-
公开(公告)号：CN1104040C
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN98105640.7
申请日：1998-02-04
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/2007 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/67057 , Y10T29/41
摘要： 一种通过把晶片浸入处理液来处理晶片的晶片处理装置，包括：晶片处理槽；直接或间接固定晶片的固定部分，该固定部分允许晶片旋转；在所述处理槽内移动所述固定部分的驱动部分；以及具有接触部分的部件，所述接触部分固定于所述处理槽中且允许与晶片的周边部分接触，所述驱动部分移动所述固定部分，使所述晶片的周边部分与所述部件的固定的接触部分接触来旋转所述晶片。晶片能被有效地摆动，能做到均匀处理。通过使用超声槽里的超声波，能够提高处理速率。
-
公开(公告)号：CN1278656A
公开(公告)日：2001-01-03
申请号：CN00122589.8
申请日：2000-06-16
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/304 , H01L21/6836 , H01L21/76259 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368
摘要： 在通过支撑元件对由基片上的分离层形成的半导体层进行支撑,并通过对支撑元件施加拉力机械破坏分离层,而形成薄膜半导体时,通过真空吸附和/或静电吸附来固定基片,并从除基片边缘之外的区域开始分离薄膜外延层。由此可提供一种能够以较高产量获得具有优异性质薄膜外延层的方法,并且允许重复使用基片,且在制造半导体基材和太阳能电池时不会因为分离力超过基片的粘接力而抬起基片。
-
公开(公告)号：CN1272682A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN00108219.1
申请日：2000-04-30
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/76259 , Y10S438/96
摘要： 为了在分离层中的固定位置处引起裂纹,一种分离合成件的方法包括步骤:在合成件内部形成一个分离层;在分离层内部形成一个其中平面应力已经集中产生到不会由平面应力引起分离的程度的应力上升层;及增大平面应力以在应力上升层中引起裂纹,由此分离合成件。
-
公开(公告)号：CN1058354C
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN96111711.7
申请日：1996-07-12
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76256 , H01L21/0203 , H01L21/76243
摘要： 半导体部件的制造方法，包括以下步骤，提供硅制成的第1衬底，对衬底硅多孔化，使第1衬底上有多孔硅层，在多孔硅层上外延生长无孔单晶硅层，将第1衬底层叠在第2衬底上，使第1和第2衬底的至少一层叠面有氧化硅层，并使无孔单晶硅层位于层叠的衬底之间，腐蚀除去多孔硅层，其中用腐蚀无孔单晶硅层和氧化硅层各自的腐蚀速率不大于10A/分钟的腐蚀液腐蚀多孔硅层。
-
公开(公告)号：CN1269599A
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：CN00108663.4
申请日：2000-03-27
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/0203 , C25D11/32 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要： 根据本发明的制造半导体部件的方法包括:制备在半导体衬底上具有无孔层的第一部件的第一步骤;从第一部件上将无孔层转移到第二部件上的第二步骤,其中(n－1)(“n”是不小于2的自然数)次使用在第二步骤中无孔层从其上分离下的半导体衬底,作为第一步骤的第一部件的构成材料,重复n次第一和第二步骤,在第n次使用时,在第二步骤,分离该半导体衬底,分离的半导体衬底用于除第一和第二步骤外的应用。
-
公开(公告)号：CN1259758A
公开(公告)日：2000-07-12
申请号：CN99127826.7
申请日：1999-12-03
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/76259 , Y10S117/913
摘要： 一种具有优越的大规模生产性和再现性的半导体晶片的制造工艺。工艺包括以下步骤:制备在半导体衬底上有单晶半导体层的第一部件,分离层设置其间,半导体晶片作为原材料;穿过分离层分离单晶半导体层之后,将单晶半导体层转移到包括半导体晶片的第二部件上;转移步骤之后,平滑半导体衬底的表面,由此将半导体衬底用做除形成所述第一和第二部件用途之外的半导体晶片。
-
公开(公告)号：CN1258093A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99123443.X
申请日：1999-11-05
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01L21/67173 , H01L21/67092 , H01L21/67745
摘要： 一种适合用来制造SOI衬底的处理系统,包括一个翻转设备(6130)、对中设备(6120)、清洗/干燥设备(6110)、装料器(6070)、卸料器(6080、6090、6100)和分割设备(6020)。该处理系统还具有一个传送装置,后者在一水平面内沿着一个水平驱动轴(6160)直线移动一个机械手(6152),并使之绕一旋转轴(6151)旋转,从而使所述机械手(6152)移近或远离所述旋转轴(6151),从而完成接合衬底叠层组(50)或者分割形成的衬底在所述系列处理设备之间的传送。
-
公开(公告)号：CN1239316A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN99104710.9
申请日：1999-04-01
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/76259 , Y10T83/364 , Y10T156/1374 , Y10T156/17 , Y10T156/1922 , Y10T156/1928
摘要： 本发明是为了防止衬底在被传送到分离装置和从分离装置接收时发生跌落。衬底固定部分(22，23)的支持表面被水平放置，而待要分离的衬底(21)在水平状态下被安装在一个衬底固定部分(22)上(2A)。衬底固定部件(22，23)分别绕转轴(26，27)旋转，使衬底固定部分(22，23)的支持表面垂直，致使衬底(21)被衬底固定部分(22，23)夹在中间(2B)。
-
公开(公告)号：CN1223463A
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：CN98125516.7
申请日：1998-12-25
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/302 , H01L21/304 , C23F1/24 , B08B3/12
CPC分类号： H01L21/67086 , C25D11/32 , H01L21/2007 , H01L21/30604 , H01L21/6708 , H01L21/76256
摘要： 本方法可保证去除多孔层后的底层平整度。第一步,把预处理液(如水)注入多孔层;第二步,用腐蚀剂(如氢氟酸)代替填充多孔层的预处理液,并用腐蚀剂腐蚀多孔层。通过这种方法,可以缩短将腐蚀剂注入多孔层的时间,从而减小了腐蚀进展的差别。
-
公开(公告)号：CN1221207A
公开(公告)日：1999-06-30
申请号：CN98126345.3
申请日：1998-12-25
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/0203 , C25D11/32 , H01L21/2007 , H01L21/76259 , Y10S438/96 , Y10S438/977
摘要： 补底处理方法,能够在除去多孔硅时得到满意的腐蚀。包括在电解溶液中阳极氧化单晶硅衬底在单晶硅衬底的主表面上形成多孔硅层,在多孔硅层上生长单晶硅膜,将氧化单晶硅膜表面得到的第一衬底粘接到第二衬底上作为支撑衬底,从第一衬底的下表面侧除去单晶硅部分露出多孔硅层,除去多孔硅层,在氧化步骤之后进行清洗,从电解溶液中除去第一衬底并暴露到空气直到进行清洗的时间限制在防止在腐蚀步骤中多孔硅层留在单晶硅膜上的范围内。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
107 条记录 (耗时 0.031 秒)