公开(公告)号：WO2016150838A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：PCT/EP2016/055928

申请日：2016-03-18

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： LELL, Alfred ,  KOENIG, Harald ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

IPC分类号： H01S5/223 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32

CPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2234 ,  H01S5/2235 ,  H01S5/2237 ,  H01S5/32 ,  H01S5/3211

摘要： Die Erfindung betrifft eine Laserdiode (1) mit einer Schichtanordnung mit aufeinander angeordneten Schichten, wobei die Schichtanordnung eine erste, eine zweite und eine dritte Schichtstruktur (15, 26, 27) mit wenigstens einer aktiven Zone (18) und zwei Wellenleiterschichten (16, 17) umfasst, wobei die aktive Zone (18) zwischen den zwei Wellenleiterschichten (16, 17) angeordnet ist, mit einer ersten Schichtstruktur (15), wobei sich die erste Schichtstruktur entlang einer Z-Achse in einer Längsrichtung, entlang einer X-Achse in einer Querrichtung und entlang einer Y-Achse in einer Höhenrichtung erstreckt, mit einer zweiten und einer dritten Schichtstruktur (26, 27), die entlang der Z-Achse an gegenüberliegenden Längsseiten der ersten Schichtstruktur angeordnet sind, und an die erste Schichtstruktur (15) angrenzen, wobei die aktive Zone der ersten Schichtstruktur (15) in der Höhe versetzt gegenüber den aktiven Zonen (18) der zweiten und der dritten Schichtstruktur (26, 27) angeordnet ist. Die aktive Zone (18) ist zwischen einem p-Kontakt (28) und einem n-Kontakt (56) angeordnet, wobei seitlich der ersten Schichtstruktur (15) eine Zwischenschicht (7) in der zweiten und der dritten Schichtstruktur (26, 27) angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht (7) als elektrisch sperrende Schicht ausgebildet ist, die einen Stromfluss erschwert oder unterbindet, und wobei die Zwischenschicht (7) zwischen der aktiven Zone (18) und dem n-Kontakt (56) angeordnet ist. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung der Laserdiode.

摘要翻译： 本发明涉及一种激光二极管（1）布置成彼此层的层结构，该层结构包括第一，第二和具有至少一个有源区（18）和两个波导层（16，17的第三层结构（15，26，27） ），其特征在于，所述两个波导层之间的有源区（18）（16，17）设置（与第一层结构15），其中，沿Z轴在纵向方向沿着X轴在第一层结构 在高度方向的横向方向和沿Y轴延伸，第二和第三层结构（26，27），其沿着在第一层结构的相对的纵向侧上的Z轴布置，并且与第一层结构（15）相邻的 其中，在高度偏移相对于所述第二和第三层结构（26，27）angeordn的有源区（18），第一层结构（15）的有源区 是等。 有源区（18）被布置在p型接触（28）和n接触（56）之间，其中第一层结构的侧（15）在所述第二和第三层结构的中间层（7）（26，27） 被布置，其中，所述中间层（7）被设计为电阻挡层，其阻碍了电流或防止流动，并且其中所述有源区（18）和n型接触（56）之间的中间层（7）布置。 此外，本发明涉及一种方法，用于制造激光二极管。

公开(公告)号：WO2015137373A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：PCT/JP2015/057093

申请日：2015-03-11

申请人： 古河電気工業株式会社

发明人： 岩見　正之 ,  石井　宏辰 ,  岩井　則広 ,  松田　竹善 ,  粕川　秋彦 ,  石川　卓哉 ,  川北　泰雅 ,  鍛治　栄作

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L21/338 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L31/10

CPC分类号： H01S5/34313 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/045 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7784 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/868 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/036 ,  H01L31/105 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/32 ,  H01S5/32358 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/34373

摘要： 　Ａｓを主成分とするＩＩＩ－Ｖ族半導体結晶からなる半導体層を備えた半導体装置であって、前記半導体層におけるＩＩＩ－Ｖ族半導体結晶のＶ族サイトに、前記Ａｓ以外のＶ族元素が濃度０．０２～５％で導入されている半導体装置である。好ましくは、前記Ａｓ以外のＶ族元素は、Ｎ、Ｐ、Ｓｂの何れか一つまたはこれらの組み合わせである。これにより、半導体結晶のバルク内における欠陥発生を抑制し、特性の変動の少ない半導体装置を提供する。

摘要翻译： 该半导体装置设置有包含As作为主要成分的III-V族晶体半导体的半导体层，并且在该组的V基团处引入具有0.02-5％浓度的As以外的第V族元素 III-V晶体半导体。 优选地，除As之外的第V族元素是N，P或Sb，或它们的组合。 由此，提供了一种半导体器件，其保持在体晶半导体中不发生缺陷，并且具有较小的特性变化。

公开(公告)号：WO2010126290A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：PCT/KR2010/002655

申请日：2010-04-27

申请人： UNIVERSITY OF SEOUL INDUSTRY COOPERATION FOUNDATION ,  AHN, Doyeol

发明人： AHN, Doyeol

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/26

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/06 ,  H01S5/30 ,  H01S5/32

摘要： Semiconductor devices having at least one barrier layer with a wide energy band gap are disclosed. In some embodiments, a semiconductor device includes at least one active layer composed of a first compound, and at least one barrier layer composed of a second compound and disposed on at least one surface of the at least one active layer. The at least one barrier layer may have a wider energy band gap than an energy band gap of the at least one active layer. The compositions of the first and second compounds may be controlled to reduce an internal polarization field in the at least one active layer.

