发光装置
    104.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101752355A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910224958.8

    申请日:2009-11-26

    Inventor: 川崎修 幡俊雄

    Abstract: 实现一种能够容易地制作、且光向发光装置的外部的输出效率高的发光装置。本发明的发光装置具有:绝缘性的基部;载置于所述基板的一方侧的发光元件;载置于基部的与所述发光元件相同之侧而保护发光元件保护元件,其中,保护元件由对光进行反射的含填料树脂覆盖,含填料树脂是使硬化前具有软性的透明硅树脂中含有具有光反射性或光散射性的填料,该填料具有比发光元件发出的光的波长大的粒径。由此,从发光元件出射的光被含填料树脂反射,就没有被保护元件吸收,而是向发光装置的外部放出,从而发光装置能够高效率向外部输出光。再有,可以容易地形成期望的形状和配置。

    表面安装型发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:CN101252165A

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200810074071.0

    申请日:2008-02-21

    CPC classification number: H01L2224/48091 H01L2924/00014

    Abstract: 本发明提供一种散热性、可靠性和生产性优异的表面安装型发光二极管。该表面安装型发光二极管(10)具有绝缘性的基底部件(2)、背面接合固定在基底部件(2)上的半导体发光元件(1)、按照包围半导体发光元件(1)的方式在基底部件(2)上隔着热传导性接合片(4)而接合的金属制的反射体(5)。从半导体发光元件(1)产生的热通过基底部件(2)和热传导性接合片(4)向反射体(5)传导,从反射体(5)向外部散热。反射体(5)是金属制,所以能把从半导体发光元件(1)产生的热高效向外部散热。在反射体(5)设置切削部,如果沿着该切削部切割,就能容易切割,所以不会降低成品率,能提高生产性。

    氮化物半导体发光二极管芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN1314135C

    公开(公告)日:2007-05-02

    申请号:CN200410089759.8

    申请日:2004-11-05

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/0095

    Abstract: 提供了一种氮化物半导体发光二极管芯片,包括:一透明衬底(101)以及在所述衬底的上表面上形成的一氮化物半导体叠层结构(102-106),所述氮化物半导体叠层结构包括一发光层(104)和多个其他半导体层,所述衬底(101)具有任意结晶主表面并且厚度大于120μm,由此提供从所述芯片提取光的改善的效率。所述芯片的至少一个分割平面相对于和所述衬底的主表面垂直的一平面呈角度,并且所述衬底的下表面的面积比所述氮化物半导体叠层结构的上部区域小,由此进一步改善从所述芯片提取光的效率。

    半导体发光器件、其结构单元及制造方法

    公开(公告)号:CN1925177A

    公开(公告)日:2007-03-07

    申请号:CN200510099629.7

    申请日:2005-08-30

    Inventor: 幡俊雄

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/32

    Abstract: 一种氮化物基化合物半导体发光器件,包括:第一导电衬底(11);形成在所述第一导电衬底(11)上的第一欧姆电极(12);形成在所述第一欧姆电极(12)上的键合金属层(20);形成在所述键合金属层(20)上的第二欧姆电极(13);以及形成在所述第二欧姆电极(13)上的氮化物基化合物半导体层(30)。所述氮化物基化合物半导体层(30)包括至少一P型层(31)、发光层(32)和N型层(33),且具有凹槽部分(50)或凹面形部分。

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