公开(公告)号：CN109801838A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811235228.3

申请日：2018-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥 ,  王筱姗

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004

Abstract: 提供包含使用光刻胶材料的半导体结构的形成方法。半导体结构的形成方法包括在基底之上形成材料层以及在材料层之上形成光刻胶层。半导体结构的形成方法还包括在光刻胶层上进行曝光制程以及显影光刻胶层。并且，光刻胶层是由光刻胶材料所形成，光刻胶材料包含感光性聚合物，且感光性聚合物具有第一感光性官能基团及第一酸不稳定基团，第一感光性官能基团键合至感光性聚合物的主链，第一酸不稳定基团键合至第一感光性官能基团。

公开(公告)号：CN109103092A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201711226117.1

申请日：2017-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄建桦 ,  李忠儒 ,  翁明晖 ,  魏慈慧

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/32139

Abstract: 本揭露内容描述了使用光阻剂交联制程和光阻剂去交联制程制造半导体结构的方法。在制造制程期间，使用交联底层，并且在去除底层之前，光阻剂去交联制程去交联交联底层。光阻剂去交联制程和交联底层的使用的合并提供了用以制造半导体结构的具有成本效益和低缺陷程度的解决方案。

公开(公告)号：CN108931892A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201711169387.3

申请日：2017-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  赖韦翰 ,  林子扬 ,  翁明晖 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/32

Abstract: 本公开实施例提供负型显影剂与对应的光刻技术，以克服分辨率、线路边缘粗糙度、与敏感度的权衡得失障碍(特别是对极紫外线技术)，可达进阶技术节点的高图案保真度。例示性的光刻方法包含形成负型光致抗蚀剂层于工件上；以极紫外线曝光负型光致抗蚀剂层；以及在负型显影剂中移除负型光致抗蚀剂层的未曝光部分，以形成图案化负型光致抗蚀剂层。负型显影剂包括logP值大于1.82的有机溶剂。有机溶剂为酯类衍生物R1COOR2。R1与R2为碳数小于或等于4的碳氢链。在一些实施方式中，R1、R2、或R1与R2两者为丙基，比如正丙基、异丙基、或2-甲基丙基。

公开(公告)号：CN113156770B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202110337729.8

申请日：2021-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭怡辰 ,  刘之诚 ,  翁明晖 ,  魏嘉林 ,  陈彦儒 ,  李志鸿 ,  郑雅如 ,  杨棋铭 ,  李资良 ,  张庆裕

IPC: G03F7/16

Abstract: 本申请涉及光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上方形成光致抗蚀剂层，以及降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层使所述潜在图案显影以形成图案。

公开(公告)号：CN113109995B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202110334311.1

申请日：2021-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏嘉林 ,  翁明晖 ,  刘之诚 ,  郭怡辰 ,  陈彥儒 ,  郑雅如 ,  李志鸿 ,  张庆裕 ,  李资良 ,  杨棋铭

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。

公开(公告)号：CN113359392B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202110434939.9

申请日：2021-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彥儒 ,  刘之诚 ,  郭怡辰 ,  李志鸿 ,  李资良 ,  翁明晖 ,  郑雅如

IPC: G03F7/11

Abstract: 本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中，所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。

公开(公告)号：CN113568271B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202110752941.0

申请日：2021-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘之诚 ,  翁明晖 ,  李志鸿 ,  郑雅如 ,  杨棋铭 ,  李资良 ,  张庆裕

IPC: G03F7/004

Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在图案形成方法中，通过将汽态的第一前体和第二前体合并以形成光致抗蚀剂材料，在基板上方形成光致抗蚀剂层。所述第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是选自由以下项组成的组的一者或多者：Sn、Bi、Sb、In和Te，R是被不同的EDG和/或EWG取代的烷基基团，X是卤基或磺酸根基团，并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤4。所述第二前体是水、胺、硼烷、和/或膦。使所述光致抗蚀剂层沉积在所述基板上方并选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至经选择性曝光的光致抗蚀剂层以使所述潜在图案显影，来形成图案。

公开(公告)号：CN111208716B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201910462253.3

申请日：2019-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  刘朕與 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/40

Abstract: 本揭露是关于一种微影方法，其包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN114764214A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110725400.9

申请日：2021-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  张庆裕

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/16 ,  G03F7/004

Abstract: 一种微影的方法包括形成光阻层在基板上、对光阻层进行处理以形成具有第一分子量的光阻层的上部和具有小于第一分子量的第二分子量的光阻层的下部、对光阻层进行曝光制程、以及对光阻层进行显影制程以形成图案化光阻层。

公开(公告)号：CN113568271A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110752941.0

申请日：2021-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘之诚 ,  翁明晖 ,  李志鸿 ,  郑雅如 ,  杨棋铭 ,  李资良 ,  张庆裕

IPC: G03F7/004

Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在图案形成方法中，通过将汽态的第一前体和第二前体合并以形成光致抗蚀剂材料，在基板上方形成光致抗蚀剂层。所述第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是选自由以下项组成的组的一者或多者：Sn、Bi、Sb、In和Te，R是被不同的EDG和/或EWG取代的烷基基团，X是卤基或磺酸根基团，并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤4。所述第二前体是水、胺、硼烷、和/或膦。使所述光致抗蚀剂层沉积在所述基板上方并选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至经选择性曝光的光致抗蚀剂层以使所述潜在图案显影，来形成图案。