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    SCRUBBER CLEAN BEFORE OXIDE CHEMICAL MECHANICAL POLISH (CMP) FOR REDUCED MICROSCRATCHES AND IMPROVED YIELDS
    1.
    发明申请
    SCRUBBER CLEAN BEFORE OXIDE CHEMICAL MECHANICAL POLISH (CMP) FOR REDUCED MICROSCRATCHES AND IMPROVED YIELDS 审中-公开
    氧化物化学机械抛光（CMP）之前的清洁清洁用于减少微阵列和改进的YIELDS

    公开(公告)号：WO2010120685A8

    公开(公告)日：2011-08-18

    申请号：PCT/US2010030734

    申请日：2010-04-12

    Applicant: MICROCHIP TECH INC ,  WILLIAMS JACOB L

    Inventor： WILLIAMS JACOB L

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105

    CPC classification number: H01L21/02065

    Abstract: A method for fabricating semiconductors is provided that includes an oxide chemical mechanical polish (CMP) step. Prior to performing the CMP of an integrated circuit semiconductor silicon wafer, a number of steps are performed. The silicon wafer is scrubbed with a brush using a liquid cleaner. The silicon wafer is rinsed with deionized water (DIW). Finally, the silicon wafer is dried.

    Abstract translation: 提供一种制造半导体的方法，其包括氧化物化学机械抛光（CMP）步骤。 在进行集成电路半导体硅晶片的CMP之前，进行多个步骤。 使用液体清洁器用刷子擦洗硅晶片。 用去离子水（DIW）漂洗硅晶片。 最后，将硅晶片干燥。

    SCRUBBER CLEAN BEFORE OXIDE CHEMICAL MECHANICAL POLISH (CMP) FOR REDUCED MICROSCRATCHES AND IMPROVED YIELDS
    2.
    发明申请
    SCRUBBER CLEAN BEFORE OXIDE CHEMICAL MECHANICAL POLISH (CMP) FOR REDUCED MICROSCRATCHES AND IMPROVED YIELDS 审中-公开
    氧化物化学机械抛光（CMP）之前的清洁清洁用于减少微阵列和改进的YIELDS

    公开(公告)号：WO2010120685A1

    公开(公告)日：2010-10-21

    申请号：PCT/US2010/030734

    申请日：2010-04-12

    Applicant: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED ,  WILLIAMS, Lacob, L.

    Inventor： WILLIAMS, Lacob, L.

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105

    CPC classification number: H01L21/02065

    Abstract: A method for fabricating semiconductors is provided that includes an oxide chemical mechanical polish (CMP) step. Prior to performing the CMP of an integrated circuit semiconductor silicon wafer, a number of steps are performed. The silicon wafer is scrubbed with a brush using a liquid cleaner. The silicon wafer is rinsed with deionized water (DIW). Finally, the silicon wafer is dried.

    Abstract translation: 提供一种制造半导体的方法，其包括氧化物化学机械抛光（CMP）步骤。 在进行集成电路半导体硅晶片的CMP之前，进行多个步骤。 使用液体清洁器用刷子擦洗硅晶片。 用去离子水（DIW）漂洗硅晶片。 最后，将硅晶片干燥。

    CLEANING SOLUTION FOR SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
    3.
    发明申请
    CLEANING SOLUTION FOR SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    用于半导体器件的衬底的清洁解决方案

    公开(公告)号：WO2009145124A1

    公开(公告)日：2009-12-03

    申请号：PCT/JP2009/059478

    申请日：2009-05-18

    Applicant: KAO CORPORATION ,  ISHIBASHI, Youichi

    Inventor： ISHIBASHI, Youichi

    IPC: H01L21/02 ,  C11D11/00 ,  C07C303/44

    CPC classification number: H01L21/02065 ,  C11D1/146 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

    Abstract: A cleaning solution of the present invention contains a sodium ion, a potassium ion, an iron ion, an ammonium salt of a sulfuric ester represented by General Formula (1), and water, and each content of the sodium ion, the potassium ion, and the iron ion is 1 ppb to 500 ppb. ROSO 3 -(X)+ (1) where R is an alkyl group with a carbon number of 8-22 or an alkenyl group with a carbon number of 8-22, and (X)+ is an ammonium ion.

    Abstract translation: 本发明的清洗液含有钠离子，钾离子，铁离子，通式（1）表示的硫酸铵盐和水，钠离子，钾离子， 铁离子为1ppb至500ppb。 ROSO 3 - （X）+（1）其中R是碳数为8-22的烷基或碳数为8-22的烯基，（X）+为铵离子。

    DEFECT REDUCTION IN A SUBSTRATE TREATMENT METHOD
    6.
    发明申请
    DEFECT REDUCTION IN A SUBSTRATE TREATMENT METHOD 审中-公开
    基底处理方法中的缺陷减少

    公开(公告)号：WO2014130979A1

    公开(公告)日：2014-08-28

    申请号：PCT/US2014/018147

    申请日：2014-02-25

    Applicant: EXOGENESIS CORPORATION ,  KIRKPATRICK, Sean, R.

