公开(公告)号：CN101601125B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200780049914.5

申请日：2007-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽田郁夫 ,  P·芬泽克 ,  大下辰郎 ,  松崎和爱 ,  康松润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541

Abstract: 本发明在于提供一种处理容器的侧壁的温度控制性优异，并且能够抑制等离子体对基板的损伤的等离子体处理装置。等离子体装置(1)具有设置于处理容器(11)上部的与载置台(2)相对置的第1电极(31)以及第2电极(32)、对第1电极(31)和第2电极(32)之间供给处理气体的气体供给部(4)、为了将第1电极(31)和第2电极(32)之间供给的处理气体等离子体化而对电极(31、32)之间施加高频电力的高频电源部(33)、以及自处理容器(11)下部对处理容器(11)内的气氛进行真空排气的排气装置(14)。载置台(2)上的基板B附近的等离子体的电子温度降低，能够抑制等离子体对基板B的损伤，另外由于能够使用金属作为处理容器(11)的材料，其温度控制性良好。

公开(公告)号：CN101803472A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880108012.9

申请日：2008-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 太田龙作 ,  足立光 ,  中西敏雄 ,  植田笃 ,  康松润 ,  保罗·莫罗兹 ,  彼得·文特泽克

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229

Abstract: 本发明提供一种缝隙天线方式的微波等离子体处理装置(100)，其具备：构成扁平波导管的平面天线板(31)及由导电性构件制成的外罩(34)。外罩(34)具备用于调整扁平波导管内的电场分布的作为第二波导管的短截线(43)。短截线(43)设有由导电性构件制成的外罩(34)。短截线(43)在俯视时，配置于与构成排列于平面天线板(31)的最外周的缝隙对的缝隙(32)重合的位置。利用短截线(43)的合适的配置，可以控制扁平波导管内的电场分布而生成均匀的等离子体。

公开(公告)号：CN112352304A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201980041384.2

申请日：2019-07-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保卓也 ,  康松润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L43/12

Abstract: 在一个例示的实施方式中，提供一种处理基板的方法。基板具备蚀刻层和掩膜。掩膜设置在蚀刻层的第1表面上。该方法具备第1工序、第2工序以及第3工序。第1工序在掩膜的第2表面形成第1膜。第2工序通过对蚀刻层的第1表面进行蚀刻，将具有蚀刻层的材料的第2膜形成在第1膜上。第3工序通过将第2工序后的基板暴露于处理气体的等离子体,除去第1膜和第2膜。第1膜具有电极材料。处理气体具有氧。

公开(公告)号：CN102089867B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200980127227.X

申请日：2009-07-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽田郁夫 ,  康松润 ,  河西繁

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种通过等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置，其包括：处理容器；设置在所述处理容器内用于载置基板的载置台；与所述载置台相对设置的、由在下面形成有向所述处理容器内供给处理气体的多个气体喷出孔的导电性部件构成的气体喷淋头；在包围所述气体喷淋头下方空间的区域中供给用于产生感应耦合型等离子体的高频电流的感应线圈；用于向所述气体喷淋头施加负的直流电压，由此将通过所述感应线圈感应产生的感应电场引入处理区域的中央部一侧的负电压供给单元；和对所述处理容器内进行抽真空的单元。

公开(公告)号：CN102804348A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080024500.9

申请日：2010-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 康松润

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明在利用CVD法在基板上成膜硅氧化膜时，使用一种硅氧化膜用成膜原料，其由具有羰基的硅氧烷系化合物构成，通过被赋予能量发生分解而CO离去，生成化学结构上不存在悬空键的生成物，且该生成物供于成膜。由此，以良好的阶梯覆盖率成膜硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101803472B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880108012.9

申请日：2008-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 太田龙作 ,  足立光 ,  中西敏雄 ,  植田笃 ,  康松润 ,  保罗·莫罗兹 ,  彼得·文特泽克

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229

Abstract: 本发明提供一种缝隙天线方式的微波等离子体处理装置(100)，其具备：构成扁平波导管的平面天线板(31)及由导电性构件制成的外罩(34)。外罩(34)具备用于调整扁平波导管内的电场分布的作为第二波导管的短截线(43)。短截线(43)设有由导电性构件制成的外罩(34)。短截线(43)在俯视时，配置于与构成排列于平面天线板(31)的最外周的缝隙对的缝隙(32)重合的位置。利用短截线(43)的合适的配置，可以控制扁平波导管内的电场分布而生成均匀的等离子体。

公开(公告)号：CN101802986A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880024210.7

申请日：2008-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥哲朗 ,  藤野丰 ,  户岛宏至 ,  久保敦史 ,  康松润 ,  P·芬泽克 ,  濑川澄江

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。

公开(公告)号：CN101036219A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580034009.3

申请日：2005-10-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  太田与洋 ,  康松润 ,  泽田郁夫

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器(1)内被载置的基板(W)，通过在径向线隙缝天线(4)中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：处理容器内的压力是7.32Pa以上8.65Pa以下，微波电力是2000W以上2300W以下，基板表面与原料气体供给部件(3)的相对面之间的距离(L1)是70mm以上105mm以下，基板表面与放电气体供给部件(2)的相对面之间的距离(L2)是100mm以上140mm以下。在该条件下，基于微波能将由环状C5F8气体构成的原料气体活化。由此可以得到含有大量的C4F6离子和/或自由基的成膜种。由此，形成漏电特性和热稳定性优异的加氟碳膜。

公开(公告)号：CN113451125A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110294301.X

申请日：2021-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 康松润 ,  津田俊武 ,  关口贤治 ,  米泽周平 ,  香川兴司

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明的目的在于提供能够恰当地蚀刻在晶片形成的含硼硅膜的技术，本发明的一个方式的基片处理方法包括保持工序、供给的工序和蚀刻工序，保持工序保持形成有含硼硅膜的基片，供给工序向所保持的基片供给含有氢氟酸和硝酸的氧化水溶液，蚀刻工序利用氧化水溶液蚀刻基片的含硼硅膜。

公开(公告)号：CN107533970B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201680021741.5

申请日：2016-05-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保卓也 ,  康松润 ,  霜田惠一 ,  大石哲也

IPC: H01L21/3065 ,  B08B7/00 ,  G11B5/84 ,  H01L21/304

Abstract: 提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，利用从含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。