公开(公告)号：WO2023036889A1

公开(公告)日：2023-03-16

申请号：PCT/EP2022/075028

申请日：2022-09-08

Applicant: HENKEL AG & CO. KGAA

Inventor： POSNER, Ralf ,  WAPNER, Kristof ,  KOLT, Christian ,  SCHMIDT, Silvia

IPC: C23G1/20 ,  C23G3/00 ,  C23C2/06 ,  C23C2/26 ,  C23G3/02 ,  C23C22/34 ,  C23C22/40 ,  C23C22/44 ,  C23C22/53 ,  C23C22/73 ,  C23C2/40 ,  C23C22/07 ,  C23C22/24

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung und/oder korrosionsschützenden Vorbehandlung einer Vielzahl von Bauteilen in Serie, bei dem die Bauteile der Serie zumindest teilweise zusammengesetzt sind aus verzinktem (ZM) Stahl. Die Bauteile durchlaufen hierfür nach einer Reinigungsstufe und vor einer weiteren Reinigung und/oder korrosionsschützenden Vorbehandlung eine Behandlungsstufe zur Verbesserung der Benetzbarkeit der verzinkten (ZM) Stahloberflächen, in der zumindest die Oberflächen des verzinkten (ZM) Stahls der Bauteile mit einem wässrigen Mittel in Kontakt gebracht werden, das mindestens einen Builder enthält, der ein Salz eines Lewis-Säure-Basen-Paares darstellt, bei dem die Lewis-Säure ausgewählt ist aus Li+, Na+, K+, Ca2+, Mg2+ oder Al3+ und die Lewis-Base ausgewählt ist aus Anionen einer mehrprotonigen Brönstedt-Säure. Die Gesamtkonzentration der Builder in der Behandlungsstufe zur Benetzung liegt bei mindestens 0,4 mol/kg.

公开(公告)号：WO2022123141A1

公开(公告)日：2022-06-16

申请号：PCT/FR2021/052114

申请日：2021-11-29

Applicant: SAFRAN AIRCRAFT ENGINES [FR]/[FR]

Inventor： GRUNENWALD, Anthony ,  BOSSAN, Pierre Antoine

IPC: C23C8/10 ,  C23C8/12 ,  C23C8/80 ,  C23C22/60 ,  C23C22/64 ,  C23C22/78 ,  C23G1/20

Abstract: La présente invention concerne un procédé de traitement de surface d'un renfort métallique en titane ou en alliage de titane d'une aube réalisée en matériau composite, lequel procédé permettant le retrait sélectif d'un primaire de collage par rapport au renfort en titane ou en alliage de titane.

公开(公告)号：WO00070125A1

公开(公告)日：2000-11-23

申请号：PCT/GB2000/001754

申请日：2000-05-12

IPC: C23G1/19 ,  C23G1/20 ,  C23G1/14 ,  C11D3/39

CPC classification number: C23G1/19 ,  C23G1/20

Abstract: A metal cleaning process in which the metal is contacted with an alkaline cleaning solution comprising at least 0.1 weight percent surfactant, at least 0.05 weight percent hydrogen peroxide, and an effective amount of at least one sequestrant, for example so as to stabilise the solution during use at 18 DEG C in an inert container prior to use so as that the peroxide concentration decreases by less than 2 percent in 7 days. A preferred sequestrant is sodium diethylene triamine pentamethylene phosphonate, used either per se or in combination with 2,2' dipyridylamine or 1,2'-diaminocyclohexal tetrakis methylene phosphonic acid. The metal may be contacted with the solution for between 1 and 120 minutes at a temperature in the range ambient to 70 DEG C. The metal may be rinsed with water after it has been contacted with the solution and air dried after it has been rinsed. The metal may be contacted with the solution in a metal or plastics cleaning bath which is preferably agitated or stirred, or a thickened solution may be sprayed onto the metal. The solution may be formed from a concentrate by dilution with water.