    Inventor： KIRKPATRICK, Sean, R.

    IPC: H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L23/48

    CPC classification number: G03F1/80 ,  G03F1/50 ,  G03F1/82 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/05 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02065 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012

    Abstract: A method for treating a substrate surface uses Neutral Beam irradiation derived from a gas-cluster ion-beam and articles produced thereby including lithography photomask substrates. One embodiment provides a method of treating a surface of a substrate that contains one or more embedded particles or contains sub-surface damage, comprising the steps of: providing a reduced pressure chamber; forming a gas-cluster ion-beam comprising gas-cluster ions within the reduced pressure chamber; accelerating the gas-cluster ions to form an accelerated gas-duster ion-beam along a beam path within the reduced pressure chamber; promoting fragmentation and/or dissociation of at least a portion of the accelerated gas-cluster ions along the beam path; removing charged particles from the beam path to form an accelerated neutral beam along the beam path in the reduced pressure chamber; holding the surface in the beam path; and treating at least a portion of the surface of the substrate by irradiation.

    Abstract translation: 用于处理基板表面的方法使用源自气体簇离子束的中性束照射和由其制造的制品包括光刻光掩模基板。 一个实施方案提供了一种处理含有一种或多种嵌入颗粒或含有亚表面损伤的基材表面的方法，包括以下步骤：提供减压室; 在所述减压室内形成包含气体簇离子的气体簇离子束; 加速气体簇离子以在减压室内沿着光束路径形成加速的气体 - 除尘器离子束; 促进沿着光束路径的加速气团离子的至少一部分的碎裂和/或解离; 从所述光束路径去除带电粒子以在所述减压室中沿着所述光束路径形成加速的中性光束; 将表面保持在光束路径中; 以及通过照射处理所述基材表面的至少一部分。

    洗浄液及び洗浄方法
    7.
    发明申请
    洗浄液及び洗浄方法 审中-公开
    清洁液体和清洁方法

    公开(公告)号：WO2010134185A1

    公开(公告)日：2010-11-25

    申请号：PCT/JP2009/059371

    申请日：2009-05-21

    Applicant: ステラケミファ株式会社 ,  宮下 雅之 ,  久次米 孝信 ,  二井 啓一 ,  山本 雅士

    Inventor： 宮下　雅之 ,  久次米　孝信 ,  二井　啓一 ,  山本　雅士

    IPC: C11D7/60 ,  C11D7/08 ,  H01L21/304

    CPC classification number: C11D3/042 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02065

    Abstract: 　酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供する。本発明に係る洗浄液は、酸化セリウムを除去する洗浄液であって、フッ化水素と、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、リン酸、ヨウ素酸及び臭化水素酸からなる群より選択される少なくとも何れか１種の酸と、水とが含み構成され、前記酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去することを特徴とする。

    Abstract translation: 公开了一种能够通过溶解和除去铈离子形式的氧化铈，能够将被清洁物体清洁到其氧化铈附着表面的清洗液。 还公开了使用清洗液的清洗方法。 用于除去氧化铈的清洗液的特征在于含有氟化氢，至少一种选自盐酸，硝酸，硫酸，乙酸，磷酸，碘酸和氢溴酸的酸和水。 清洗液的特征还在于以铈离子的形式溶解和去除氧化铈。

    DIFFERENTIAL CLEANING FOR SEMICONDUCTOR WAFERS WITH COPPER CIRCUITRY
    8.
    发明申请
    DIFFERENTIAL CLEANING FOR SEMICONDUCTOR WAFERS WITH COPPER CIRCUITRY 审中-公开
    具有铜电路的半导体滤波器的差分清洗

    公开(公告)号：WO2002095813A2

    公开(公告)日：2002-11-28

    申请号：PCT/US2002/015558

    申请日：2002-05-16

    Applicant: SPEEDFAM-IPEC CORPORATION

    Inventor： QUARANTELLO, Justin, M.

    IPC: H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/0209 ,  B08B1/00 ,  B08B3/02 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/6708

    Abstract: The invention provides a method for differentially applying cleaning chemistries to a silicon wafer that has undergone a polishing process whether chemical mechanical polishing or polishing with a fixed abrasive material. In accordance with the invention, cleaning fluid with a specific chemistry designed for cleaning the front side of the wafer is applied to the front side; while different chemistry specifically selected for more effectively cleaning the rear side of the wafer is applied to that side. This application of different chemistries to the two sides of the wafer is referred to as "differential cleaning".