摘要翻译： 公开了具有至少一个具有宽能带隙的阻挡层的半导体器件。 在一些实施例中，半导体器件包括由第一化合物组成的至少一个活性层和由第二化合物构成的至少一个阻挡层，并设置在至少一个活性层的至少一个表面上。 所述至少一个阻挡层可以具有比所述至少一个活性层的能带隙更宽的能带隙。 可以控制第一和第二化合物的组成以减少至少一个活性层中的内部极化场。

公开(公告)号：WO00059084A3

公开(公告)日：2001-02-08

申请号：PCT/IB2000/000565

申请日：2000-03-01

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L29/201 ,  H01L33/32 ,  H01S5/323 ,  H01L31/0304 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/32 ,  H01L29/201 ,  H01L33/32 ,  H01S2304/00

摘要： A group III-nitride quaternary material system and method is disclosed for use in semiconductor structures, including laser diodes, transistors, and photodetectors, which reduces or eliminates phase separation and provides increased emission efficiency. In an exemplary embodiment the semiconductor structure includes a first InGaAIN layer of a first conduction type formed substantially without phase separation, an InGaAIN active layer substantially without phase separation, and a third InGaAIN layer of an opposite conduction type formed substantially without phase separation.

摘要翻译： 公开了用于包括激光二极管，晶体管和光电检测器的半导体结构中的III族氮化物四元体系和方法，其减少或消除相分离并提供增加的发射效率。 在示例性实施例中，半导体结构包括基本上没有相位分离形成的第一导电类型的第一InGaInIn层，基本上没有相分离的InGaInA有源层和基本上没有相分离形成的相反导电类型的第三InGaain层。

公开(公告)号：WO0059084A2

公开(公告)日：2000-10-05

申请号：PCT/IB0000565

申请日：2000-03-01

申请人： MATSUSHITA ELECTRIC CORP

发明人： TORU TAKAYAMA ,  TAKAAKI BABA ,  HARRIS JAMES S JR

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L29/201 ,  H01L33/32 ,  H01S5/323 ,  H01L31/0304 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/32 ,  H01L29/201 ,  H01L33/32 ,  H01S2304/00

摘要： A group III-nitride quaternary material system and method is disclosed for use in semiconductor structures, including laser diodes, transistors, and photodetectors, which reduces or eliminates phase separation and provides increased emission efficiency. In an exemplary embodiment the semiconductor structure includes a first InGaAIN layer of a first conduction type formed substantially without phase separation, an InGaAIN active layer substantially without phase separation, and a third InGaAIN layer of an opposite conduction type formed substantially without phase separation.

摘要翻译： 公开了用于包括激光二极管，晶体管和光电检测器的半导体结构中的III族氮化物四元体系和方法，其减少或消除相分离并提供增加的发射效率。 在示例性实施例中，半导体结构包括基本上没有相位分离形成的第一导电类型的第一InGaInIn层，基本上没有相分离的InGaInA有源层和基本上没有相分离形成的相反导电类型的第三InGaain层。

公开(公告)号：WO1989009490A1

公开(公告)日：1989-10-05

申请号：PCT/US1989001164

申请日：1989-03-21

申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY

发明人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY ,  GOODHUE, William, D. ,  REDIKER, Robert, H. ,  BOSSI, Donald, E.

IPC分类号： H01L21/203

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/10 ,  H01S5/106 ,  H01S5/18 ,  H01S5/223 ,  H01S5/2232 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/32 ,  H01S5/32308 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/42 ,  Y10S438/925

摘要： A method and apparatus for forming tapered thickness and material content of III-V material, or alloys thereof, in particular GaAs and AlGaAs, by gradient thermal heating of substrates during epitaxial growth and the optoelectronic structures formed thereby.

公开(公告)号：WO2016133426A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/RU2016/000054

申请日：2016-02-08

申请人： ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК

发明人： ГОРДЕЕВ, Никита Юрьевич

IPC分类号： H01S5/32

CPC分类号： H01S5/32

摘要： Инжекционный лазер содержит многомодовый волновод (2), первый и второй широкозонные ограничительные слои (3), (6), являющиеся одновременно соответственно эмиттерами р - и n -типа проводимости и расположенные по разные стороны от многомодового волновода (2), активную область (1), расположенную в многомодовом волноводе (2) и состоящую из, по меньшей мере, одного квантоворазмерного активного слоя, омические контакты (8), (9) и оптический резонатор. Между многомодовым волноводом (2) и одним из первого и второго ограничительных слоев (3), (б) введены, по меньшей мере, первый одномодовый волновод (5) и первый дополнительный широкозонный ограничительный слой (4). Фактор оптического ограничения Г m QW для активной области собственной m -моды ( m - целое положительное число) многомодового волновода (2), толщина Р 1 и показатель преломления n P1 первого дополнительного широкозонного ограничительного слоя (4), эффективный показатель преломления N m собственной m -моды многомодового волновода (2), эффективный показатель преломления N d1 собственной моды первого одномодового волновода (5) удовлетворяют определенным соотношениям.

