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公开(公告)号：CN104093259B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410225307.1
申请日：2009-03-20
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： H05G2/00
摘要： 本发明公开了一种靶材、源、EUV光刻设备和使用该设备的器件制造方法。所述靶材被配置成用于被构造且被布置以产生具有在6.8nm范围内的波长的辐射束的源中。靶材包括被配置以改变Gd的熔化温度的基于Gd的合成物，或Tb，或被配置以减小Tb的熔化温度的基于Tb的合成物。
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公开(公告)号：CN102621817B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210056238.7
申请日：2005-09-30
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·巴尼内 , J·H·J·莫尔斯 , C·I·M·A·斯皮 , D·J·W·克鲁德 , P·C·扎姆
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B82Y10/00 , B08B7/0035 , B08B17/04 , G03F7/70925 , G03F7/70983 , G21K1/062
摘要： 本发明提供了一种去除包括光学元件的设备的光学元件上沉积物的方法，该方法包括在该设备的至少一部分内提供含有H2的气体；从含H2气体中的H2产生氢自由基；以及使具有沉积物的光学元件与至少部分氢自由基接触，并且去除沉积物的至少一部分。此外，本发明提供了一种包括光学元件的设备的光学元件的保护方法，该方法包括：通过沉积过程向光学元件提供盖层；和在设备使用期间或使用之后，在如上所述的去除过程中，从光学元件上去除盖层的至少一部分。该方法可用在光刻设备中。
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公开(公告)号：CN101968609B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201010265577.7
申请日：2007-09-18
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , ASML荷兰有限公司
发明人： D·H·埃姆 , S·米勒伦德 , T·施泰因 , J·H·J·莫尔斯 , B·T·沃尔斯施里金 , D·克劳斯 , R·维尔斯路易斯 , M·G·H·迈耶因克
CPC分类号： G03B27/16 , B82Y10/00 , G03F7/70841 , G03F7/70883 , G03F7/70916 , G21K2201/061
摘要： 本发明涉及一种光学装置，特别是一种用于EUV光刻的投影曝光设备(1)，包括：围住内部空间(15)的外壳(2)；至少一个布置在所述外壳(2)中的光学元件(4至10，12，14.1至14.6)，特别是反射光学元件；至少一个用于在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中产生真空的真空产生单元(3)；以及至少一个真空外壳(18，18.1至18.10)，布置在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中，并且至少围住所述光学元件(4至10，12，14.1至14.5)的光学表面(17，17.1，17.2)，其中，污染降低单元与所述真空外壳(18.1至18.10)关联，相对于所述内部空间(15)中的所述污染物质的分压，所述污染降低单元降低至少在所述光学表面(17，17.1，17.2)附近处污染物质的分压，特别是水和/或碳氢化合物的分压。
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公开(公告)号：CN102880008A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210282444.X
申请日：2008-11-18
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： Y·J·G·范德维基沃尔 , J·H·J·莫尔斯 , W·J·M·沃斯蒂格 , P·G·约克斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70841 , G03F7/70866 , G03F7/70883 , G03F7/70916
摘要： 本发明公开了一种光刻设备(1)，包括：投影系统(7)，其配置成将所述图案化的辐射束(9)投影到衬底的目标部分上；真空室(8)，在使用期间所述图案化的辐射束(9)被投影通过真空室；和净化系统(13、16、17)，其配置成在所述室(8)内提供净化气体流。
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公开(公告)号：CN101529337A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780037980.0
申请日：2007-09-25
申请人： ASML荷兰有限公司 , 卡尔蔡斯SMT股份公司
发明人： D·H·厄姆 , J·H·J·莫尔斯 , B·T·沃尔斯克利基恩 , M·G·H·梅杰里恩克 , T·斯蒂恩
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70925
摘要： 本发明公开了一种用以清洁设备的光学元件的方法，该设备构建成将辐射束投影到衬底的目标部分上，该设备包括按序列设置在辐射束路径上的多个光学元件，其中清洁方法包括：使用比该序列中一个或更多个第一光学元件的累积清洁时间段更短的累积清洁时间段清洁该序列中的一个或更多个第二光学元件，第二光学元件在该设备运行过程中接收一个或更多个相对低的第二辐射剂量，第一光学元件在该设备运行过程中接收一个或更多个第一辐射剂量，第二辐射剂量低于每一个相对高的第一辐射剂量。
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公开(公告)号：CN102981201B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210518419.7
申请日：2009-02-24
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： W·A·索尔 , V·Y·班尼恩 , J·H·J·莫尔斯 , M·M·J·W·范赫彭 , A·M·亚库林
CPC分类号： G02B5/208 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/22 , G02B5/26 , G03F7/70191 , G03F7/702 , G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/067 , G21K2201/061 , G21K2201/064 , G21K2201/065 , G21K2201/067
摘要： 本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。
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公开(公告)号：CN102880008B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210282444.X
申请日：2008-11-18
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： Y·J·G·范德维基沃尔 , J·H·J·莫尔斯 , W·J·M·沃斯蒂格 , P·G·约克斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70841 , G03F7/70866 , G03F7/70883 , G03F7/70916
摘要： 本发明公开了一种光刻设备(1)，包括：投影系统(7)，其配置成将所述图案化的辐射束(9)投影到衬底的目标部分上；真空室(8)，在使用期间所述图案化的辐射束(9)被投影通过真空室；和净化系统(13、16、17)，其配置成在所述室(8)内提供净化气体流。
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公开(公告)号：CN102099747B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200980128327.4
申请日：2009-07-29
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70958 , B82Y10/00 , G02B5/208 , G03F7/70033 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G03F7/70941 , G21K1/062 , G21K1/10
摘要： 本发明公开了一种光谱纯度滤光片，配置用以透射极紫外(EUV)辐射并偏转或吸收非极紫外伴随辐射。在一个实施例中，光谱纯度滤光片包括对极紫外辐射具有高的透射率的材料的主体和在所述主体的辐射入射侧面上对非极紫外伴随辐射具有高的反射性的材料的层。在一个实施例中，光谱纯度滤光片包括对极紫外辐射具有高的透射率的材料的主体和在所述主体的末端上的具有高发射率的材料的层。
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公开(公告)号：CN102841513A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210282310.8
申请日：2008-11-18
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： Y·J·G·范德维基沃尔 , J·H·J·莫尔斯 , W·J·M·沃斯蒂格 , P·G·约克斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70841 , G03F7/70866 , G03F7/70883 , G03F7/70916
摘要： 本发明公开了一种光刻设备(1)，包括：投影系统(7)，其配置成将所述图案化的辐射束(9)投影到衬底的目标部分上；真空室(8)，在使用期间所述图案化的辐射束(9)被投影通过真空室；和净化系统(13、16、17)，其配置成在所述室(8)内提供净化气体流。
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公开(公告)号：CN102495538A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201210005732.0
申请日：2008-11-18
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： Y·J·G·范德维基沃尔 , J·H·J·莫尔斯 , W·J·M·沃斯蒂格 , P·G·约克斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70841 , G03F7/70866 , G03F7/70883 , G03F7/70916
摘要： 本发明公开了一种光刻设备(1)，包括：投影系统(7)，其配置成将所述图案化的辐射束(9)投影到衬底的目标部分上；真空室(8)，在使用期间所述图案化的辐射束(9)被投影通过真空室；和净化系统(13、16、17)，其配置成在所述室(8)内提供净化气体流。
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