    Abstract translation: 本发明提供了一种用于将清洁化学品差异化地应用于已经经历抛光工艺的硅晶片的方法，所述抛光工艺是用化学机械抛光或用固定的研磨材料抛光。 根据本发明，将设计用于清洁晶片正面的特定化学品的清洗液施加到前侧; 特别选择用于更有效地清洁晶片背面的不同化学物质被应用于该侧。 不同化学物质对晶片两侧的这种应用被称为“差速清洗”。

    基板洗浄ロール、基板洗浄装置、及び基板洗浄方法
    9.
    发明申请
    基板洗浄ロール、基板洗浄装置、及び基板洗浄方法 审中-公开
    基板清洗辊，基板清洗装置和基板清洗方法

    公开(公告)号：WO2016067563A1

    公开(公告)日：2016-05-06

    申请号：PCT/JP2015/005280

    申请日：2015-10-20

    Applicant: 株式会社荏原製作所

    Inventor： 石橋　知淳

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/67046 ,  B08B1/001 ,  B08B1/04 ,  B08B3/08 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087

    Abstract: 　基板の最縁部を洗浄可能な基板洗浄ロール、及びそれを用いた基板洗浄装置を提供する。基板洗浄装置（１０）は、基板（Ｓ）を保持するスピンドル（１１）と、円柱形状を有し、長手方向が基板（Ｓ）の表面と平行になるように基板（Ｓ）に接触して長手方向の回転軸周りに回転することで基板（Ｓ）の表面をスクラブ洗浄するための下部基板洗浄ロール（１３）と、下部基板洗浄ロール（１３）を、基板（Ｓ）の下側表面に、長手方向が基板（Ｓ）の表面に水平になるように押し付ける上下駆動機構と、上下駆動機構によって基板（Ｓ）の下側表面に押し付けられた下部基板洗浄ロール（１３）を回転軸周りに回転させる回転駆動機構とを備えている。下部基板洗浄ロール（１３）は、長手方向の少なくとも一端側に、下部基板洗浄ロール（１３）が基板（Ｓ）と接触したときに基板（Ｓ）の周縁のベベル部（Ｂ）の最縁部である側部（Ｒ）に抵触する傾斜面（１３５１）を有するエッジのジュール（１３５）を備えている。

    Abstract translation: 提供：能够清洗基板的最外边缘部分的基板清洗辊; 以及使用所述基板清洗辊的基板清洗装置。 该衬底清洁装置（10）包括：保持衬底（S）的心轴（11）; 具有圆筒形的下基板清洁辊（13），并且用于通过使基板（S）的长度方向平行于所述基板（S）的表面而使基板（S）的表面接触来擦拭基板 基板（S），并且沿着长度方向围绕旋转轴线旋转; 垂直驱动机构，其将所述下基板清洁辊（13）压靠在所述基板（S）的下表面上，使得所述长度方向与所述基板（S）的表面水平; 以及旋转驱动机构，其通过所述垂直驱动机构围绕所述旋转轴旋转所述下基板清洁辊（13）压靠在所述基板（S）的下表面。 下基板清洁辊（13）在长度方向的至少一个端侧包括具有与侧部（R）接触的倾斜表面（1351）的边缘结节（135），所述侧部（R）是最外侧 当所述下基板清洁辊（13）与所述基板（S）接触时，所述基板（S）的周缘的斜切部（B）的边缘部分。

    COMPOSITIONS AND METHODS FOR REMOVING CERIA PARTICLES FROM A SURFACE
    10.
    发明申请
    COMPOSITIONS AND METHODS FOR REMOVING CERIA PARTICLES FROM A SURFACE 审中-公开
    从表面去除CERIA颗粒的组合物和方法

    公开(公告)号：WO2014186538A1

    公开(公告)日：2014-11-20

    申请号：PCT/US2014/038125

    申请日：2014-05-15

    Applicant: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.

    Inventor： LIU, Jun ,  SUN, Laisheng

    IPC: C11D3/26 ,  C11D3/00 ,  C11D1/00 ,  C09K3/14

    CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D1/008 ,  C11D3/0042 ,  C11D3/2072 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02065

    Abstract: A removal composition and process for cleaning post-chemical mechanical polishing (CMP) contaminants and ceria particles from a microelectronic device having said particles and contaminants thereon. The removal compositions include at least one surfactant. The composition achieves highly efficacious removal of the ceria particles and CMP contaminant material from the surface of the microelectronic device without compromising the low-k dielectric, silicon nitride, or tungsten-containing materials.

    Abstract translation: 一种去除组合物和用于从其上具有所述颗粒和污染物的微电子装置清洁化学后机械抛光（CMP）污染物和二氧化铈颗粒的方法。 除去组合物包括至少一种表面活性剂。 该组合物可从微电子器件的表面高效地除去二氧化铈颗粒和CMP污染物质，而不损害低k电介质，氮化硅或含钨材料。

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