摘要翻译： 注射激光器包含多模波导（2）; 第一和第二宽带隙限制层（3,6），其同时相应地具有p型和n型导电性的发射体，并且位于多模波导（2）的不同侧上; 位于多模波导（2）中并由至少一个量子尺寸的有源层组成的有源区（1） 欧姆接触（8,9）; 和光谐振器。 至少第一单模波导（5）和第一附加宽带限制层（4）被引入到多模波导（2）和第一或第二约束层（3,6）中的一个之间。 多模波导（2）的本征m模（m为正整数）的有源区的光限制因子ΓmQW，第一附加宽带隙限制层的厚度Р1和折射率n P 1 （4）中，多模波导（2）的本征m模的有效折射率N m和第一单模波导（5）的模式的有效折射率N d1满足一定比例。

公开(公告)号：WO2013130375A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/US2013/027561

申请日：2013-02-25

申请人： CORNING INCORPORATED ,  CANEAU, Catherine Genevieve ,  XIE, Feng ,  ZAH, Chung-En

发明人： CANEAU, Catherine Genevieve ,  XIE, Feng ,  ZAH, Chung-En

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01S5/32 ,  B82Y20/00 ,  G01N21/59 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/42

摘要： Multi-surface emitting mid-IR multiwavelength distributed-feedback quantum cascade ring lasers laid out in a concentric circle are disclosed. The lasers utilize quantum cascade core designs to produce optical gain in the mid-infrared region and may generate several wavelengths simultaneously or sequentially. Methods of making along with methods of using such devices are also disclosed.

摘要翻译： 公开了布置在同心圆中的多表面发射中IR多波长分布反馈量子级联环形激光器。 激光器利用量子级联核心设计来在中红外区域产生光学增益，并且可以同时或顺序地产生几个波长。 还公开了使用这种装置的方法的方法。

公开(公告)号：WO2011022730A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：PCT/US2010/046376

申请日：2010-08-23

申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA ,  OHTA, Hiroaki ,  WU, Feng ,  TYAGI, Anurag ,  CHAKRABORTY, Arpan ,  SPECK, James, S. ,  DENBAARS, Steven, P. ,  NAKAMURA, Shuji ,  YOUNG, ERIN, C.

发明人： OHTA, Hiroaki ,  WU, Feng ,  TYAGI, Anurag ,  CHAKRABORTY, Arpan ,  SPECK, James, S. ,  DENBAARS, Steven, P. ,  NAKAMURA, Shuji ,  YOUNG, ERIN, C.

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3425 ,  H01S2301/173

摘要： An epitaxial structure for a Ill-Nitride based optical device, comprising an active layer with anisotropic strain on an underlying layer, where a lattice constant and strain in the underlying layer are partially or fully relaxed in at least one direction due to a presence of misfit dislocations, so that the anisotropic strain in the active layer is modulated by the underlying layer.

摘要翻译： 一种用于基于氮化硅的光学器件的外延结构，其包括在下层上具有各向异性应变的有源层，其中下层中的晶格常数和应变由于存在失配而在至少一个方向上部分或完全松弛 位错，使得有源层中的各向异性应变被下层调制。

公开(公告)号：WO2006010363A3

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：PCT/DE2005001305

申请日：2005-07-22

申请人： UNIV MARBURG PHILIPPS ,  KOCH STEPHAN W ,  KIRA MACKILLO

发明人： KOCH STEPHAN W ,  KIRA MACKILLO

IPC分类号： H01S5/32 ,  H01S1/00 ,  H01S5/34

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S1/00 ,  H01S1/02 ,  H01S5/04 ,  H01S5/041 ,  H01S5/14 ,  H01S5/32 ,  H01S5/34 ,  H01S2302/02

摘要： A novel method is disclosed, for generation of populations in excitonic p-states and hence a method for generation of population inversions of excitons, i.e. between the energetically discrete states thereof in materials, in which excitons (bonded electron/hole pairs) can be generated. Furthermore, emitter elements are disclosed, in the form of lasers or amplifiers (excitonic THz Lasers) or oscillators, using said method to generate or amplify electromagnetic radiation corresponding to the energetic separation of the excitonic states or for use as a clock (oscillator).

摘要翻译： 一种在激子p态产生占据的新颖方法，因此也是产生激子占据反转的一种方法， 在其中可以产生激子（束缚电子 - 空穴对）的材料中在它们的能量间隔状态之间。 此外发射元件和在激光器或放大器（“激子太赫兹激光”）或振荡器的所提出的形式，其使用本发明的方法按照电磁辐射的或增强或在时间度量的形式的激子态的能量间隔，以产生 （振荡器）使用。