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    一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置
    11.
    发明授权
    一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置 有权

    公开(公告)号：CN109860283B

    公开(公告)日：2024-09-20

    申请号：CN201910040864.9

    申请日：2019-01-16

    申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网湖北省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

    发明人： 朱涛 ,  刘瑞 ,  曹功勋 ,  吴昊 ,  金锐 ,  吴军民 ,  潘艳

    IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331

    摘要： 本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置，在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层，并对所述场终止层进行激光退火处理；在所述场终止层的底部形成P+集电极层，并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理；在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层，不需要光刻程序，仅需要一次注入即可形成，简化了制作过程，大大提高了制作效率，降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火，能够降低终端区P+注入效率，减小过渡区电场积累，提高IGBT可靠性。

    一种功率半导体器件及其制作方法
    12.
    发明授权
    一种功率半导体器件及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN107452790B

    公开(公告)日：2024-06-18

    申请号：CN201710702108.9

    申请日：2017-08-16

    申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

    发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  金锐 ,  温家良 ,  赵岩 ,  张璧君 ,  解海宁 ,  刘双宇

    IPC分类号： H01L29/745 ,  H01L21/332

    摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，其中功率半导体器件包括：第一导电类型的基板；第一掺杂层，设置在基板内，其为与第一导电类型相反的第二导电类型；第二掺杂层，设置在第一掺杂层内，其为第一导电类型；第三掺杂层，设置在第二掺杂层内，其为第二导电类型；控制电极，通过隔离层设置在基板的第一表面上，且隔离层与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；第一电极，设置在基板的第一表面上，且第一电极与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；以及第二电极，设置在基板的第二表面上。当控制电极接负电时，第三掺杂层形成少子的抽取路径，降低了载流子局部浓度，降低第一掺杂层和基板原有掺杂类型层之间的势垒。

    一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法
    15.
    发明授权
    一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN110808238B

    公开(公告)日：2021-06-29

    申请号：CN201911076548.3

    申请日：2019-11-06

    申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

    发明人： 田亮 ,  李玲 ,  葛欢 ,  朱辰 ,  姜春艳 ,  吴昊 ,  吴军民 ,  潘艳

    IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/48

    摘要： 本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。

    功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构
    16.
    发明授权
    功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构 有权

    公开(公告)号：CN110277321B

    公开(公告)日：2021-04-20

    申请号：CN201910467686.8

    申请日：2019-05-30

    申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

    发明人： 武伟 ,  王亮 ,  张喆 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  张朋 ,  李现兵

    IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

    摘要： 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，功率芯片的第二电极位于晶圆的第二表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极通过第一封装层固定在同一平面上；将晶圆设置在第一引出电极上，晶圆的第一表面面向第一引出电极的方向；将多个第二引出电极分别设置在功率芯片的第二电极上；利用封装材料填充第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片的可靠性。

    一种半导体器件封装结构和方法
    19.
    发明授权
    一种半导体器件封装结构和方法 有权

    公开(公告)号：CN108987350B

    公开(公告)日：2020-07-07

    申请号：CN201810712912.X

    申请日：2018-06-29

    申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

    发明人： 崔磊 ,  张璧君 ,  吴鹏飞 ,  金锐 ,  潘艳 ,  温家良 ,  吴军民 ,  田丽欣

    IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L23/043 ,  H01L23/22 ,  H01L23/473 ,  H01L21/52

    摘要： 本发明提供了一种半导体器件封装结构和方法，该封装结构包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，置在所述第一电极片和第二电极片之间；支撑部件，设置在所述半导体器件芯片的侧面，以在所述半导体器件芯片、所述第一电极片与所述支撑部件之间和/或所述半导体器件芯片、所述第二电极片与所述支撑部件之间形成空腔，并且所述支撑部件具有贯穿所述支撑部件且与所述空腔连通的通孔。所述半导体器件在使用时，通过该支撑部件上的通孔向该腔体内注入导电流体，有效提高器件封装的可靠性；对半导体器件芯片有良好的散热作用；同时具有良好的自保护功能，一旦液体泄漏，上电极或下电极自动与芯片开路。