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公开(公告)号：CN109314156A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037125.3
申请日：2017-06-14
发明人： 吴政勋
摘要： 在实施例中公开一种半导体器件，包括：衬底；第一和第二半导体层，其被排列在衬底上并且具有不同的导电类型；第三半导体层，其被排列在第一半导体层和第二半导体层之间；第一电极，其被排列在第一半导体层上以便被电连接到第一半导体层；第二电极，其被排列在第二半导体层上以便被电连接到第二半导体层；以及第一绝缘层，其在暴露的第一、第二和第三半导体层上被排列在第一电极和第二电极之间，其中在第一电极的两个端部之中的靠近第二电极的第一端部和/或作为第二电极的两个端部的第二端部具有电场分散部。
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公开(公告)号：CN109166847A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810980789.X
申请日：2018-08-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/62
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/005 , H01L33/36 , H01L33/62
摘要： 本公开涉及一种柔性电子器件及其制造方法。该柔性电子器件包括柔性基底、金属互联结构及芯片，柔性基底的表面上具有多个基座以及在多个基座之间的连接部；金属互联结构包括处于多个基座上的底电极、处于柔性基底的表面上的互联电极以及处于连接部上的导电层；芯片贴合在底电极上，芯片和底电极分别通过导线连接到互联电极，柔性基底、多个基座以及连接部是液态的柔性材料在半导体模具上固化成型的。本公开实施例提供的柔性电子器件的制造方法，能够实现柔性电子器件制造过程中的应变隔离，提高柔性电子器件的可延展性。
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公开(公告)号：CN109148506A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810972545.7
申请日：2018-08-24
申请人： 上海天马微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/36 , H01L2224/8322 , H01L2224/83234 , H01L2224/83871 , H01L2224/95001 , H01L2933/0066 , H01L27/156
摘要： 本申请公开一种Micro LED转移方法及Micro LED显示面板和Micro LED显示装置，所述Micro LED显示面板包括衬底基板、像素定义层，像素定义层包括开口，位于开口内层叠设置的第一导电层、光敏导电键合层和Micro LED结构。所述光敏导电键合层具有光照后固化，使得粘接在光敏导电键合层相对两个表面的结构能够键合在一起，由于光敏导电键合层的存在，能够在Micro LED转移过程中实现Micro LED的检测，而不是在键合完成后，再进行后续检测，从而节省了去除已经键合的不正常显示Micro LED的步骤，使得Micro LED检测和修复工艺简单化。
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公开(公告)号：CN109037407A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810874009.3
申请日：2018-08-03
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/36
摘要： 本发明公开了一半导体发光芯片及其制造方法，其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组，其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧，另一个所述绝缘层环绕在所述反射层的外侧，并且所述绝缘层隔离所述防扩散层和所述P型半导体层，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层。
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公开(公告)号：CN108987546A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810781829.8
申请日：2014-09-24
申请人： 首尔伟傲世有限公司
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/08 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L2224/11 , H01L2933/0016
摘要： 在此公开了一种发光二极管、一种发光二极管模块和一种制造发光二极管的方法。所述发光二极管包括：第一导电型半导体层；台阶，设置在第一导电型半导体层上，并且包括活性层和第二导电型半导体层；第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触；第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触；下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并且具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；以及电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并且具有暴露第二开口部分的第三开口部分。
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公开(公告)号：CN108780828A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780015428.5
申请日：2017-01-04
申请人： LG伊诺特有限公司
发明人： 成演准
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/36 , H01L33/40 , H01L33/38 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 一个实施例包括：半导体衬底；图案层，设置在所述半导体衬底上并且包括彼此分离的多个图案；氮化物半导体层，设置在所述图案层上；以及半导体结构，设置在所述氮化物半导体层上并且包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中所述图案层的热导率高于所述半导体衬底的热导率和所述半导体结构的热导率。
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公开(公告)号：CN108550667A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810420831.2
申请日：2018-05-04
申请人： 天津三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/005 , H01L33/36 , H01L33/48 , H01L33/52
摘要： 本发明公开了一种微型发光元件及其制作方法，利用临时衬底对砷化镓、磷化镓衬底制作的微型发光元件的外延结构进行转移，去除外延生长衬底后，再进行后续的微型发光元件的制备工艺，相对于传统的外延结构制备芯片结构的工艺，能够有效避免湿法腐蚀去除生长衬底时对外延侧面的腐蚀。
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公开(公告)号：CN104465942B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201410495832.5
申请日：2014-09-24
申请人： 首尔伟傲世有限公司
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/08 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L2224/11 , H01L2933/0016
摘要： 在此公开了一种发光二极管、一种发光二极管模块和一种制造发光二极管的方法。所述发光二极管包括：第一导电型半导体层；台阶，设置在第一导电型半导体层上，并且包括活性层和第二导电型半导体层；第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触；第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触；下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并且具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；以及电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并且具有暴露第二开口部分的第三开口部分。
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公开(公告)号：CN104040734B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201380005153.9
申请日：2013-01-03
申请人： 亮锐控股有限公司
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/36
摘要： 粗糙化发光设备的表面以提高表面的光提取效率，但是选择粗糙化区域的大小以实现所期望水平的光提取效率。光刻技术可以用来创建掩模，其将粗糙化限于发光表面的选择区域。因为粗糙化区域的大小可以被精确地控制，所以光提取效率可以被精确地控制，其基本上独立于用来粗糙化表面的特定过程。此外，表面的选择性粗糙化可以用来获得所期望的光发射输出图案。
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公开(公告)号：CN108258095A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810048297.7
申请日：2018-01-18
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/36
摘要： 本申请公开了一种LED芯片电极及其制作方法和LED芯片，制作方法包括：提供GaN晶片并在GaN晶片上制作光刻胶；蒸镀Cr金属层；在Cr金属层表面蒸镀Al金属层，蒸镀温度为20℃至50℃；在Al金属层表面蒸镀Ti金属层，蒸镀温度为20℃至50℃；在Ti金属层表面蒸镀Pt金属层，蒸镀温度为20℃至80℃；重复Ti金属层和Pt金属层的蒸镀，周期个数为1至3，Ti金属层的蒸镀镀率小于Al金属层的蒸镀镀率，Pt金属层的蒸镀镀率大于Al金属层的蒸镀镀率，使与Al金属层直接接触的Ti金属层将Al金属层的外表面完全包覆；在最后一个Ti金属层/Pt金属层周期的Pt金属层表面蒸镀Au金属层。
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