Abstract translation: 金属清洁方法，其中金属与碱性清洁溶液接触，所述碱性清洁溶液包含至少0.1重量％的表面活性剂，至少0.05重量％的过氧化氢和有效量的至少一种螯合剂，例如以便在 在使用前在惰性容器中使用18℃，以使过氧化物浓度在7天内降低2％以下。 优选的螯合剂是二亚乙基三胺五亚甲基膦酸钠，其本身或与2,2'联吡啶胺或1,2'-二氨基环己烷四亚甲基膦酸组合使用。 金属可以在环境温度至70℃的温度下与溶液接触1至120分钟。金属可以在与溶液接触后用水冲洗，并在冲洗后进行空气干燥。 可以将金属与溶液接触在优选搅拌或搅拌的金属或塑料清洁浴中，或将增稠的溶液喷涂到金属上。 溶液可以通过用水稀释由浓缩物形成。

公开(公告)号：WO00014301A1

公开(公告)日：2000-03-16

申请号：PCT/US1999/020527

申请日：1999-09-08

IPC: C23C22/78 ,  C23C22/80 ,  C23G1/14 ,  B08B3/00 ,  C23G1/20

CPC classification number: C23C22/78 ,  C23C22/80 ,  C23G1/14

Abstract: An aqueous bath for degreasing metals contains 0.5 to 8 g/l of polyoxyethylene alkyl ether with an HLB of 12 to 17 and at least one dissolved alkali metal salt or ammonium salt, contains 1 to 15 points of total alkalinity, and has a pH from 8 to 13. If the bath also contains dispersed conventional Jernstedt salt or insoluble di- or tri- valent metal phosphates with a particle size less than 5 mu m, the surface treated is conditioned for subsequent deposition of high quality zinc phosphate coatings at the same time its is degreased and can be effectively conversion coated by bringing it into contact with a suitable phosphating bath, without any rinsing with water between discontinuing contact with the degreasing bath and effecting contact with the phosphating bath. By this method, conventional degreasing, rinsing, conditioning, and zinc phosphating processes are shortened, cost less, and have less adverse environmental impact.

Abstract translation: 用于脱脂金属的水浴包含0.5-8g / l HLB为12-17的聚氧乙烯烷基醚和至少一种溶解的碱金属盐或铵盐，含有1至15个总碱度，并且具有从 如果洗涤液还含有分散的常规杰恩斯泰特盐或粒径小于5微米的不溶性二价或三价金属磷酸盐，则对处理的表面进行调理，以便随后沉积相同的高品质磷酸锌涂层 时间它脱脂，并且可以通过使其与合适的磷酸盐浴接触而被有效地转化涂覆，在不与脱脂浴接触并与磷化浴接触之间不用任何水漂洗。 通过这种方法，常规的脱脂，漂洗，调理和锌磷化处理被缩短，成本更低，并且对环境的不利影响较小。

公开(公告)号：WO98045399A1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：PCT/US1998/005150

申请日：1998-03-17

IPC: B08B3/08 ,  B24B37/04 ,  C09D9/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/34 ,  C11D3/43 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00 ,  C23G1/10 ,  C23G1/20 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  C11D7/60

CPC classification number: B24B37/042 ,  B08B3/08 ,  C09D9/00 ,  C11D3/2058 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3427 ,  C11D3/3472 ,  C11D3/43 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3227 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0052 ,  C23G1/103 ,  C23G1/205 ,  G03F7/42 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76885

Abstract: An ethylenediaminetetraacetic acid or a mono- di- tri- or tetraammonium salt 5 thereof residue cleaning composition removes photoresist and other residue from integrated circuit substrates. The balance of the composition is desirably made up of water, preferably high purity deionized water, or another suitable polar solvent. A process for removing photoresist or other residue from a substrate, such as an integrated circuit semiconductor wafer including titanium metallurgy, comprises contacting the substrate with the composition for a time and at a temperature sufficient to remove the photoresist or other residue from the substrate. Use of the ethylenediaminetetraacetic acid or a mono- di- tri- or tetraammonium salt thereof in the composition and process provides superior residue removal without attacking titanium or other metallurgy, oxide or nitride layers on the substrate.

