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公开(公告)号:CN102044196A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN201010518309.1
申请日:2010-10-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09F9/33 , H01L25/0753 , H01L33/58 , H01L2224/48247
Abstract: 本发明的一个实施方式的显示装置具备:具有表面贴装用的外部端子的表面贴装型发光装置;贴装有所述表面贴装型发光装置的布线基板;与所述表面贴装型发光装置对向配置的透镜部;围绕所述透镜部所配置的框体部。
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公开(公告)号:CN101997075A
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN201010246787.1
申请日:2010-08-04
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/486 , B29C45/0025 , B29C45/14336 , B29C2045/0036 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2933/0033 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法。发光装置(1)包括:发光二极管芯片(2);第一引线端子(10),其形成有包括发光二极管芯片(2)的安装区域的底部(13),并且连续地形成有与底部(13)相连的侧壁(14),该侧壁(14)的内表面成为从发光二极管芯片(2)射出的光的反射面。发光装置(1)还包括:第二引线端子(20),其与第一引线端子(10)相隔离。另外,发光装置(1)还包括:树脂部(3),其支承第一引线端子(10)以及第二引线端子(20),并形成有使第二引线端子(20)的一部分以及第一引线端子(10)的安装区域露出的腔体(6)。
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公开(公告)号:CN101944565A
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:CN201010218429.X
申请日:2010-06-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L25/167 , H01L33/508 , H01L33/60 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2924/09701 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 发光装置具备有基板、装载于基板的正面侧的LED芯片、与LED芯片并联连接的印刷电阻元件,且印刷电阻元件形成于基板的正面侧、背面侧、内部的其中至少一者。由此来提供能够抑制从LED射向外部的光被遮挡/吸收,且不会导致光输出的下降,并能够得到良好亮度的出射光的发光装置以及发光装置的制造方法。
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公开(公告)号:CN101752355A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200910224958.8
申请日:2009-11-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L25/167 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2924/13091 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 实现一种能够容易地制作、且光向发光装置的外部的输出效率高的发光装置。本发明的发光装置具有:绝缘性的基部;载置于所述基板的一方侧的发光元件;载置于基部的与所述发光元件相同之侧而保护发光元件保护元件,其中,保护元件由对光进行反射的含填料树脂覆盖,含填料树脂是使硬化前具有软性的透明硅树脂中含有具有光反射性或光散射性的填料,该填料具有比发光元件发出的光的波长大的粒径。由此,从发光元件出射的光被含填料树脂反射,就没有被保护元件吸收,而是向发光装置的外部放出,从而发光装置能够高效率向外部输出光。再有,可以容易地形成期望的形状和配置。
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公开(公告)号:CN100583474C
公开(公告)日:2010-01-20
申请号:CN200710143725.6
申请日:2007-08-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B29C45/02 , B29C45/14655 , B29K2995/0018 , B41F15/12 , B41F15/40 , H01L33/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2933/0041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种注入装置,其具有用于抑制荧光体含有材料M中所包含的混合物在荧光体含有材料M中混合比的偏差的荧光体含有材料温度控制部、荧光体含有材料搅拌部、荧光体含有材料余量传感器和荧光体含有材料注入量调节部。因此,能够将荧光体含有材料均匀地涂布在半导体发光元件上。
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公开(公告)号:CN101266968A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200810083376.8
申请日:2008-03-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L23/498 , H01L21/31 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L33/502 , F21K9/00 , F21K9/20 , F21K9/232 , F21V23/002 , F21Y2101/00 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L24/45 , H01L25/0753 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01087 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种发光装置(1),该发光装置包括绝缘衬底(3,32)和形成在绝缘衬底(3,32)上的发光单元(2),发光单元(2)包括:在绝缘衬底(3,32)上相互平行设置的多个线性布线图案(4);安装在所述布线图案(4)之间同时电连接到布线图案(4)的多个发光元件(5);和用于密封所述发光元件(5)的密封件(6,22,33,42,52)。通过利用该发光装置和制造该装置的方法,能够提供一种能够实现足够的电绝缘并且具有简单的制造过程的发光装置,从而使其以较低的成本制造,还能够提供制造该种发光装置的方法。
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公开(公告)号:CN101252165A
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200810074071.0
申请日:2008-02-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种散热性、可靠性和生产性优异的表面安装型发光二极管。该表面安装型发光二极管(10)具有绝缘性的基底部件(2)、背面接合固定在基底部件(2)上的半导体发光元件(1)、按照包围半导体发光元件(1)的方式在基底部件(2)上隔着热传导性接合片(4)而接合的金属制的反射体(5)。从半导体发光元件(1)产生的热通过基底部件(2)和热传导性接合片(4)向反射体(5)传导,从反射体(5)向外部散热。反射体(5)是金属制,所以能把从半导体发光元件(1)产生的热高效向外部散热。在反射体(5)设置切削部,如果沿着该切削部切割,就能容易切割,所以不会降低成品率,能提高生产性。
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公开(公告)号:CN1314135C
公开(公告)日:2007-05-02
申请号:CN200410089759.8
申请日:2004-11-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0095
Abstract: 提供了一种氮化物半导体发光二极管芯片,包括:一透明衬底(101)以及在所述衬底的上表面上形成的一氮化物半导体叠层结构(102-106),所述氮化物半导体叠层结构包括一发光层(104)和多个其他半导体层,所述衬底(101)具有任意结晶主表面并且厚度大于120μm,由此提供从所述芯片提取光的改善的效率。所述芯片的至少一个分割平面相对于和所述衬底的主表面垂直的一平面呈角度,并且所述衬底的下表面的面积比所述氮化物半导体叠层结构的上部区域小,由此进一步改善从所述芯片提取光的效率。
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公开(公告)号:CN1925177A
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN200510099629.7
申请日:2005-08-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 幡俊雄
Abstract: 一种氮化物基化合物半导体发光器件,包括:第一导电衬底(11);形成在所述第一导电衬底(11)上的第一欧姆电极(12);形成在所述第一欧姆电极(12)上的键合金属层(20);形成在所述键合金属层(20)上的第二欧姆电极(13);以及形成在所述第二欧姆电极(13)上的氮化物基化合物半导体层(30)。所述氮化物基化合物半导体层(30)包括至少一P型层(31)、发光层(32)和N型层(33),且具有凹槽部分(50)或凹面形部分。
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公开(公告)号:CN1862845A
公开(公告)日:2006-11-15
申请号:CN200610080349.6
申请日:2006-05-11
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2924/01078 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光元件安装框和发光装置。在本发明的发光装置中,银合金层(1a、2a、13)形成于其上安装发光元件(4)的框架(1、2、3)的表面的至少一部分上。因为该结构,可以提供具有改善的抗蚀性等和将发射自发光元件的光高效地提取到外部的发光元件安装框架和发光装置。
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