半导体装置及电力转换装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117242569A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202180097878.X

    申请日:2021-05-11

    Abstract: 半导体装置(100)具有:引线框(20),其具有安装面(20a);半导体元件(30),其配置于安装面之上;电路基板(50),其在半导体装置的厚度方向上与安装面分离地配置,并且电路基板与引线框电连接;封装树脂(70),其将引线框、半导体元件及电路基板封装;以及连接器(80)。引线框具有从封装树脂露出的引线(22)。电路基板具有从封装树脂露出的至少1个露出部(52)。在至少1个露出部中的1者电连接有连接器。

    半导体装置和其制造方法

    公开(公告)号:CN108140621B

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201680055591.X

    申请日:2016-09-20

    Abstract: 得到一种半导体装置,该半导体装置通过减少由传递模塑成型时的压力引起的金属基座的变形,从而抑制在绝缘层产生裂纹,电可靠性高。具有:金属部件(2),其在下表面设置有凹凸部(8)和凸状的周缘部(7),该凸状的周缘部(7)将凹凸部(8)包围,且高度比凹凸部(8)的凸部(81)高或者与该凸部(81)相同;绝缘层(3),其形成于金属部件(2)的上表面;金属层(4),其形成于绝缘层(3)的上表面;半导体元件(1),其与金属层(4)的上表面接合;以及封装树脂(5),其对半导体元件(1)、金属层(4)、绝缘层(39)和金属部件(2)进行封装。

    功率模块
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107112318A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201580071608.6

    申请日:2015-09-29

    Abstract: 功率模块(PM)具备功率半导体元件(4)、布线材料(2)、电路基板(6)、外部端子(8)、接合材料(5、7)以及密封树脂(1)。以从位于功率半导体元件(4)与布线材料(2)之间的接合材料(5)的端面起遍及位于该端面和与该端面隔开距离的布线材料(2)的规定部位之间的布线材料(2)的表面的方式,在接合材料(5)的端面以及布线材料(2)的表面与密封树脂(1)之间连续地形成有间隙部(3)。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN108431950B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201680074803.9

    申请日:2016-12-14

    Abstract: 在半导体装置(100)中,绝缘层(3)被夹在金属基座板(1)与引线框(5)之间,包含树脂材料(34)。封装树脂(9)对金属基座板(1)、绝缘层(3)、引线框(5)进行封装。在绝缘层(3)中填充有大于或等于20体积%而小于或等于75体积%的无机粉末填料(33)。在绝缘层(3)内,作为无机粉末填料(33),包含最大尺寸小于或等于20μm的第1填料(32)和由多个第1填料(32)凝聚而成的第2填料(31)。绝缘层(3)内的绝缘层(3)的一个主表面(3A)侧的表层部(35)处的第1填料(32)的填充比例小于绝缘层(3)内的除了表层部以外的区域(36)的第1填料(32)的填充比例。表层部(35)的第2填料(31)的填充比例与绝缘层(3)内的除了表层部以外的区域(36)的第2填料(31)的填充比例相同。

    半导体装置和其制造方法

    公开(公告)号:CN108140621A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201680055591.X

    申请日:2016-09-20

    Abstract: 得到一种半导体装置,该半导体装置通过减少由传递模塑成型时的压力引起的金属基座的变形,从而抑制在绝缘层产生裂纹,电可靠性高。具有:金属部件(2),其在下表面设置有凹凸部(8)和凸状的周缘部(7),该凸状的周缘部(7)将凹凸部(8)包围,且高度比凹凸部(8)的凸部(81)高或者与该凸部(81)相同;绝缘层(3),其形成于金属部件(2)的上表面;金属层(4),其形成于绝缘层(3)的上表面;半导体元件(1),其与金属层(4)的上表面接合;以及封装树脂(5),其对半导体元件(1)、金属层(4)、绝缘层(39)和金属部件(2)进行封装。

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