Abstract translation: 乙二胺四乙酸或其残基清除组合物的一 - 二 - 或四 - 铵盐5从集成电路基底中去除光致抗蚀剂和其它残留物。 组合物的余量理想地由水，优选高纯度去离子水或其它合适的极性溶剂组成。 用于从衬底（例如包括钛冶金的集成电路半导体晶片）去除光致抗蚀剂或其它残留物的方法包括使衬底与组合物接触一段时间并且足以从衬底去除光致抗蚀剂或其它残余物的温度。 在组合物和方法中使用乙二胺四乙酸或其一 - 二 - 或四铵盐提供优异的残余物去除而不侵蚀基材上的钛或其它冶金，氧化物或氮化物层。

公开(公告)号：WO98040453A1

公开(公告)日：1998-09-17

申请号：PCT/US1998/004769

申请日：1998-03-10

IPC: B24B37/04 ,  C09D9/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/34 ,  C11D3/43 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00 ,  C23G1/10 ,  C23G1/20 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  C11D3/04 ,  B08B3/08 ,  C11D3/28

CPC classification number: H01L21/02071 ,  B24B37/042 ,  C09D9/00 ,  C11D3/2058 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3427 ,  C11D3/3472 ,  C11D3/43 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3227 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0052 ,  C23G1/103 ,  C23G1/205 ,  G03F7/42 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31133

Abstract: A two carbon atom linkage alkanolamine compound composition comprises the two carbon atom linkage alkanolamine compound, gallic acid or catechol, and optionally, an aqueous hydroxylamine solution. The balance of the composition is made up of water, preferably high purity deionized water, or another suitable polar solvent. A process for removing photoresist or other residue from a substrate, such as an integrated circuit semiconductor wafer including titanium metallurgy, comprises contacting the substrate with the composition for a time and at a temperature sufficient to remove the photoresist or other residue from the substrate. Use of the two carbon atom linkage alkanolamine compound in the composition and process provides superior residue removal without attacking titanium or other metallurgy, oxide or nitride layers on the substrate.

Abstract translation: 两个碳原子连接的链烷醇胺化合物组合物包含两个碳原子键链烷醇胺化合物，没食子酸或邻苯二酚，以及任选的羟胺水溶液。 组合物的余量由水，优选高纯度去离子水或另一种合适的极性溶剂组成。 用于从衬底（例如包括钛冶金的集成电路半导体晶片）去除光致抗蚀剂或其它残留物的方法包括使衬底与组合物接触一段时间并且足以从衬底去除光致抗蚀剂或其它残余物的温度。 在组合物和方法中使用两个碳原子键链烷醇胺化合物提供优异的残余物去除而不侵蚀基底上的钛或其它冶金，氧化物或氮化物层。

公开(公告)号：WO98036045A1

公开(公告)日：1998-08-20

申请号：PCT/US1998/002794

申请日：1998-02-14

IPC: B08B3/08 ,  B24B37/04 ,  C09D9/00 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00 ,  C23F3/06 ,  C23G1/00 ,  C23G1/10 ,  C23G1/20 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  C11D3/18 ,  C11D3/04 ,  C11D3/44

CPC classification number: H01L21/02071 ,  B08B3/08 ,  B24B37/042 ,  C09D9/00 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3227 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0029 ,  C11D11/0047 ,  C23F3/06 ,  C23G1/00 ,  C23G1/103 ,  C23G1/205 ,  G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212

Abstract: A composition for removal of chemical residues from metal or dielectric surfaces or for chemical mechanical polishing of a copper surface is an aqueous solution with a pH between about 3.5 and about 7. The composition contains a monofunctional, difunctional or trifunctional organic acid and a buffering amount of a quaternary amine, ammonium hydroxide, hydroxylamine, hydroxylamine salt, hydrazine or hydrazine salt base. A method in accordance with the invention for removal of chemical residues from a metal or dielectric surface comprises contacting the metal or dielectric surface with the above composition for a time sufficient to remove the chemical residues. A method in accordance with the invention for chemical mechanical polishing of a copper surface comprises applying the above composition to the copper surface, and polishing the surface in the presence of the composition.

