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公开(公告)号:CN109166833B
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN201810998767.6
申请日:2011-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电力用半导体模块。为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块,具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5),二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域,开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。
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公开(公告)号:CN104428889B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201280074595.4
申请日:2012-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49548 , H01L23/49568 , H01L23/562 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L29/417 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40137 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/84
Abstract: 在半导体基板上形成多个电力控制用半导体元件,在划分相邻的半导体元件的带状的切割区域相交叉的交叉区域中,形成覆盖交叉区域的应力缓冲树脂层(7),切割交叉区域而切断应力缓冲树脂层(7)来将半导体元件单片化。由此,获得在使用了SiC等化合物半导体基板的半导体元件中与密封树脂的粘接力高、不易由于动作时的热应力而引起密封树脂的裂痕、剥离的半导体装置。
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公开(公告)号:CN104428889A
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201280074595.4
申请日:2012-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49548 , H01L23/49568 , H01L23/562 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L29/417 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40137 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/84
Abstract: 在半导体基板上形成多个电力控制用半导体元件,在划分相邻的半导体元件的带状的切割区域相交叉的交叉区域中,形成覆盖交叉区域的应力缓冲树脂层(7),切割交叉区域而切断应力缓冲树脂层(7)来将半导体元件单片化。由此,获得在使用了SiC等化合物半导体基板的半导体元件中与密封树脂的粘接力高、不易由于动作时的热应力而引起密封树脂的裂痕、剥离的半导体装置。
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公开(公告)号:CN102687270A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201180005358.8
申请日:2011-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L25/18 , H01L23/24 , H01L23/3135 , H01L23/3735 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L29/1608 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12031 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块,具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5),二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域,开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。
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公开(公告)号:CN109166833A
公开(公告)日:2019-01-08
申请号:CN201810998767.6
申请日:2011-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电力用半导体模块。为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块,具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5),二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域,开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。
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公开(公告)号:CN103650137A
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201280034222.4
申请日:2012-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在将Si半导体元件和宽能带隙半导体元件配置于相同的功率半导体模块内的情况下,将宽能带隙半导体元件的温度上升抑制得较低,抑制宽能带隙半导体元件的芯片总面积的增大,得到能够低成本地制造的功率半导体模块。Si制开关元件(4)配置于功率半导体模块(100)的中央区域中,SiC制二极管元件(5)配置于功率半导体模块(100)的中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部。
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公开(公告)号:CN102686013A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201110296956.7
申请日:2011-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05K3/325 , H01L2924/0002 , H05K2201/0311 , H05K2201/10166 , H05K2201/1031 , H05K2201/1059 , Y02P70/611 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及功率半导体装置和印刷布线板的连接机构。在功率半导体装置和印刷布线板的连接中谋求连接可靠性的提高、功率损失的降低、制造成本的削减、连接工序的简略化和连接机构的小型化。功率半导体装置(1)具备:作为在与印刷布线板(3)的相向面突出的外部端子的导电性的嵌入构件(2)。印刷布线板(3)具备:导电性的嵌合构件(4),安装在焊盘部(31)上,在将功率半导体装置(1)连接于该印刷布线板(3)时,被插入嵌入构件(3)。嵌入构件(2)在侧面具有凹部(21),嵌合构件(4)在内侧面具有凸部(41),该凸部具有弹性。在将嵌入构件(2)插入嵌合构件(4)时,嵌入构件(2)的凸部(41)通过弹性而压接于嵌合构件(4)的凹部(21)。
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公开(公告)号:CN104428890B
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201280074596.9
申请日:2012-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L23/49579 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L29/1608 , H01L2224/02166 , H01L2224/0382 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在碳化硅基板上形成了多个的半导体元件中形成电极层(1),在将各个电极层(1)隔开的碳化硅基板的露出面区域内切断而使半导体元件单片化,用应力缓和树脂(7)覆盖单片化了的半导体元件的电极层形成面的外周端部中的露出面。由此,得到即使在使用了碳化硅等化合物半导体基板的半导体元件中,也与密封树脂(R)的粘接力高,且不易由于动作时的热应力而引起密封树脂(R)的裂纹、剥离的半导体装置(PM)。
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公开(公告)号:CN103650137B
公开(公告)日:2017-09-29
申请号:CN201280034222.4
申请日:2012-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在将Si半导体元件和宽能带隙半导体元件配置于相同的功率半导体模块内的情况下,将宽能带隙半导体元件的温度上升抑制得较低,抑制宽能带隙半导体元件的芯片总面积的增大,得到能够低成本地制造的功率半导体模块。Si制开关元件(4)配置于功率半导体模块(100)的中央区域中,SiC制二极管元件(5)配置于功率半导体模块(100)的中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部。
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公开(公告)号:CN102686013B
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201110296956.7
申请日:2011-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05K3/325 , H01L2924/0002 , H05K2201/0311 , H05K2201/10166 , H05K2201/1031 , H05K2201/1059 , Y02P70/611 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及功率半导体装置和印刷布线板的连接机构。在功率半导体装置和印刷布线板的连接中谋求连接可靠性的提高、功率损失的降低、制造成本的削减、连接工序的简略化和连接机构的小型化。功率半导体装置(1)具备:作为在与印刷布线板(3)的相向面突出的外部端子的导电性的嵌入构件(2)。印刷布线板(3)具备:导电性的嵌合构件(4),安装在焊盘部(31)上,在将功率半导体装置(1)连接于该印刷布线板(3)时,被插入嵌入构件(3)。嵌入构件(2)在侧面具有凹部(21),嵌合构件(4)在内侧面具有凸部(41),该凸部具有弹性。在将嵌入构件(2)插入嵌合构件(4)时,嵌入构件(2)的凸部(41)通过弹性而压接于嵌合构件(4)的凹部(21)。
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