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公开(公告)号：CN107539941A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201611259550.0
申请日：2016-12-30
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
摘要： 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
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公开(公告)号：CN109511066B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201811076753.5
申请日：2018-09-14
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H04R19/04
摘要： 本文提供了用于制造薄过滤膜的方法以及包括过滤膜的声学换能器装置。一种制造过滤模块的方法，其包括以下步骤：形成多层体，其包括半导体材料的并且具有小于10μm的厚度的过滤层、耦合到过滤层的第一侧的第一结构层、以及耦合到过滤层的与第一侧相对的第二侧的第二结构层；在第一结构层中形成凹部，该凹部在其整个厚度上延伸；去除过滤层的通过凹部暴露的选择性部分，以形成多个开口，这些开口在过滤层的整个厚度上延伸；以及完全去除第二结构层以流体地连接过滤层的第一侧和第二侧，从而形成设计用于限制污染颗粒通过的过滤膜。
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公开(公告)号：CN106553991A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610179771.0
申请日：2016-03-25
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： B81B7/0048 , B81C1/00325 , H01L23/055 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L2224/32145 , H01L2224/48145 , H01L2224/48235 , H01L2224/73265 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15313 , H01L2924/16195 , H01L2924/16251 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , B81B7/02 , B81C1/00015
摘要： 本申请涉及对热机械应力敏感度降低的半导体材料的密封器件。提供一种半导体材料的密封器件，其中半导体材料的芯片(56)通过至少一个柱元件(60)固定至封装本体(51)的基础元件(52)，柱元件具有比芯片大的弹性和可变形性，例如低于300MPa的杨氏模量。在一个实例中，四个柱元件(60)固定为与芯片的固定表面(56A)的角部邻近并且操作为非耦合结构，这防止将基础元件的应力和变形传递至芯片。
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公开(公告)号：CN117594374A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311002468.X
申请日：2023-08-10
申请人： 意法半导体股份有限公司
发明人： F·韦尔切西 , G·加特瑞 , G·阿勒加托 , M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚 , A·达内伊
摘要： 一种微机电按钮器件设置有检测结构，检测结构具有：具有前表面和后表面的半导体材料的衬底；被布置在衬底上的掩埋电极；被布置在结构层中的移动电极，移动电极覆盖在衬底上并且以分离距离弹性地悬置在掩埋电极上方以形成检测电容器；以及帽，帽耦合在结构层之上并且具有面对结构层的第一主表面和第二主表面，帽被设计为机械耦合到便携式或可佩戴型电子装置的外壳的可变形部分。帽在其第一主表面上具有致动部分，致动部分被布置在移动电极上并且被配置为在施加在第二主表面上的压力存在的情况下引起移动电极向掩埋电极的偏转和接近，从而引起检测电容器的电容变化，电容变化指示微机电按钮器件的致动。
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公开(公告)号：CN111212370B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201911143036.4
申请日：2019-11-20
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本公开涉及具有减小的应力敏感度的超声MEMS声换能器及其制造工艺。一种超声MEMS声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一腔在本体中延伸，并在底部界定敏感部分，该敏感部分在第一腔与本体的第一表面之间延伸。敏感部分容纳第二腔并形成膜，该膜在第二腔和本体的第一表面之间延伸。弹性支撑结构在敏感部分和本体之间延伸，并悬置在第一腔上方。
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公开(公告)号：CN111212370A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911143036.4
申请日：2019-11-20
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本公开涉及具有减小的应力敏感度的超声MEMS声换能器及其制造工艺。一种超声MEMS声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一腔在本体中延伸，并在底部界定敏感部分，该敏感部分在第一腔与本体的第一表面之间延伸。敏感部分容纳第二腔并形成膜，该膜在第二腔和本体的第一表面之间延伸。弹性支撑结构在敏感部分和本体之间延伸，并悬置在第一腔上方。
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公开(公告)号：CN107539941B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201611259550.0
申请日：2016-12-30
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
摘要： 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
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公开(公告)号：CN117945340A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311420546.8
申请日：2023-10-30
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 一种用于制造包括两个半导体管芯的器件的器件和方法。该器件由第一管芯和第二管芯形成。第一管芯由半导体材料制成并集成电子元件。第二管芯具有主表面，形成图案化结构，并结合到第一管芯。内部电耦合结构将第一管芯的主表面电耦合到第二管芯。外部连接区域在第一管芯的主表面上延伸。封装件封装第一管芯、第二管芯和内部电耦合结构并且部分地围绕外部连接区域，外部连接区域部分地从封装件突出。
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公开(公告)号：CN113697766A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110545660.8
申请日：2021-05-19
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备。一种用于制造MEMS设备的工艺包括在衬底上形成第一厚度的第一结构层。第一沟槽通过所述第一结构层形成，并且通过第一开口隔开的掩模区域在所述第一结构层上被形成。第二厚度的第二结构层在所述第一开口处与所述第一结构层直接接触的所述第一结构层上被形成，并且第二结构层与所述第一结构层一起形成第三厚度的厚结构区域，第三厚度等于所述第一厚度和所述第二厚度的所述总和。多个第二沟槽通过所述第二结构层在所述掩模区域上方被形成，并且第三沟槽通过去除所述厚结构区域的选择性部分通过所述第一结构层和所述第二结构层形成。
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公开(公告)号：CN113351458A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110247160.6
申请日：2021-03-05
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： B06B1/06
摘要： 本公开的实施例涉及压电式机械换能器。提供了一种用于制造包括位于膜元件处的压电元件的PMUT器件的方法。方法包括接收绝缘体上硅基底，具有第一硅层、氧化物层和第二硅层。通过移除第一硅层的暴露侧部分和氧化物层的对应的部分来暴露第二硅层的第一表面的部分，并且限定包括第一硅层和氧化物层的剩余部分的中心部分。用于膜元件的锚定部分在第二硅层的第一表面的暴露部分处形成。压电元件在中心部分的上方形成，并且膜元件通过选择性地移除第二层并且从第一硅层的剩余部分下方移除氧化物的剩余部分来限定。
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