公开(公告)号：CN100569631C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200810024440.5

申请日：2008-03-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  戴明 ,  甘新慧 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  李卫 ,  李伟 ,  赵伟明 ,  孙萍 ,  陈坤基

IPC: B82B3/00 ,  C23F1/12 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀绝热绝缘材料、去除蒸镀层表皮各步骤，形成相互绝热、绝缘的纳米相变材料阵列。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，获得高密度、高均匀度的锗锑碲和硅锑碲纳米点阵，使得相变材料的有源区的尺寸达到几十纳米甚至几纳米，有助于大大降低材料发生相变所需的电压和功耗，使硫系化合物纳米相变材料走出实验室，切实实现产业化。

公开(公告)号：CN100544212C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200610037918.9

申请日：2006-01-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 高明伦 ,  沙金 ,  李丽 ,  张仲金 ,  李伟 ,  何书专

IPC: H03M13/11 ,  H03M13/00

Abstract: 本发明公开了一种高速的减少存储需求的低密度校验码解码器，它包含参数结点计算单元VPU模块、校验结点计算单元CPU模块和控制逻辑模块；VPU模块接收待解码序列，存储该原始信息并开始迭代解码，在迭代解码过程中，CPU模块与VPU模块相互传递信息，各自进行行操作和列操作，并由CPU存储校验操作结果；控制逻辑模块对VPU模块和CPU模块的循环操作进行控制，并输出解码得到的合法码字。本发明针对移位LDPC码，充分利用最小和解码算法来降低存储需求以及高度并行来提高解码速率，节省了消息存储需求，达到了更快的解码速度和更高的吞吐率。

公开(公告)号：CN101477967A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910029174.X

申请日：2009-01-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  刘东 ,  廖远宝 ,  戴明 ,  杨菲 ,  刘文强 ,  吴良才 ,  陈坤基 ,  李伟

IPC: H01L21/822 ,  B82B3/00 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。本发明采用纳米阵列的相变材料作为存储信息的载体，通过在电极与相变材料之间导入合适的介质层，提高了相变有源区的热效率，使得存储器件的操作电流与功耗得到有效降低，并且工艺简单、成本低廉，从而为制造出适合PCRAM的商用化存储器奠定了基础。

公开(公告)号：CN100462952C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200710019710.9

申请日：2007-02-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 高明伦 ,  许盛 ,  李伟 ,  李丽 ,  娄孝祥 ,  何书专

IPC: G06F13/38

Abstract: 本发明公开了一种接口可配置的USB控制器，包含USB标准收发单元接口控制模块、端点(ENDPOINT)控制逻辑模块、控制状态机模块、可配置位宽的接口控制模块；USB标准收发单元接口控制模块接收从主机传来的数据包，并进行解析，在控制状态机模块的控制下将数据分发到各端点控制逻辑模块，并且通过接口控制模块与微处理器和FIFO(先进先出单元)进行通讯。本发明符合USB2.0规范要求，支持高达480Mbps的传输速率，它提供了可配置的微处理器接口和先进先出(FIFO)接口，能够以IP核的形式方便地与多种微控制器核相连接集成，并且也易于集成在AMBATM、VCITM、OCPTM等多种片上系统(SOC)体系架构中。

公开(公告)号：CN101017751A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710020043.6

申请日：2007-02-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陈坤基 ,  黄信凡 ,  徐岭 ,  李伟 ,  马忠元

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C30B29/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体硅场电子发射材料，同时还涉及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该材料包括沉积在衬底上的氢化非晶硅半导体薄膜，氢化非晶硅半导体薄膜的厚度在4－50纳米，氢化非晶硅半导体薄膜上镶嵌有均匀分布的硅晶粒，硅晶粒的粒径在1－10nm。制备时，经过在衬底上沉积氢化非晶硅半导体薄膜、准分子超短脉冲激光晶化等步骤。本发明通过晶化使得非晶硅半导体薄膜形成纳米尺度的硅晶粒，在薄膜表面形成纳米突起，从而具有低的场发射阈值电场和高的场增强因子。由于与超大规模集成电路工艺相匹配，又可以使用廉价的玻璃衬底，因此对于半导体硅材料在大面积平板场发射显示器件的应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN1966397A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610097955.9

申请日：2006-11-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  徐骏 ,  黄信凡 ,  宋捷 ,  李雪飞 ,  马忠元 ,  徐岭

