公开(公告)号：CN104428890A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201280074596.9

申请日：2012-07-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 寺井护 ,  井高志织 ,  山本圭 ,  中木义幸

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49579 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在碳化硅基板上形成了多个的半导体元件中形成电极层(1)，在将各个电极层(1)隔开的碳化硅基板的露出面区域内切断而使半导体元件单片化，用应力缓和树脂(7)覆盖单片化了的半导体元件的电极层形成面的外周端部中的露出面。由此，得到即使在使用了碳化硅等化合物半导体基板的半导体元件中，也与密封树脂(R)的粘接力高，且不易由于动作时的热应力而引起密封树脂(R)的裂纹、剥离的半导体装置(PM)。