公开(公告)号：CN105074921B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201480019915.5

申请日：2014-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  今泉昌之 ,  海老原洪平

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于，在终端附近的构件单元中的pn二极管进行动作之前增大整个芯片中流过的电流值，能够实现芯片尺寸的缩小以及由此带来的芯片成本的降低。本发明具备在俯视时夹着地多个第1阱区(30)整体地形成了的第2阱区(31)、在第2阱区内从第2阱区表层向深度方向贯通地形成了的第3间隔区域(23)、以及在第3间隔区域上设置了的第2肖特基电极(75)。

公开(公告)号：CN104885227B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201380068204.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福井裕 ,  香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L21/047 ,  H01L21/049 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种碳化硅半导体器件，能够降低碳化硅基板的OFF角对半导体器件的特性造成的影响，并实现动作稳定性的提高和低电阻化。在具有OFF角的碳化硅半导体基板中形成了的沟槽栅型碳化硅MOSFET半导体器件中，在阱区域中的所述沟槽的第1侧壁面侧设置低沟道掺杂区域，在阱区域中的所述沟槽的第2侧壁面侧设置有效受主浓度比所述低沟道掺杂区域低的高沟道掺杂区域。

公开(公告)号：CN104620381B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201380046464.X

申请日：2013-04-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  今泉昌之

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

Abstract: 在作为回流二极管内置了肖特基势垒二极管的半导体装置中，在回流状态下使最大单极电流增大，并且在截止状态下降低漏电流。在第1导电类型的漂移层(20)的表层侧设置了的相邻的第2导电类型的阱区域(30)之间的表面中的至少一部分中，具备肖特基电极(75)，使处于肖特基电极(75)的下部并且处于相邻的所述阱区域(30)之间的第1区域内的第1导电类型的杂质浓度比漂移层(20)的第1导电类型的第1杂质浓度高、并且比阱区域(30)的第2导电类型的第2杂质浓度低。

公开(公告)号：CN102947934B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201080067692.1

申请日：2010-06-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古川彰彦 ,  香川泰宏 ,  三浦成久 ,  日野史郎 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  今泉昌之

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/0485 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7815

Abstract: 在具备感测焊盘的进行高速转换的功率半导体器件中，由于在进行转换时流过位移电流并与该电流通路的阻抗相互作用，而在感测焊盘下部的阱区产生高电压，有时由于高电压而导致如栅绝缘膜那样的薄的绝缘膜被介质击穿从而破坏功率半导体器件。本发明的功率半导体器件具备设置在感测焊盘下部的阱区之上、并贯通比栅绝缘膜厚的场绝缘膜来与源极焊盘连接的感测焊盘阱接触孔，因此能够提高可靠性。

公开(公告)号：CN104205344A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380017760.7

申请日：2013-02-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中梨菜 ,  古川彰彦 ,  今泉昌之 ,  阿部雄次

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/36 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 在使用了宽能带隙半导体的JBS二极管中，宽能带隙半导体的内置电位大，所以有时pn二极管部不易导通，由此有时无法充分确保浪涌电流抗性。为了解决这个问题，在宽能带隙JBS二极管中，在从肖特基电极离开了的部位形成pn二极管的pn结，另外在从肖特基电极离开了的部位将阱区域的宽度形成得较窄。

公开(公告)号：CN102859654A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020657.9

申请日：2011-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 富田信之 ,  浜野健一 ,  多留谷政良 ,  三谷阳一郎 ,  黑岩丈晴 ,  今泉昌之 ,  炭谷博昭 ,  大塚健一 ,  古庄智明 ,  泽田隆夫 ,  阿部雄次

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供表面平坦性极其良好且在外延生长后表现的胡萝卜缺陷及三角缺陷显著低密度的碳化硅外延晶片的制造方法。通过如下制造碳化硅外延晶片，即，第一工序，将与 面的倾斜角比5度更小的碳化硅块状衬底在还原性气体气氛中，在第一温度T1及处理时间t的条件下进行退火；第二工序，在还原性气体气氛中降低衬底温度；第三工序，以比第一工序中的退火温度T1更低的第二温度T2下供给至少包含硅原子的气体和包含碳原子的气体进行外延生长。

公开(公告)号：CN109755321B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201910050925.X

申请日：2014-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  福井裕 ,  三浦成久 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法。具备：在主面是设置了大于0°的偏离角的{0001}面4H型的碳化硅基板1上的第1导电类型的漂移层(2a)、在漂移层(2a)的表层侧的第2导电类型的第1基区(3)、第1导电类型的源极区域(4)、沟槽(5)、在沟槽侧壁处的栅极绝缘膜(6)、与沟槽(5)的底部相接地设置在漂移层(2a)内的第2导电类型的保护扩散层(13)、以及为了将保护扩散层(13)与第1基区(3)连接而与沟槽侧壁的多个面中的一面的至少一部分相接地设置了的第2导电类型的第2基区(14)，第2基区(14)相接的沟槽侧壁面是对与 方向平行的面朝向 方向附加大于0°的沟槽偏离角而得到的面。

公开(公告)号：CN104871320B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201380068225.4

申请日：2013-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福井裕 ,  香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/088 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供一种能够碳化硅基板的偏离角对半导体装置的特性造成的影响并且实现动作稳定性的提高和低电阻化的碳化硅半导体装置。在沟道栅极型碳化硅MOSFET中，在阱区中形成高浓度阱区，使从碳化硅半导体的所述沟道的第1侧壁面到所述高浓度阱区的距离小于从隔着所述栅极电极与所述沟道的第1侧壁面对置的所述沟道的第2侧壁面到所述高浓度阱区的距离。

公开(公告)号：CN104885227A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068204.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福井裕 ,  香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L21/047 ,  H01L21/049 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种碳化硅半导体器件，能够降低碳化硅基板的OFF角对半导体器件的特性造成的影响，并实现动作稳定性的提高和低电阻化。在具有OFF角的碳化硅半导体基板中形成了的沟槽栅型碳化硅MOSFET半导体器件中，在阱区域中的所述沟槽的第1侧壁面侧设置低沟道掺杂区域，在阱区域中的所述沟槽的第2侧壁面侧设置有效受主浓度比所述低沟道掺杂区域低的高沟道掺杂区域。

公开(公告)号：CN104871320A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380068225.4

申请日：2013-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福井裕 ,  香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/088 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供一种能够碳化硅基板的截止角对半导体装置的特性造成的影响并且实现动作稳定性的提高和低电阻化的碳化硅半导体装置。在沟道栅极型碳化硅MOSFET中，在阱区中形成高浓度阱区，使从碳化硅半导体的所述沟道的第1侧壁面到所述高浓度阱区的距离大于从隔着所述栅极电极与所述沟道的第1侧壁面对置的所述沟道的第2侧壁面到所述高浓度阱区的距离。