤：（i）具有包括至少一个等离子体源的低压PECVD器件 其包括连接到AC，DC或拉伸DC发生器的至少一个电极，用于在衬底上沉积所述膜; 和（ii）向等离子体源施加电力并在衬底上施加由金属或半导体氮化物或氮氧化物制成的氧化膜气体前体和由氧，氧衍生物或氮衍生物制成的反应性气体。 本发明还涉及通过该方法获得的金属或半导体氧化物，氮化物或氧氮化物膜。

公开(公告)号：WO2011128044A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：PCT/EP2011/001758

申请日：2011-04-07

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  FAHLAND, Matthias ,  BUNK, Sebastian ,  FAHLTEICH, John ,  BLÜTHNER, Ralf ,  ZEIBE, Rainer

Inventor： FAHLAND, Matthias ,  BUNK, Sebastian ,  FAHLTEICH, John ,  BLÜTHNER, Ralf ,  ZEIBE, Rainer

IPC: C23C14/34 ,  C23C16/503 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C16/503 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3421 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3497

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat (2) innerhalb einer Vakuumkammer (1) mittels plasmaunterstützter chemischer Dampfabscheidung, umfassend mindestens einen Einlass (3) zum Einlassen mindestens eines Gases in die Vakuumkammer (1) sowie mindestens ein mit einem Target (5; 9) bestücktes Magnetron (4) zum Erzeugen eines Plasmas, bei der das Target (5; 9) während des Abscheidens der Schicht zumindest in einem Bereich eine Temperatur von mindestens 300 °C aufweist.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于真空腔室（1）通过等离子体增强化学气相沉积的装置内的衬底（2）上沉积层，其包括至少一个入口（3），用于在真空室中接纳所述至少一个气体（1）和至少一个与目标 （5; 9）放养磁控管用于产生等离子体（4），其中，所述目标（5; 9）具有至少300℃的温度下至少在一个区域中的层的沉积过程中。

公开(公告)号：WO2011102711A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：PCT/NL2010/050079

申请日：2010-02-17

Applicant: VISION DYNAMICS HOLDING B.V. ,  BLOM, Paulus Petrus Maria ,  STEVENS, Alquin Alphons Elisabeth ,  HUIJBREGTS, Laurentia Johanna ,  DE HAAN, Hugo Anton Marie ,  VAN SCHIJNDEL, Antonius Hubertus ,  TE SLIGTE, Edwin ,  VAN HIJNINGEN, Nicolaas Cornelis Josephus ,  HUISKAMP, Tom

Inventor： BLOM, Paulus Petrus Maria ,  STEVENS, Alquin Alphons Elisabeth ,  HUIJBREGTS, Laurentia Johanna ,  DE HAAN, Hugo Anton Marie ,  VAN SCHIJNDEL, Antonius Hubertus ,  TE SLIGTE, Edwin ,  VAN HIJNINGEN, Nicolaas Cornelis Josephus ,  HUISKAMP, Tom

IPC: H05H1/24 ,  C23C14/04

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/042 ,  C23C16/503 ,  C23C16/509 ,  H05H1/24 ,  H05H1/44 ,  H05H2001/466

Abstract: Device for generating a plasma discharge near a substrate for patterning the surface of the substrate, comprising a first electrode having a first discharge portion and a second electrode having a second discharge portion, a high voltage source for generating a high voltage difference between the first and the second electrode, and positioning means for positioning the first electrode with respect to the substrate. The device is further provided with an intermediate structure that is, in use, arranged in between the first electrode and the substrate while allowing for positioning the first electrode with respect to the substrate.

Abstract translation: 一种用于在用于对衬底表面进行图案化的衬底附近产生等离子体放电的装置，包括具有第一放电部分的第一电极和具有第二放电部分的第二电极，用于产生第一和第二放电部分之间的高电压差的高电压源 第二电极和用于相对于基板定位第一电极的定位装置。 该装置还设置有中间结构，该中间结构在使用中布置在第一电极和基板之间，同时允许第一电极相对于基板定位。

公开(公告)号：WO2011069011A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：PCT/US2010/058791

申请日：2010-12-02

Applicant: LAM RESEARCH CORPORATION ,  GOTTSCHO, Richard ,  DHINDSA, Rajinder ,  SRINIVASAN, Mukund

Inventor： GOTTSCHO, Richard ,  DHINDSA, Rajinder ,  SRINIVASAN, Mukund

IPC: C23C16/00

CPC classification number: H01J37/32366 ,  C23C16/50 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32376 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

Abstract: A computer implemented method and a data center management appliance for simulating noπstandard operation of an element of a data center is provided. The method includes acts of determining a one data center resource affected by a data center element, selecting a simulator from a plurality of simulators based on the data center resource and the data center element and generating a impact analysis of the nonstandard operation of the data center element using the simulator. The data center management appliance includes a network interface, a memory and a controller coupled to the network interface and the memory. The controller is configured to determine a data center resource affected by a data center element, select a simulator from a plurality of simulators based on the data center resource and the data center element and generate a impact analysis of nonstandard operation of the data center element using the first simulator.

Abstract translation: 提供了一种用于模拟数据中心的元素的非标准操作的计算机实现的方法和数据中心管理装置。 该方法包括确定受数据中心元件影响的一个数据中心资源的动作，基于数据中心资源和数据中心元素从多个模拟器中选择模拟器，并产生数据中心的非标准操作的影响分析 元素使用模拟器。 数据中心管理设备包括网络接口，存储器和耦合到网络接口和存储器的控制器。 控制器被配置为确定受数据中心元件影响的数据中心资源，基于数据中心资源和数据中心元素从多个模拟器中选择一个模拟器，并使用数据中心元素的非标准操作生成影响分析 第一个模拟器。