公开(公告)号：CN112151546A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010348098.5

申请日：2020-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎重赞 ,  金志永 ,  金熙中 ,  安泰炫 ,  赵银珠 ,  崔贤根 ,  韩相然

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种半导体存储器件，其包括：堆叠结构，包括垂直地堆叠在衬底上的层，每个层包括在第一方向上延伸的位线和在第二方向上从位线延伸的半导体图案；栅电极，在穿透堆叠结构的孔中，并沿着半导体图案的堆叠延伸；垂直绝缘层，覆盖栅电极并填充孔；以及数据存储元件，电连接到半导体图案。数据存储元件包括第一电极和第二电极，第一电极在垂直绝缘层的第一凹陷中并具有其一端敞开的圆筒形状，第二电极包括在第一电极的圆筒中的第一突起和在垂直绝缘层的第二凹陷中的第二突起。

公开(公告)号：CN103383935B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201310159593.1

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  徐廷宇 ,  韩相然 ,  郑铉雨 ,  金弘来 ,  黄有商

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/498 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

公开(公告)号：CN103383935A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310159593.1

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  徐廷宇 ,  韩相然 ,  郑铉雨 ,  金弘来 ,  黄有商

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/498 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

公开(公告)号：CN115497941A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210485599.7

申请日：2022-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔峻荣 ,  金荣祐 ,  金台勳 ,  韩相然

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域和外围电路区域；导电结构，在单元区域和外围电路区域上，导电结构在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，在外围电路区域上，栅极结构在第一方向上与导电结构间隔开；间隔件，接触栅极结构的侧壁；以及第一覆盖图案，接触导电结构的在第一方向上的端部的侧壁以及间隔件的侧壁，其中，间隔件和第一覆盖图案包括不同的绝缘材料。

公开(公告)号：CN114582869A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111338530.3

申请日：2021-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤根 ,  李基硕 ,  郑承宰 ,  慎重赞 ,  安泰炫 ,  郑文泳 ,  韩相然

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体存储器件包括：位线，在基板上在垂直方向上延伸；晶体管主体部分，包括在第一水平方向上依次布置的第一源极‑漏极区、单晶沟道层和第二源极‑漏极区，并且连接到位线；栅电极层，在垂直于第一水平方向的第二水平方向上延伸；栅极电介质层，在栅电极层和单晶沟道层之间并覆盖单晶沟道层的至少上表面和下表面；以及单元电容器，包括下电极层、电容器电介质层和上电极层，在第一水平方向上在晶体管主体的与位线相反的一侧并且连接到第二源极‑漏极区。

公开(公告)号：CN114203715A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111060160.1

申请日：2021-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎重赞 ,  姜秉茂 ,  韩相然

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种三维(3D)半导体存储器件，其包括：堆叠结构，在半导体衬底上彼此间隔开，其中每个堆叠结构包括交替地堆叠在半导体衬底上的层间绝缘层和半导体图案；导电图案，提供在彼此垂直相邻的层间绝缘层之间，并连接到半导体图案；以及保护结构，在堆叠结构之间覆盖半导体衬底的顶表面，其中保护结构的顶表面位于层间绝缘层中的最下面的层间绝缘层的顶表面和底表面之间。

公开(公告)号：CN112582417A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202010867759.5

申请日：2020-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相昊 ,  金恩娥 ,  李基硕 ,  崔宰福 ,  金根楠 ,  安容奭 ,  全辰桓 ,  韩相然 ,  韩成熙 ,  韩昇煜 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：器件隔离层，限定第一有源区域和第二有源区域；掩埋接触件，连接到第二有源区域；以及第一位线结构和第二位线结构，设置在第一有源区域和第二有源区域上。第一位线结构和第二位线结构中的每个包括位线接触部分和位线通过部分。位线接触部分电连接到第一有源区域。位线通过部分设置在器件隔离层上。掩埋接触件的最低部分的高度比位线通过部分的最低部分的高度小。掩埋接触件的最低部分的高度比位线接触部分的最低部分的高度大。位线通过部分的下端掩埋在第二有源区域中。

公开(公告)号：CN107833872B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201710930511.7

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  徐廷宇 ,  韩相然 ,  郑铉雨 ,  金弘来 ,  黄有商

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

公开(公告)号：CN107833872A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710930511.7

申请日：2013-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  徐廷宇 ,  韩相然 ,  郑铉雨 ,  金弘来 ,  黄有商

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

公开(公告)号：CN214505493U

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202120937988.X

申请日：2021-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤根 ,  金恩知 ,  文钟淏 ,  文泂烈 ,  俞瀚植 ,  李基硕 ,  郑承宰 ,  安泰炫 ,  韩相然 ,  黄有商

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底，包括位线连接区和字线连接区；单元阵列结构，位于第一基底上；第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上。因此，三维半导体存储器装置具有改善的可靠性和增大的集成密度。