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公开(公告)号：CN114450377B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201980100820.9
申请日：2019-10-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 蓄热装置，包括：容器，其封入有蓄热材料，上述蓄热材料具有温敏性高分子凝胶，上述温敏性高分子凝胶由选自水、有机溶剂、和水或有机溶剂的化合物中的溶剂、和温敏性高分子构成；和换热器，其容纳于容器，与加热冷却用流体进行热交换以将蓄热材料加热或冷却，将温热或冷热蓄积于蓄热材料，且与热利用流体进行热交换以从蓄热材料吸热，从蓄热材料放热，就蓄热材料而言，以下限临界溶液温度为边界，亲水性与疏水性可逆地变化，在亲水性与疏水性的变化的过程中，温敏性高分子凝胶中所含的溶剂维持液体状态。
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公开(公告)号：CN104428889A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201280074595.4
申请日：2012-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49548 , H01L23/49568 , H01L23/562 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L29/417 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40137 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/84
Abstract: 在半导体基板上形成多个电力控制用半导体元件，在划分相邻的半导体元件的带状的切割区域相交叉的交叉区域中，形成覆盖交叉区域的应力缓冲树脂层(7)，切割交叉区域而切断应力缓冲树脂层(7)来将半导体元件单片化。由此，获得在使用了SiC等化合物半导体基板的半导体元件中与密封树脂的粘接力高、不易由于动作时的热应力而引起密封树脂的裂痕、剥离的半导体装置。
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公开(公告)号：CN113950728A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201980097353.9
申请日：2019-06-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01F41/02 , H01F1/057 , H02K1/17 , H02K1/274 , B23K26/122 , B23K26/146
Abstract: 稀土烧结磁铁，是具有R2T14B相、R为选自Nd、Pr、Dy及Tb中的至少一种、T为选自Fe及Co中的至少一种的稀土烧结磁铁，其中，上述稀土烧结磁铁的切割面具有：以R及O为主体的部分；和与上述以R及O为主体的部分相比、T的浓度高的富T部分，上述富T部分相对于上述稀土烧结磁铁的切割面积的面积比例为5％～30％。
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公开(公告)号：CN104428889B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201280074595.4
申请日：2012-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49548 , H01L23/49568 , H01L23/562 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L29/417 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40137 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/84
Abstract: 在半导体基板上形成多个电力控制用半导体元件，在划分相邻的半导体元件的带状的切割区域相交叉的交叉区域中，形成覆盖交叉区域的应力缓冲树脂层(7)，切割交叉区域而切断应力缓冲树脂层(7)来将半导体元件单片化。由此，获得在使用了SiC等化合物半导体基板的半导体元件中与密封树脂的粘接力高、不易由于动作时的热应力而引起密封树脂的裂痕、剥离的半导体装置。
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公开(公告)号：CN106463394B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580022823.7
申请日：2015-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/78
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L23/29 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L23/373 , H01L23/562 , H01L29/1608 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 具备：半导体元件(5)，具有半导体基板(1)、形成于半导体基板(1)的正面(1A)且具有开口部的绝缘膜(2)以及在半导体基板(1)的正面(1A)上在开口部内形成的电极(3)；以及第1保护膜(9)，被设置成覆盖半导体元件(5)，绝缘膜(2)的膜厚(W1)是半导体基板的厚度(W2)的1/500以上且4μm以下，绝缘膜的每单位膜厚的压缩应力是100MPa/μm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104054173B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201280067069.5
