公开(公告)号：CN102436866A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110258192.2

申请日：2011-09-02

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： G.古伊甘 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸 ,  樱井英章

IPC: H01B3/10 ,  H01B19/00

CPC classification number: H01G7/06 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  H01L28/55

Abstract: 用于形成BST介电薄膜的介电薄膜形成组合物，该组合物包括用于形成薄膜的液态组合物，其采用混合的复合金属氧化物的形式，在其中包括Cu(铜)的复合氧化物B被混合到由式Ba1-xSrxTiyO3(其中0.2

公开(公告)号：CN108352443A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680049774.0

申请日：2016-08-26

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  三菱综合材料株式会社

Inventor： 田头裕己 ,  志村礼司郎 ,  高村禅 ,  李金望 ,  下田达也 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸

IPC: H01L41/43 ,  H01L41/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/43 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明包括下述的工序：涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序；将涂布液体组合物而得的膜干燥的工序；对已干燥的膜在含氧气氛下以150～200℃的温度进行紫外线照射的工序；以及，将涂布工序、干燥工序及紫外线照射工序进行1次或2次以上之后，在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温，并保持于400～500℃的温度，由此将经紫外线照射的铁电体膜前体膜煅烧而结晶的工序。其中，设定液体组合物的每1次的涂布量，使得每涂布1次的铁电体膜的厚度为150nm以上，且在紫外线照射时供给臭氧。

公开(公告)号：CN103664169B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201310397322.X

申请日：2013-09-04

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01B3/448 ,  C04B35/472 ,  C04B35/493 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B35/63444 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1216 ,  H01B19/04 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L28/55 ,  Y10T428/3192 ,  Y10T428/31938

Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物及该薄膜的形成方法、通过该方法形成的薄膜以及复合电子组件。本发明中，即使在用于形成铁电薄膜的组合物中不掺杂Ce，且用于形成膜厚较厚的铁电薄膜的组合物不含有硝酸铅而含有乙酸铅，也不会在铁电薄膜上产生龟裂。通过铁电薄膜形成用组合物形成包含钛酸铅系钙钛矿膜或锆钛酸铅系复合钙钛矿膜的铁电薄膜。上述组合物包含乙酸铅、由乳酸构成的稳定剂以及聚乙烯吡咯烷酮。并且单体换算的聚乙烯吡咯烷酮相对于组合物中所含的钙钛矿A位原子的摩尔比大于0小于0.015。此外，聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量为5000以上100000以下。

公开(公告)号：CN103360066B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201310273420.2

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/50 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式（1）：（PbxLay）（ZrzTi（1－z））Ｏ3（式（1）中0.9＜x＜1.3、0≦y＜0.1、0≦z＜0.9）表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式（2）CnH2n＋1COOH（其中，3≦n≦7）表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P（磷）、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y（钇）的1种或2种以上。

公开(公告)号：CN104446463A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410553563.3

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/50 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的本发明的强电介质薄膜形成用组合物，是用于形成采取复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合通式(2)CnH2n+1COOH表示的、并且、配位在上述金属上时能够形成下式(3)的结构的、羧酸B得到的，式(1)中0.9

公开(公告)号：CN102046563B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN200980119294.7

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/49 ,  C01G25/00 ,  C04B35/46 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中，3≤n≤7)表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。

公开(公告)号：CN102473625A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029671.0

申请日：2010-04-21

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 曾山信幸 ,  渡边敏昭 ,  樱井英章

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02087 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282

Abstract: 本发明将以混合重量比计含有50∶50～0∶100选自β‐二酮类、β‐酮酸酯类、多元醇类、羧酸类、烷醇胺类、α‐羟基羧酸、α‐羟基羰基衍生物和腙衍生物中的1种或2种以上的有机溶剂与水的CSD涂布膜除去用液喷射或滴加至CSD法中热处理前的基板外周端部，将涂布膜除去、并防止颗粒的发生而不会发生裂纹或局部剥离的情况。

公开(公告)号：CN114080696A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202080049293.6

申请日：2020-07-08

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 辻内直人 ,  曾山信幸

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/113

Abstract: 该压电体膜包含粒状晶粒，该粒状晶粒含有下述通式(1)所表示的含铁铌酸钾钠，且平均纵横比为3以下，式(1)：(KxNa1‑x)a(FeyNbz)O3。式(1)中，x表示满足0＜x＜1的数，a表示满足0.90＜a≤1的数，y与z表示满足y+z＝1及0.006≤y/z≤0.04的数。

公开(公告)号：CN113711372A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080027670.6

申请日：2020-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  曾山信幸

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明提供一种压电体膜的制造方法，该压电体膜的制造方法包括：涂布工序，在基板上涂布涂布液而得到涂布膜，所述涂布液包含铅、锆、钛，且锆与钛的含量比以摩尔比计在54:46～40:60的范围内，通过在结晶化开始温度以上的温度进行加热而生成钙钛矿结晶相；干燥工序，干燥涂布膜而得到干燥膜；第一预烧成工序，在第一预烧成温度对干燥膜进行加热而得到第一预烧成膜，所述第一预烧成温度为结晶化开始温度以上且结晶化开始温度+40℃以下；第二预烧成工序，在第二预烧成温度对第一预烧成膜进行加热而得到第二预烧成膜，所述第二预烧成温度为结晶化开始温度+25℃以上且所述结晶化开始温度+100℃以下，且为第一预烧成温度+25℃以上的温度；及正式烧成工序，在正式烧成温度对第二预烧成膜进行加热而得到压电体膜，所述正式烧成温度为结晶化开始温度+100℃以上且结晶化开始温度+200℃以下，且为第二预烧成温度+25℃以上的温度。

公开(公告)号：CN102315025B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110178384.2

申请日：2011-06-29

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸 ,  G.古伊干

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/06 ,  H01G4/14 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01L28/60 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/01 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 一种薄膜电容器，其特征在于，形成下电极、将组合物涂覆至下电极上而没有进行温度高于300℃的退火过程、在从环境温度至500℃的预定温度下干燥，并且在500至800℃且高于干燥温度的预定温度下煅烧。从涂覆至煅烧的过程进行一次或至少两次，或者从涂覆至干燥的过程进行至少两次，然后煅烧进行一次。在第一次煅烧之后形成的电介质薄膜的厚度为20至600nm。下电极的厚度和在初次煅烧步骤之后形成的电介质薄膜的厚度之比（下电极厚度/介电薄膜厚度）优选为0.10至15.0。