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公开(公告)号：CN1228691C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN02106134.3
申请日：2002-04-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林本坚
Abstract: 本发明公开了一种光罩平放装置及用该装置来改善叠加光刻的方法，在第一实施例中，光罩平放装置同时容置两并排的两光罩，并排后长边沿着扫描方向，因此，第一次照光后，晶圆的相邻像场被使用以不同的光罩照光，在第二次照光时，再将每一像场补以另一光罩照光，而达到每一像场皆使用两个光罩照光的效果；在第二实施例中，光罩平放装置并排的两光罩是长边垂直扫描方向，因此，第一次照光后，晶圆的相邻像场以同一光罩照光，在第二次照光时，再将每一像场补以另一光罩照光，而达到每一像场皆使用两个光罩照光的效果。
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公开(公告)号：CN1223904C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02106272.2
申请日：2002-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种消除微影制程中线末端变短效应的方法，其步骤为：(1)曝光此感光层于第一罩幕下，其中将感光层所欲形成的图案上的每一条线或开口的末端往外延伸一第一延长部分所形成的图案，即为第一罩幕的图案；(2)曝光此感光层于第二罩幕下，其中第二罩幕的图案包含至少一开口，且当第一、第二罩幕重叠时，第一罩幕上的任一个第一延长部分以及此第一延长部分往外延伸的一第二延长部分刚好与第二罩幕的图案上的一个开口重叠，而第二罩幕的图案上的所有开口刚好只将第一罩幕上的所有第一延长部分以及第二延长部分覆盖住。所述第一延长部分以及第二延长部分的长度大于或等于感光层上的欲形成图案上的线或开口的末端因为光学近接效应所缩短的量。
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公开(公告)号：CN1655061A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410056848.2
申请日：2004-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种浸润式光刻系统及对具有光阻层的半导体结构的照光方法。该光刻系统由一个光学表面、一个与光学表面的一部分接触且pH值小于7的浸润流体、以及一个上表面形成有光阻层的半导体结构所构成，其中该光阻层的部分表面与浸润流体接触。此外，本发明还提供一种对上表面形成有光阻层的半导体结构的照光方法，包括以下步骤：首先，在光学元件和光阻层之间注入pH值小于7的浸润流体；接着，使光线穿过浸润流体照射到光阻层上，其中该光线的波长以小于450纳米为佳。本发明提供的光刻系统和照光方法，不仅提高了分辨率，还能避免浸润流体污染光阻层或光学透镜。
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公开(公告)号：CN1448786A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN02106111.4
申请日：2002-04-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林本坚
Abstract: 本发明公开了一种可装设数块光罩的光罩支架及微影曝光系统。一种可装设数块光罩的光罩支架，具有复数个窗口，可装设复数个光罩，以进行微影曝光程序，并在晶圆上定义由这些光罩所组合成的曝光结合区域，其中在每一个光罩的侧边上具有微调装置，可在装设光罩于窗口中时，调整光罩的位置与角度，而使复数个光罩彼此间完全的平行。如此，在使用微影曝光系统时，可移动可装设数块光罩的光罩支架，将要进行曝光的光罩移动至曝光光源下方，以进行微影曝光程序而在晶圆表面，形成由这些光罩任意组合的图案。
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公开(公告)号：CN116224715A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310028733.5
申请日：2023-01-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法，制造半导体装置的方法包括以下步骤：在基板上形成光阻剂层，将光阻剂层选择性地曝露于EUV辐射，及显影选择性地曝光的光阻剂层。光阻剂层的组成物包括溶剂及光敏化合物，该光敏化合物溶解于溶剂且由结合六聚体锡及两个氯配体的分子簇化合物组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103383912B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310347541.7
申请日：2011-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F1/42
CPC classification number: H01L23/544 , G03F1/42 , G03F9/7076 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种具有多个亚分辨率元件的对准标记。每个亚分辨率元件具有小于能被对准工艺中的对准信号检测到的最小分辨率的尺寸。也提供了一种其上具有第一、第二和第三图案的半导体晶圆。第一和第二图案在第一方向上延伸，以及第三图案在垂直于第一方向的第二方向上延伸。通过在第二方向上测量的第一距离将第二图案与第一图案分离。通过在第一方向上测量的第二距离将第三图案与所第一图案分离。通过在第一方向上测量的第三距离将第三图案与第二图案分离。第一距离约等于第三距离。第二距离小于第一距离的两倍。本发明同样涉及了一种多边缘的图案化。
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公开(公告)号：CN105278257A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510312208.1
申请日：2015-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01J37/3174 , H01J2237/31761 , H01J2237/31769 , H01L21/0277
Abstract: 本发明提供了IC方法的一个实施例。首先接收IC设计布局的多个模板的图案密度(PD)。然后从多个模板中识别高PD离群值模板和低PD离群值模板。将高PD离群值模板分离为模板的多个子集，并且模板的每个子集携带高PD离群值模板的PD的部分。对低PD离群值模板实施PD均匀性(PDU)优化以及通过使用相应的模板的子集实施多个单独的曝光工艺。本发明涉及制造集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN103165417B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210199482.9
申请日：2012-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033 , G03F9/00
CPC classification number: G03F7/70633 , H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法。一种示例性方法包括通过第一曝光在第一层中形成第一结构，以及确定第一结构的布置信息。所述方法进一步包括通过第二曝光在位于第一层上方的第二层中形成第二结构，以及确定第二结构的布置信息。所述方法进一步包括通过第三曝光在位于第二层上方的第三层中形成包括第一和第二子结构的第三结构。形成第三结构包括独立地将第一子结构与第一结构对准以及独立地将第二子结构与第二结构对准。本发明还公开了多层图案化覆盖拆分方法。
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公开(公告)号：CN102736438B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201210073223.1
申请日：2012-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/20 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/2059 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , Y10S430/143
Abstract: 公开了用于改善产量的电子束光刻方法和装置。示例性光刻方法包括：接收具有图案布局尺寸的图案布局；缩小图案布局尺寸；以及材料层按缩小的图案布局尺寸过度曝光，从而在材料层上形成具有图案布局尺寸的图案布局。
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公开(公告)号：CN102420215B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110294592.9
申请日：2011-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/308
CPC classification number: H01L23/544 , G03F1/42 , G03F9/7076 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种具有多个亚分辨率元件的对准标记。每个亚分辨率元件具有小于能被对准工艺中的对准信号检测到的最小分辨率的尺寸。也提供了一种其上具有第一、第二和第三图案的半导体晶圆。第一和第二图案在第一方向上延伸，以及第三图案在垂直于第一方向的第二方向上延伸。通过在第二方向上测量的第一距离将第二图案与第一图案分离。通过在第一方向上测量的第二距离将第三图案与所第一图案分离。通过在第一方向上测量的第三距离将第三图案与第二图案分离。第一距离约等于第三距离。第二距离小于第一距离的两倍。本发明同样涉及了一种多边缘的图案化。
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