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公开(公告)号：CN110504185A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910798587.8
申请日：2019-08-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种ESD保护单元的测试及加固方法，ESD保护单元设置在待测试芯片中，包括：对待测试芯片施加ESD放电应力；对待测试芯片的管脚进行监测，根据监测结果判断是否为ESD失效；若判断结果为ESD失效，则对待测试芯片进行开封，通过结构分析确定待测试芯片的ESD保护单元中的失效点；对ESD保护单元中的失效点进行加固仿真测试；在测试结果满足要求时，对待测试芯片进行加固；对加固后的芯片重新施加ESD放电应力，并进行监测，直至结果判断为ESD有效为止。本实施例提供的ESD保护单元的测试及加固方法，通过EDA软件对ESD保护单元进行仿真测试，保证芯片通过ESD设计要求并在正常工作状态下具备较高的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN112904931A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110055767.4
申请日：2021-01-15
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种电压电流转换电路及集成电路芯片。所述电压电流转换电路包括第一串联电阻、第二串联电阻、第一电流镜、第一负反馈环路以及第二负反馈环路，所述第一负反馈环路包括第一跨导放大器和第二电流镜，所述第二负反馈环路包括第二跨导放大器、第三电流镜以及第一二极管。本发明的电压电流转换电路，采用两条负反馈环路，使其有效输入电压可以高于电源电平，也可以低于地电平，即输入电压范围可以向正电源轨和负电源轨两个方向扩展，输入电压范围宽，动态范围大，且所述电压电流转换电路转换获得的电流也是双向的，可以有更广泛的电路应用，适应更多的系统条件。
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公开(公告)号：CN112505467A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202110122430.0
申请日：2021-01-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明涉及电磁干扰测试技术领域，提供一种用于芯片电磁干扰测试的测试装置及测试方法。所述测试装置包括：测试主板、信号发生器、耦合网络探头以及用于放置芯片的测试子板；所述测试子板包括与芯片的多个引脚对应连接的引出电路；所述耦合网络探头与引出电路和信号发生器连接，用于将信号发生器产生的电磁干扰信号传递至引出电路，以通过引出电路将电磁干扰信号引入芯片；所述测试主板与所述测试子板连接，用于获取芯片在所述电磁干扰信号的干扰下产生的信号数据。本发明通过将电磁干扰信号直接引入集成电路芯片，以准确评估芯片各个引脚的抗电磁干扰能力，为改进芯片内部电路设计提供参考，以提升芯片的抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN109148316A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811042338.8
申请日：2018-09-07
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12
摘要： 本发明公开了一种用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法，其基于等离子体刻蚀机，且等离子体刻蚀机的反应仓的顶部开设有观察窗，且观察窗的上方设置有显微镜，用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法包括以下步骤：步骤一：将芯片放入等离子体刻蚀机的反应仓中；步骤二：等离子体刻蚀机的控制系统进行常规设置刻蚀芯片；步骤三：完成刻蚀流程后暂不取出芯片，通过显微镜透过观察窗实时观察芯片的刻蚀进度；以及步骤四：根据芯片的刻蚀进度确定是否为芯片的刻蚀终点。借此，本发明的用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法，实时观察刻蚀进度，可以精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片的终点。
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公开(公告)号：CN110504185B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910798587.8
申请日：2019-08-27
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种ESD保护单元的测试及加固方法，ESD保护单元设置在待测试芯片中，包括：对待测试芯片施加ESD放电应力；对待测试芯片的管脚进行监测，根据监测结果判断是否为ESD失效；若判断结果为ESD失效，则对待测试芯片进行开封，通过结构分析确定待测试芯片的ESD保护单元中的失效点；对ESD保护单元中的失效点进行加固仿真测试；在测试结果满足要求时，对待测试芯片进行加固；对加固后的芯片重新施加ESD放电应力，并进行监测，直至结果判断为ESD有效为止。本实施例提供的ESD保护单元的测试及加固方法，通过EDA软件对ESD保护单元进行仿真测试，保证芯片通过ESD设计要求并在正常工作状态下具备较高的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN108828430B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201810557233.X
申请日：2018-06-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/28 , G06K7/10 , G06K19/077
摘要： 本发明公开了一种超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统及方法，超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统包括：上位机、读写器、温箱以及远场天线。上位机内置有控制软件；读写器一端与上位机通信连接；温箱内部具有温度，且温箱的一侧具有玻璃窗口；以及远场天线与读写器的另一端通信连接，且远场天线朝向温箱的玻璃窗口；其中，多颗RFID标签芯片放置于温箱内，且上位机的控制软件能够控制读写器通过远场天线透过玻璃窗口对温箱内的多颗RFID标签芯片进行可靠性测试。借此，本发明的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统，提高了测试效率，且提升了可靠性测试能力。
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公开(公告)号：CN109269451A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811382725.6
申请日：2018-11-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01B15/02
摘要： 本发明公开了一种金属镀层厚度的测量方法，所述测量方法是通过聚焦离子束测量方法结合扫描电子显微镜进行测量的，该测量方法能够实现对电子镀层、材料表面的涂层进行精确测量，精度在纳米级，能有效进行鉴别鉴伤。
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公开(公告)号：CN108828430A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810557233.X
申请日：2018-06-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/28 , G06K7/10 , G06K19/077
摘要： 本发明公开了一种超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统及方法，超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统包括：上位机、读写器、温箱以及远场天线。上位机内置有控制软件；读写器一端与上位机通信连接；温箱内部具有温度，且温箱的一侧具有玻璃窗口；以及远场天线与读写器的另一端通信连接，且远场天线朝向温箱的玻璃窗口；其中，多颗RFID标签芯片放置于温箱内，且上位机的控制软件能够控制读写器通过远场天线透过玻璃窗口对温箱内的多颗RFID标签芯片进行可靠性测试。借此，本发明的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统，提高了测试效率，且提升了可靠性测试能力。
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公开(公告)号：CN108267348A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711479741.2
申请日：2017-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种IC产品的样品截面的纳米级高精度制备方法，包括如下步骤：S1.将所述IC产品的样品注塑或者粘贴在陪片上，得到待研磨样品，对待研磨样品进行初步观察，并对待测区域进行标记；S2.采用粗砂纸对待研磨样品进行粗磨处理，得到粗磨样品；S3.确认粗磨样品的最终研磨位置和样品状态；S4.若样品状态不符合试验需求，则采用细砂纸对粗磨样品进行精磨处理；S5.对符合试验需求的细磨样品或粗磨样品进行清洗、吹干处理，得到待FIB处理样品；S6.将待FIB处理样品放置于FIB样品室中，调整FIB设备的样品台高度和旋转角度；S7.调整FIB设备的电压和电流参数进行截面精修处理，完成样品截面制备。本发明的制备方法效率高，精度高，截面样品辨识度可达纳米级。
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公开(公告)号：CN207368378U
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201721024095.6
申请日：2017-08-15
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01R31/06 , H01R13/717
摘要： 本实用新型公开一种数据线，包括：第一插头、第二插头以及连接所述第一插头和所述第二插头的线缆；其中，所述第一插头与电源相连接；所述第二插头与待充电的电子产品相连接；所述第二插头上设置有电源按钮以及发光装置，所述发光装置用于在所述电源按钮的控制下发光。本实用新型提供的数据线结构简单，提高了电子产品夜间充电的方便性，以及手机和数据线的使用寿命。
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