IPC: B82B3/00 ,  C23C16/513

Abstract: 气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法，首先在等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)系统中衬底硅表面分别进行氩气(Ar)等离子体和氢气(H2)等离子体的预处理，在衬底硅表面形成硅纳米环的成核中心；然后，在PECVD系统中原位周期性交替使用大氢稀释硅烷气体(SiH4+H2)和纯氢气(H2)对成核中心进行硅的生长和刻蚀，形成硅量子环纳米结构。对硅衬底表面预处理，形成纳米环结构的成核中心，其密度必须控制在1～3×108/cm2，为以后环结构的生长提供条件；周期性交替使用大氢稀释硅烷气和氢气进行硅生长和刻蚀的方法是：在每个周期当中，使用大氢稀释硅烷在成核中心进行生长，然后以纯氢气进行硅的刻蚀。重复上述淀积和刻蚀5－50个周期。

公开(公告)号：CN1901344A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610088387.6

申请日：2006-07-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 高明伦 ,  郎君 ,  何书专 ,  陈思远 ,  李丽 ,  李伟 ,  杨盛光

IPC: H02M3/155 ,  H02M3/156 ,  H02M1/08 ,  G05F1/46

Abstract: 本发明公开了一种脉宽调制器的电压基准电路，包括软启动电路、带隙基准电路和小电流充电电路，软启动电路给带隙基准电路提供合适的偏置，并使其顺利启动；带隙基准电路的基准信号VREF0输出端与小电流充电电路连接；小电流充电电路用得到的小电流对较大电容充电，使整个基准电路的输出信号VREF缓慢上升。本发明可以在很大程度上减小甚至完全消除DC/DC脉宽调制器系统上电时输出电压的超调量，并且可以使基准电压的电源抑制比(PSRR)性能大大提高。

公开(公告)号：CN1873923A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610085300.X

申请日：2006-06-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  黄信凡 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  李卫 ,  赵伟明 ,  孙萍

IPC: H01L21/30 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02

Abstract: 本发明涉及一种常温下用硅衬底上的单层CdTe纳米晶体作为掩模版，构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括1)、氧化、刻蚀；2)、铺设单层CdTe纳米晶体模版；3)、反应离子刻蚀；4)、去除模版和漂洗；5)、退火、钝化各步骤，完成高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的构筑。采用本发明的方法后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，在获得均匀分布的高密度纳米硅的同时，可对纳米晶粒表面进行有效钝化，以降低缺陷态密度，因而能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使纳米硅量子点走出实验室，切实实现产业化。

公开(公告)号：CN120046662A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510139595.7

申请日：2025-02-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 李丽 ,  孙从怡 ,  贾博琪 ,  张恒 ,  陶强 ,  项阳 ,  傅玉祥 ,  李伟 ,  何书专

IPC: G06N3/049 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/045 ,  G06N3/063 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种可重构混合神经网络计算方法及装置，属于神经网络技术领域，其技术方案要点是包括，多个顺序设置的脉冲计算单元，每个脉冲计算单元的第一输入包括第一数据和第二数据中的一个，第一数据为待卷积数据的其中一个比特位数据，第二数据为一时间步长的脉冲数据，相邻的上一个脉冲计算单元的输出膜电压作为相邻的下一个脉冲计算单元的第二输入；每个脉冲计算单元响应于当前所有输入的第一数据，得到当前推理结果和输出膜电压；乘累加单元，乘累加单元响应于当前时间步长的第二数据，与每个脉冲计算单元共同基于第一输入和第二输入，得到输出膜电压和输出脉冲，本发明同时支持脉冲神经网络和人工神经网络的计算，且不消耗额外硬件资源。

公开(公告)号：CN119577623B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510119819.8

申请日：2025-01-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 李丽 ,  张恒 ,  李玉龙 ,  陈杨 ,  马璟祎 ,  朱思睿 ,  府依诺 ,  傅玉祥 ,  李伟 ,  何书专

IPC: G06F18/2431 ,  G16H50/20 ,  G06N3/042 ,  G06N5/04 ,  A61B5/374 ,  A61B5/00

Abstract: 本发明公开了一种基于多级复用算法的超轻量化癫痫监测方法及系统，属于卷积神经网络技术领域，其技术方案要点是，获取当前t时刻的脑电波样本数据、t‑kn时刻的脑电波样本推理结果和t‑k时刻的图卷积结果数据，其中每个时刻的脑电波采样长度均为m×k×n，k为采样步长，n、m和k均为正整数；提取t‑kn时刻的脑电波样本推理结果中与当前t时刻采样区间重叠的数据，得到第一数据，提取t‑k时刻的图卷积结果数据中，与当前t时刻采样区间重叠且与t‑kn时刻采样区间不重叠的数据，得到第二数据；根据第一数据和第二数据，得到t时刻的脑电波推理结果，本发明通过复用当前时刻之前的结果数据，减少了平均推理的计算量。