公开(公告)号：CN103582660B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201280024862.7

申请日：2012-05-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  畑中辰也

IPC: C08G12/08 ,  B82Y30/00 ,  C01B31/02 ,  H01B1/24 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C08G12/08 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B32/176 ,  C08G12/40 ,  C08G73/026 ,  C08K3/041 ,  C08L61/32 ,  H01B1/24 ,  C08L79/02

Abstract: 例如下述式[1]所示的、具有带有磺基等酸性基团的重复单元的高支化聚合物和包含该高支化聚合物的碳纳米管分散剂在有机溶剂中等介质中能够使CNT分散到其单独尺寸，同时能够改善制成薄膜时的导电性。（式中，A1～A5的任一个为磺基，剩余为氢原子。）

公开(公告)号：CN102803324A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080027274.X

申请日：2010-06-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  奥山博明 ,  武藏秀树 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐

IPC: C08G16/02 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08G12/26 ,  C08G16/02 ,  C08G61/12 ,  C08G73/0273 ,  C08G73/0672 ,  C08G2261/344 ,  C08L61/26 ,  C08L79/02 ,  C08L79/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题在于提供用于半导体器件的制造的光刻工序的具有耐热性的抗蚀剂下层膜和电子构件中使用的具有透明性的高折射率膜。本发明提供了一种聚合物，其含有下式(1)所示的结构单元，式(1)式(1)中，R1、R2、R3和R5分别表示氢原子，R4表示苯基或萘基。还提供含有上述聚合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，以及由其形成的抗蚀剂下层膜。还提供含有上述聚合物的形成高折射率膜的组合物和由其形成的高折射率膜。

公开(公告)号：CN108139674A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680060001.2

申请日：2016-10-14

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  远藤贵文 ,  柄泽凉 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/10 ,  C08G12/08 ,  G03F7/26

CPC classification number: C08G8/10 ,  C08G12/08 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明的课题是提供用于通过提高聚合物的热回流性而改善烧成时对图案的填充性、从而在基板上形成平坦化性高的涂膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为本发明的解决问题的方法，涉及：抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含芳香族化合物(A)与具有结合于碳原子数2～26的烷基的仲碳原子或叔碳原子的甲酰基的醛(B)反应而得的酚醛清漆树脂。酚醛清漆树脂包含下述式(1)所示的结构单元。(式(1)中，A表示由碳原子数6～40的芳香族化合物衍生的二价基团，b1表示碳原子数1～16的烷基，b2表示氢原子或碳原子数1～9的烷基)。A是由包含氨基、羟基、或这两者的芳香族化合物衍生的二价基团。用于半导体的制造的抗蚀剂图案的形成方法，包含将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上然后烧成从而形成下层膜的工序。

公开(公告)号：CN107735729A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201680034828.6

申请日：2016-06-20

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  齐藤大悟 ,  柄泽凉 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C09D5/006 ,  C09D163/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086

Abstract: 本发明的课题在于提供一种用于在基板上形成平坦化性高的涂膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含环氧基加成体(C)，所述环氧基加成体(C)是通过含环氧基的化合物(A)与环氧基加成体形成性化合物(B)反应而得到的，在所述化合物(A)和所述化合物(B)中的一者或双者中包含可具有支链的碳原子数为3以上的烷基，环氧基加成体形成性化合物(B)为选自羧酸(B1)、羧酸酐(B2)、酚化合物(B3)、含羟基的化合物(B4)、硫醇化合物(B5)、氨基化合物(B6)及酰亚胺化合物(B7)中的至少1种化合物。可具有支链的碳原子数为3以上的烷基包含在环氧基加成体形成性化合物(B)中。可具有支链的碳原子数为3以上的烷基为碳原子数为3～19的烷基。

公开(公告)号：CN102695557B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201080061017.8

申请日：2010-11-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 飞田将大 ,  齐藤大悟 ,  畑中辰也

IPC: B01F17/52 ,  C01B31/02 ,  C08G16/02 ,  C08J5/18 ,  C08K3/04 ,  C08L61/18 ,  C09D161/18 ,  G02B1/10 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0007 ,  B01F17/005 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C08G10/00 ,  C08G10/02 ,  C08G73/026 ,  C08K3/041 ,  C09D5/24 ,  C09D7/70 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14 ,  G02B1/16 ,  G02B2207/101 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0048 ,  C08L61/00 ,  C08K7/24 ,  C08L79/02

Abstract: 本申请发明公开了包含高支化聚合物的碳纳米管分散剂，该高支化聚合物具有由例如式（12）或（13）表示的重复单元，其中所述高支化聚合物是通过三芳基胺化合物和醛化合物和/或酮化合物在酸催化剂存在下的缩聚而制备的。所述碳纳米管分散剂使CNT能够在介质例如有机溶剂中分散直到所述CNT如此分解以致具有独立尺寸。（在所述式中，Z1和Z2独立地表示氢原子、苯基、噻吩基等）。

公开(公告)号：CN101959926A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107398.6

申请日：2009-03-09

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 高山祐树 ,  畑中真 ,  安井圭 ,  齐藤大悟

IPC: C08G61/10 ,  C07C45/70 ,  C07C49/786 ,  C07C67/333 ,  C07C69/76 ,  C09D165/02 ,  C07B61/00

CPC classification number: C07C45/70 ,  C07C67/313 ,  C07C67/343 ,  C07C69/76 ,  C08G61/10 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/1428 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/94

Abstract: 本发明的课题是提供具有优异的透明性和耐热性、高折射率以及对各种溶剂优异的溶解性，并且在变成溶液后粘度低、操作性优异的高分子化合物和该高分子化合物的制造方法、以及含有该高分子化合物组合物。本发明提供了下式(1)所示的芳酰基联苯化合物，使用该化合物得到的高分子化合物，以及含有作为成分(A)的上述高分子化合物和作为成分(B)的交联性化合物的热固化膜形成用高分子组合物[式中，X表示卤原子，R1表示氢原子、式(2a)或式(2b)所示的基团，式(2a)和式(2b)中，R2和R3分别独立地表示氢原子或碳原子数为1～6的烷基]。