Abstract translation: 用于从金属或电介质表面除去化学残留物或用于铜表面的化学机械抛光的组合物是pH在约3.5至约7之间的水溶液。该组合物含有单官能的，双官能的或三官能的有机酸和缓冲量 的季胺，氢氧化铵，羟胺，羟胺盐，肼或肼盐碱。 根据本发明的用于从金属或介电表面去除化学残留物的方法包括使金属或电介质表面与上述组合物接触足够时间以除去化学残留物。 根据本发明的用于铜表面的化学机械抛光的方法包括将上述组合物施加到铜表面上，并在组合物存在下抛光表面。

公开(公告)号：WO2020155551A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/CN2019/094141

申请日：2019-07-01

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 李金城 ,  吴豪旭

IPC: C23G1/18 ,  C23G1/20 ,  G03F7/42

Abstract: 一种铜清洗剂，以100重量份为基础，包括：40～65重量份的去离子水；25～35重量份的丙酮缩甘油；0.001～2重量份的表面活性剂；以及0.01～2重量份的缓蚀剂。

公开(公告)号：WO2018136466A1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：PCT/US2018/013970

申请日：2018-01-17

Applicant: ENTEGRIS, INC.

Inventor： COOPER, Emanuel I. ,  PAYNE, Makonnen ,  KIM, WonLae ,  HONG, Eric ,  TU, Sheng-Hung ,  WANG, Chieh Ju ,  HSU, Wisma

IPC: C23G1/24 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  C11D11/00 ,  G03F7/42 ,  C23G1/18 ,  C23G1/26 ,  C09K13/08

Abstract: The disclosure relates to a cleaning composition that aids in the removal of post-etch residues and aluminum-containing material, e.g., aluminum oxide, in the production of semiconductors that utilize an aluminum-containing etch stop layer. The compositions have a high selectivity for post-etch residue and aluminum-containing materials relative to low-k dielectric materials, cobalt-containing materials and other metals on the microelectronic device.

公开(公告)号：WO2017110493A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：PCT/JP2016/086515

申请日：2016-12-08

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 茅窪大輔 ,  川下浩一

IPC: C11D1/72 ,  B08B3/08 ,  B23K1/00 ,  C11D1/68 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D17/08 ,  C23G1/20 ,  H01L21/304 ,  H05K3/34

CPC classification number: B08B3/08 ,  B23K1/00 ,  C11D1/72 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D17/08 ,  C23G1/20 ,  H01L21/304 ,  H05K3/34

Abstract: フラックス残渣の洗浄に好適なフラックス用洗浄剤組成物の提供。　本開示は、一実施形態において、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）、下記式（ＩＩ）で表される化合物（成分Ｂ）、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物（成分Ｃ）、下記式（ＩＶ）で表される化合物（成分Ｄ）、芳香族アルコール（成分Ｅ）、及び水（成分Ｆ）を含有し、成分Ｅの質量と成分Ｃ及び成分Ｄの合計の質量との比（成分Ｅ／（成分Ｃ＋成分Ｄ））が、０．１８以上０．４５以下である、フラックス用洗浄剤組成物に関する。 Ｒ 4 -Ｏ-（ＣＨ 2 ＣＨ 2 Ｏ） n -Ｈ　（ＩＩ） Ｒ 5 -Ｏ-（ＣＨ 2 ＣＨ 2 Ｏ） m -Ｈ　（ＩＩＩ） Ｒ 6 ＯＣＨ 2 －ＣＨ（ＯＨ）-ＣＨ 2 ＯＨ　（ＩＶ）

Abstract translation: 提供适用于清洗助焊剂残留物的助焊剂清洁剂组合物。 本发明中，在一个实施例中，由下式（I）表示的化合物（组分A），由下式（II）（成分B）表示的化合物，由下式表示的化合物（III）（ C成分），下述式（IV）（成分d），芳族醇（组分E）表示的化合物，和含有水（F成分），总质量和组分C和组分d E成分 质量比（E成分/（C成分+ D成分））为0.18以上且0.45以下。 n -H（II）R 2 2 5 -O-（CH <子> 2 CH <子> 2 O）<子>米 -H（III）R <子> 6