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公开(公告)号：CN103852951A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410055784.8
申请日：2014-02-19
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法，包括以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术在单晶硅衬底或者石英衬底制备非晶硅/二氧化硅交替的多层薄膜，非晶硅/二氧化硅的层数一般为4-16层，通过控制非晶硅的生长时间及原位等离子氧化时间来控制非晶硅子层和二氧化硅子层的厚度；控制非晶硅子层和二氧化硅子层厚度，随后形成纳米硅量子点时获得尺寸和密度不同的材料；2）对非晶硅/二氧化硅多层薄膜进行热退火处理。本发明可以在较大范围增强非线性光学系数，还可以调控其非线性光学性能。
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公开(公告)号：CN103633212A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310524210.6
申请日：2013-10-30
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/105 , H01L33/0058 , H01L33/60 , H01L2933/0058
Abstract: 一种硅基金属微腔电致发光器件，自上至下为半透明金属反射镜，有源层，ITO电极，2-8个周期底部DBR、每周期厚度为共振光波长的二分之一，金属薄膜，石英基底；以SiC材料作为有源层，厚度为共振波长的1/2，半透明金属反射镜作为微腔的一面反射镜和出光面。制备方法的步骤：利用等离子体增强化学气相沉积技术，在用硅烷和甲烷作为反应起源，在石英衬底上交替生长具有两种不同组分的SiC薄膜，构成全SiC材料的DBR结构；这两种组分的SiC薄膜淀积时的流量比R=CH4/SiH4分别是1和10；在DBR结构上制备有源层，仍采用流量比R=10的SiC薄膜。本发明采用较少周期的DBR达到同样反射效果，增强方法的可操作性，重复性。
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公开(公告)号：CN103275703A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310162355.6
申请日：2013-05-06
Applicant: 南京大学
IPC: C09K11/59
Abstract: 利用铋离子注入非晶硅基功能薄膜实现硅基材料近红外光发射的方法，包含以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术制备非晶硅基薄膜；2）铋离子注入非晶硅基薄膜，铋离子注入时，衬底的温度为室温，注入能量为200±50KeV，铋离子注入剂量范围从1×1012/cm2到1×1014/cm2；经过以上两个步骤就可以制备不同剂量铋离子注入的非晶硅氮氧薄膜或非晶富硅二氧化硅薄膜。本发明利用平板电容型射频等离子体增强化学气相淀积（PECVD）技术和离子注入技术在非晶硅基薄膜中注入不同剂量的铋离子。成功观测到稳定、高效的1157nm处稳定高效的近红外光致发光。
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公开(公告)号：CN103078031A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310025873.3
申请日：2013-01-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管,同时还涉及其制备方法，属于纳米光电子器件材料技术领域。该二极管包括P型硅基底，P型硅基底上的纳米银圆环；沉积在纳米银圆环覆盖P型硅基底的掺氧a-SiNx:O薄膜发光有源层；掺氧a-SiNx:H发光有源层上蒸发金属电极,留出窗口。本发明使发光有源层和纳米金属圆环的有机结合，可以切实实现硅基局域表面等离激元增强的可控波长的发光二极管的制备。
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公开(公告)号：CN103000742A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210514093.0
申请日：2012-12-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p-i-n电池结构；并在表面引出电极构成电池。p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101808032B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010118584.4
申请日：2010-03-04
Applicant: 南京大学 , 中国电子科技集团公司第十四研究所
IPC: H04L12/56
Abstract: 本发明公开了一种面向静态XY路由算法的二维网格片上网络路由器优化设计方法，该方法分别对路由器的输入和输出通道进行优化设计，并根据路由器在网格中的不同位置，对其进行异构设计。在输入通道中，由于静态XY路由算法中南、北方向的输入通道不向东、西方向的输出通道发出请求，且任一输入通道都不产生回传请求，因此对各输入通道中的路由逻辑分别进行简化。在输出通道中，东、西方向输出通道只需处理2个输入通道的请求，而其余通道也只需处理4个输入请求。对于二维网格结构的NoC，位于网格边缘和拐角的路由器分别只需4对和3对输入、输出通道。本发明可以有效提高片上网络路由器的最大工作频率，减小其硬件开销，有着良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN102495721A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110393712.0
申请日：2011-12-02
Applicant: 南京大学
IPC: G06F9/34
Abstract: 本发明公开了一种支持FFT加速的SIMD向量处理器。包括控制单元、计算单元、存储子系统、存储交织单元和地址产生单元：计算单元支持各种向量运算的快速处理；存储器子系统包括三个存储器组，每个存储器组包括四个存储体且存储器组内的单个存储体的位宽为一个复数字，支持4路数据并行的复数向量运算和8路数据并行的实数向量运算；计算单元、地址产生单元和存储交织单元均与控制单元连接；地址产生单元产生所需的操作数地址序列、系数地址序列、结果地址序列；存储交织单元与地址产生单元和计算单元连接，并实现存储体的地址映射。本发明对FFT/IFFT运算的加速效率和专用硬件加速器相当，却避免了使用专用硬件加速器所带来的巨大的额外开销，适用于具有大量长向量运算的实时信号处理系统中。
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公开(公告)号：CN101227298B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810019017.6
申请日：2008-01-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于片上网络的路由器功耗模型，它将路由器操作根据功耗比重简化为写缓存、读缓存、横跨开关和横跨链路四个功耗环节，并且将动态功耗归因于当前数据片到来时触发的位反转活动，通过位反转活动来统计功耗，得到的路由器功耗模型。考虑到片上网络环境要求功耗模型的实现复杂度尽可能低，本发明可采用统计平均值取代瞬时采样值，得到功耗简化模型。针对五通道路由器结构给出了两种功耗模型的硬件实现方法，并且将简化模型引入到自适应路由算法中，实现了片上网络的功耗分布优化。本发明提出的路由器功耗模型，算法复杂度低，实现简单，适合于片上网络，可以用于片上网络的功耗性能统计、功耗分布优化、热保护等方面的研究和应用。
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公开(公告)号：CN100569631C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810024440.5
申请日：2008-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀绝热绝缘材料、去除蒸镀层表皮各步骤，形成相互绝热、绝缘的纳米相变材料阵列。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，获得高密度、高均匀度的锗锑碲和硅锑碲纳米点阵，使得相变材料的有源区的尺寸达到几十纳米甚至几纳米，有助于大大降低材料发生相变所需的电压和功耗，使硫系化合物纳米相变材料走出实验室，切实实现产业化。
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公开(公告)号：CN100544212C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610037918.9
申请日：2006-01-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高速的减少存储需求的低密度校验码解码器，它包含参数结点计算单元VPU模块、校验结点计算单元CPU模块和控制逻辑模块；VPU模块接收待解码序列，存储该原始信息并开始迭代解码，在迭代解码过程中，CPU模块与VPU模块相互传递信息，各自进行行操作和列操作，并由CPU存储校验操作结果；控制逻辑模块对VPU模块和CPU模块的循环操作进行控制，并输出解码得到的合法码字。本发明针对移位LDPC码，充分利用最小和解码算法来降低存储需求以及高度并行来提高解码速率，节省了消息存储需求，达到了更快的解码速度和更高的吞吐率。
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