公开(公告)号：CN106409885A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610555289.2

申请日：2016-07-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴政达 ,  张简旭珂 ,  孙钟仁 ,  陈明德 ,  王廷君 ,  程俊杰

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 一种半导体器件，包括：半导体鳍、衬里氧化物层、氮化硅基层和栅极氧化物层。半导体鳍具有顶面、与顶面邻近的第一侧表面、以及设置在第一侧表面下方并与第一侧表面邻近的第二侧表面。衬里氧化物层在周围围绕半导体鳍的第二侧表面。氮化硅基层设置为与衬里氧化物层共形。栅极氧化物层设置为与顶面和第一侧表面共形。本发明还提供了FINFET栅极氧化物的形成方法。

公开(公告)号：CN105280639A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510312286.1

申请日：2015-06-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张简旭珂 ,  林子凯 ,  郑志成

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

摘要： 提供了半导体器件的结构和形成方法。半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。半导体器件还包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件和位于鳍结构的上方并且与栅极堆叠件相邻的外延生长的源极/漏极结构。半导体器件还包括位于外延生长的源极/漏极结构的上方的半导体保护层。半导体保护层具有比外延生长的源极/漏极结构的碳原子浓度更大的碳原子浓度。本发明还涉及鳍式场效应晶体管的结构和形成方法。

公开(公告)号：CN103165633B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210490869.X

申请日：2012-11-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张简旭珂 ,  简荣亮 ,  吴斯安

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14698

摘要： 本发明涉及一种背照式CMOS图像传感器，包括使用正面离子注入工艺形成在衬底上方的光电有源区域以及与该光电有源区域相邻形成的延伸的光电有源区域，其中，通过使用背面离子注入工艺来形成延伸的光电有源区域。背照式CMOS图像传感器可以进一步包括位于衬底背面上的激光退火层。延伸的光电有源区域有助于增大光子到电子的转化量，从而改善了量子效率。

公开(公告)号：CN103022101B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210021706.7

申请日：2012-01-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张简旭珂 ,  吴斯安 ,  王英郎 ,  刘继文

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

摘要： 本发明公开了一种具有TiAlN阻挡/润湿层的金属栅叠层以及制造该金属栅叠层的方法。在一实例中，集成电路器件包括半导体衬底和设置在半导体衬底上方的栅叠层。该栅叠层包括设置在半导体衬底上方的栅极介电层；设置在栅极介电层上方的功函数层；设置在功函数层上方的多功能润湿/阻挡层，其中，所述多功能润湿/阻挡层是氮化钛铝层；以及导电层设置在多功能润湿/阻挡层上方。

公开(公告)号：CN103456834A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210436608.X

申请日：2012-11-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张简旭珂 ,  陈科维 ,  郑志成 ,  洪敏皓

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/102

CPC分类号： H01L31/103 ,  H01L29/36 ,  H01L31/1037 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明涉及处理半导体器件表面从而减小暗电流和白像素异常的系统和方法。一个实施例包括一种应用于半导体或光电二极管器件表面的方法，该光电二极管器件表面与感光区域相邻并且与用于该器件的具有电路结构的面相对。可以在衬底的表面之下任选地生成深度小于大约10纳米的掺杂层并且该掺杂层可以掺杂大约1E13和1E16之间的硼浓度。可以使用足以将表面粗糙度降低到预设的粗糙度阈值以下的温度，任选地在大约300℃和500℃之间的温度下，在衬底上生成氧化物并且其厚度约在1纳米和10纳米之间。然后，可以在该氧化物上形成电介质，该电介质具有大于预设折射阈值的折射率，任选地至少约为2.0。本发明提供处理背照式光电二极管的系统和方法。

公开(公告)号：CN101308793B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710165593.7

申请日：2007-11-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张简旭珂 ,  黄婉婷 ,  简钰人 ,  孙钟仁

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76837

摘要： 本发明提供一种集成电路结构及其形成方法，该方法包括提供一表面，再对该表面进行离子化氧处理。接着使用包括第一含氧气体和四乙氧基硅烷(Tetraethoxysilane；TEOS)的第一工艺气体来形成包含有氧化硅的起始层，其中该起始层形成在该表面的上方。然后在起始层上形成硅酸盐玻璃。该方法还包括使用包括第二含氧气体和四乙氧基硅烷的第二工艺气体来形成缓冲层，其中第一工艺气体和第二工艺气体具有不同的氧/四乙氧基硅烷比，且第一工艺气体的该第一含氧气体和四乙氧基硅烷的流速比大于8。

公开(公告)号：CN101308793A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200710165593.7

申请日：2007-11-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张简旭珂 ,  黄婉婷 ,  简钰人 ,  孙钟仁

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76837

摘要： 本发明提供一种集成电路结构及其形成方法，该方法包括提供一表面，再对该表面进行离子化氧处理。接着使用包括第一含氧气体和四乙氧基硅烷(Tetraethoxysilane；TEOS)的第一工艺气体来形成包含有氧化硅的起始层。然后在起始层上形成硅酸盐玻璃。该方法还包括使用包括第二含氧气体和四乙氧基硅烷的第二工艺气体来形成缓冲层，其中第一工艺气体和第二工艺气体具有不同的氧/四乙氧基硅烷比。

公开(公告)号：CN110783410B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201910694119.6

申请日：2019-07-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴家扬 ,  张简旭珂 ,  王廷君 ,  游咏晞

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有源极/漏极和栅极的晶体管。半导体器件也包括用于晶体管的导电接触件。导电接触件提供至晶体管的源极/漏极或栅极的电连接。导电接触件包括多个阻挡层。阻挡层具有彼此不同的深度。根据本申请的实施例，还提供了另一种半导体器件以及一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN105529321B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201510656689.8

申请日：2015-10-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张简旭珂 ,  洪从轩 ,  林俊泽 ,  吴志楠

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

摘要： 集成电路结构包括介电层和蚀刻停止层。蚀刻停止层包括位于第一介电层上方的包括金属氮化物的第一子层以及位于第一子层上面或下面的第二子层。第二子层包括金属化合物并且与第一子层接触，金属化合物包括选自碳和氧的元素。本发明还涉及集成电路中的蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN106898595B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201610806487.1

申请日：2016-09-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴中文 ,  张简旭珂 ,  邱建文 ,  陈建全

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

摘要： 本揭露是关于一种互连线结构与其制造方法。互连线结构包括第一介电层、存在于第一介电层中的导电特征、存在于第一介电层上的第二介电层、存在于第一介电层与第二介电层之间的含铝蚀刻停止层、至少存在于第二介电层中及电连接至导电特征的导电通孔，及至少存在于导电通孔底部转角处的至少一个含铝碎片。