公开(公告)号：CN104285301B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380025183.6

申请日：2013-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  日野史郎 ,  古川彰彦 ,  阿部雄次 ,  中田修平 ,  今泉昌之 ,  香川泰宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/8083

Abstract: MOSFET的源极区域(12)包含与源极焊盘的沟道区域邻接的源极延伸区域(12b)、以及配置在源极延伸区域(12b)与源极接触区域(12a)之间且杂质浓度不同于源极延伸区域(12b)以及源极接触区域(12a)的源极电阻控制区域(15a)。这三个区域被串联连接在源极焊盘(41)与阱区域(20)的沟道区域之间。(41)连接的源极接触区域(12a)、与阱区域(20)

公开(公告)号：CN105074921A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480019915.5

申请日：2014-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  今泉昌之 ,  海老原洪平

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于，在终端附近的构件单元中的pn二极管进行动作之前增大整个芯片中流过的电流值，能够实现芯片尺寸的缩小以及由此带来的芯片成本的降低。本发明具备在俯视时夹着地多个第1阱区(30)整体地形成了的第2阱区(31)、在第2阱区内从第2阱区表层向深度方向贯通地形成了的第3间隔区域(23)、以及在第3间隔区域上设置了的第2肖特基电极(75)。

公开(公告)号：CN104737296A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380054265.3

申请日：2013-09-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中梨菜 ,  香川泰宏 ,  日野史郎 ,  三浦成久 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7813

Abstract: 得到缓和栅极绝缘膜的电场强度并且导通电阻低的碳化硅半导体装置。该碳化硅半导体装置具有：n型碳化硅基板(1)；在n型碳化硅基板(1)的上表面形成了的漂移层(2)；在漂移层(2)中形成并且在内部具有栅极绝缘膜(8)与栅极电极(9)的沟槽(7)；与沟槽(7)空出间隔而平行地形成并且比沟槽(7)深的p型高浓度阱区(6)；以及从相比沟槽(7)的底部端而更向上表面侧的、沟槽(7)底部的栅极绝缘膜(8)的膜厚程度的上方位置朝向p型高浓度阱区(6)的下端缓慢变深地形成的p型体区域(4)。

公开(公告)号：CN101946322B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200880126600.5

申请日：2008-02-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一 ,  大塚健一 ,  三浦成久 ,  松野吉德 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了得到在作为半导体元件而驱动的单元部的周围设置的同时实现用于电场弛豫的终端部中的耐电压的稳定性与高温动作时的可靠性的碳化硅半导体装置，在该终端部中，在设置于单元部侧的作为第1区域的井区域所露出的表面上，设置耐热性高的无机保护膜，在与井区域的外侧面相接并远离单元部而设置的电场弛豫区域与碳化硅层所露出的表面上，设置绝缘性高且不易受到电荷的影响的有机保护膜。

公开(公告)号：CN102265404A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152025.0

申请日：2009-06-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田修平 ,  渡边昭裕 ,  大塚健一 ,  三浦成久

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及功率用半导体装置的构造，特征在于，以使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)不经由栅极绝缘膜(70)相向的方式，使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)经由厚度比栅极绝缘膜(70)厚的场氧化膜(30)而相向，或者在下部具有面积大的P阱区域(41)的栅极绝缘膜(70)的上部不设置栅电极(50)。

公开(公告)号：CN108292676B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201580085013.6

申请日：2015-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中梨菜 ,  菅原胜俊 ,  香川泰宏 ,  三浦成久

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

Abstract: 在碳化硅单晶基板(1)上，设置有具有第1杂质浓度的第1导电类型的漂移层(2)、第2导电类型的体区域(5)以及第1导电类型的源极区域(3)。栅极绝缘膜(9)覆盖沟槽(7)，该沟槽在第1单元区域(CL1)以及第2单元区域(CL2)中贯通源极区域(3)以及体区域(5)而到达漂移层(2)。栅电极(10)内置于沟槽(7)内。第1导电类型的高浓度层(6)在第1单元区域(CL1)中设置于漂移层(2)与体区域(5)之间，具有比第1杂质浓度高的第2杂质浓度。电流抑制层(14)在第2单元区域(CL2)中设置于漂移层(2)与体区域(5)之间，具有第1导电类型，具有比第1杂质浓度高且比第2杂质浓度低的第3杂质浓度。

公开(公告)号：CN104969357B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201480007472.8

申请日：2014-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  福井裕 ,  三浦成久 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 提供能够缓和栅极绝缘膜的电场并且抑制导通电阻的增大的绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法。其特征在于，具备：在主面是设置了大于0°的偏离角的{0001}面4H型的碳化硅基板1上的第1导电类型的漂移层(2a)、在漂移层(2a)的表层侧的第2导电类型的第1基区(3)、第1导电类型的源极区域(4)、沟槽(5)、在沟槽侧壁处的栅极绝缘膜(6)、与沟槽(5)的底部相接地设置在漂移层(2a)内的第2导电类型的保护扩散层(13)、以及为了将保护扩散层(13)与第1基区(3)连接而与沟槽侧壁的多个面中的一面的至少一部分相接地设置了的第2导电类型的第2基区(14)，第2基区(14)相接的沟槽侧壁面是对与 方向平行的面朝向 方向附加大于0°的沟槽偏离角而得到的面。

公开(公告)号：CN104737296B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201380054265.3

申请日：2013-09-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中梨菜 ,  香川泰宏 ,  日野史郎 ,  三浦成久 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7813

Abstract: 得到缓和栅极绝缘膜的电场强度并且导通电阻低的碳化硅半导体装置。该碳化硅半导体装置具有：n型碳化硅基板(1)；在n型碳化硅基板(1)的上表面形成了的漂移层(2)；在漂移层(2)中形成并且在内部具有栅极绝缘膜(8)与栅极电极(9)的沟槽(7)；与沟槽(7)空出间隔而平行地形成并且比沟槽(7)深的p型高浓度阱区(6)；以及从相比沟槽(7)的底部端而更向上表面侧的、沟槽(7)底部的栅极绝缘膜(8)的膜厚程度的上方位置朝向p型高浓度阱区(6)的下端缓慢变深地形成的p型体区域(4)。

公开(公告)号：CN105074921B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201480019915.5

申请日：2014-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  今泉昌之 ,  海老原洪平

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于，在终端附近的构件单元中的pn二极管进行动作之前增大整个芯片中流过的电流值，能够实现芯片尺寸的缩小以及由此带来的芯片成本的降低。本发明具备在俯视时夹着地多个第1阱区(30)整体地形成了的第2阱区(31)、在第2阱区内从第2阱区表层向深度方向贯通地形成了的第3间隔区域(23)、以及在第3间隔区域上设置了的第2肖特基电极(75)。

公开(公告)号：CN104620381B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201380046464.X

申请日：2013-04-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  今泉昌之

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

Abstract: 在作为回流二极管内置了肖特基势垒二极管的半导体装置中，在回流状态下使最大单极电流增大，并且在截止状态下降低漏电流。在第1导电类型的漂移层(20)的表层侧设置了的相邻的第2导电类型的阱区域(30)之间的表面中的至少一部分中，具备肖特基电极(75)，使处于肖特基电极(75)的下部并且处于相邻的所述阱区域(30)之间的第1区域内的第1导电类型的杂质浓度比漂移层(20)的第1导电类型的第1杂质浓度高、并且比阱区域(30)的第2导电类型的第2杂质浓度低。