申请日：2012-01-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/3135 , H01L23/24 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/32225 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3716 , H01L2224/3754 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49109 , H01L2224/4911 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/351 , H01L2224/48227 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/2076 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明的目的在于得到一种不易在密封树脂中产生龟裂或者不易从基板引起剥离的可靠性高的功率用半导体装置。因此具备：半导体元件基板(4)，形成有表面电极图案(2)；功率用半导体元件(5、6)，经由接合材料粘着于表面电极图案；分隔壁(9)，以包围功率用半导体元件的方式接合在表面电极图案上而设置；第一密封树脂(120)，填满该分隔壁的内侧，覆盖功率用半导体元件以及分隔壁内的表面电极图案；以及第二密封树脂(12)，覆盖分隔壁、第一密封树脂及从分隔壁向外露出了的半导体元件基板，第二密封树脂的弹性模量被设定为小于第一密封树脂的弹性模量，在分隔壁的未与表面电极图案接触的面具备中继端子用电极(8)，经由中继端子用电极引出从分隔壁内向分隔壁外的布线(130)。
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公开(公告)号：CN103348467B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180067062.9
申请日：2011-04-22
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/28 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L29/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供即使在半导体元件反复在高温下动作而受到热循环的情况下也不易在密封树脂中产生龟裂、或者从基板引起剥离的可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，具备：半导体元件基板，在绝缘基板的一面形成了表面电极图案，在绝缘基板的另一面形成了背面电极图案；半导体元件，经由接合材料粘着到表面电极图案的与绝缘基板相反一侧的面；以及密封树脂，覆盖该半导体元件及半导体元件基板，在成为与接合了半导体元件的位置的表面电极图案的电位相同的电位的表面电极图案的位置，设置了由导电体的中继端子和使该中继端子与表面电极图案绝缘的绝缘部件形成的绝缘端子台，经由中继端子引出从半导体元件向外部的布线。
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公开(公告)号：CN103348467A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180067062.9
申请日：2011-04-22
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/28 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L29/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供即使在半导体元件反复在高温下动作而受到热循环的情况下也不易在密封树脂中产生龟裂、或者从基板引起剥离的可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，具备：半导体元件基板，在绝缘基板的一面形成了表面电极图案，在绝缘基板的另一面形成了背面电极图案；半导体元件，经由接合材料粘着到表面电极图案的与绝缘基板相反一侧的面；以及密封树脂，覆盖该半导体元件及半导体元件基板，在成为与接合了半导体元件的位置的表面电极图案的电位相同的电位的表面电极图案的位置，设置了由导电体的中继端子和使该中继端子与表面电极图案绝缘的绝缘部件形成的绝缘端子台，经由中继端子引出从半导体元件向外部的布线。
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公开(公告)号：CN103250242A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180056529.X
申请日：2011-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/29 , H01L21/56 , H01L23/24 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3735 , H01L23/562 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种即使半导体元件反复在高温下动作而承受热循环的情况下也不易在密封树脂中产生龟裂、或者不易从基板引起剥离的可靠性高的半导体装置。具备：半导体元件基板（4），在绝缘基板（1）的一面形成了电极图案（2），在绝缘基板（1）的另一面形成了背面电极（3）；树脂制的应力缓和粘接层（8），在绝缘基板（1）的表面，覆盖未形成电极图案（2）或者背面电极（3）的部分的至少一部分；半导体元件（5、6），经由接合材料（7）固定到电极图案（2）的、与绝缘基板（1）相反一侧的面；以及密封树脂（12、120），覆盖该半导体元件（5、6）以及半导体元件基板（4），将应力缓和粘接层（8）的树脂的弹性率设为小于密封树脂（12、120）的弹性率。
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公开(公告)号：CN106463394A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580022823.7
申请日：2015-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/78
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L23/29 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L23/373 , H01L23/562 , H01L29/1608 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 具备：半导体元件(5)，具有半导体基板(1)、形成于半导体基板(1)的正面(1A)且具有开口部的绝缘膜(2)以及在半导体基板(1)的正面(1A)上在开口部内形成的电极(3)；以及第1保护膜膜厚(W1)是半导体基板的厚度(W2)的1/500以上且4μm以下，绝缘膜的每单位膜厚的压缩应力是100MPa/μm以上。(9)，被设置成覆盖半导体元件(5)，绝缘膜(2)的
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